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Ideale kreisförmige Vakuum-Magnetron-Sputtertargets, ZIRKONIUMDIOXID - ZrO ₂ -Sputtertarget, 3 Zoll Durchmesser x 0,125 Zoll Dicke, 99,99 Prozent Reinheit, metallisch verbunden mit einer OFHC-Kupfer-Trägerplatte

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Ideale kreisförmige Vakuum-Magnetron-Sputtertargets, ZIRKONIUMDIOXID - ZrO ₂ -Sputtertarget, 3 Zoll Durchmesser x 0,125 Zoll Dicke, 99,99 Prozent Reinheit, metallisch verbunden mit einer OFHC-Kupfer-Trägerplatte

Zustand:

Neu

Artikelnummer:

P1013708

Garantie:

Full Manufacturer's Warranty

Jetzt verfügbar 1

Verkauf: €1,887.90

Währung: Euro (Euro)

Beschreibung

Ideale kreisförmige Magnetron-Sputtertargets für Vakuum, Zirkonoxid – ZrO ₂ -Sputtertarget, 3 Zoll Durchmesser x 0,125 Zoll Dicke, 99,99 Prozent Reinheit, metallisch verbunden mit einer OFHC-Kupfer-Trägerplatte
Ideal Vacuum Products, LLC.

Bei diesem Produkt handelt es sich um ein kreisförmiges Magnetron-ZrO ₂ -Sputtertarget mit einem Durchmesser von 3 Zoll und einer Dicke von 0,125 Zoll. Es ist zu 99,99 % rein und metallisch mit einer OFHC-Kupferträgerplatte (Oxygen-Free High Conductivity) verbunden.

Wir verwenden eine sehr wettbewerbsfähige Preisstrategie, um sicherzustellen, dass Sie Produkte von höchster Qualität zum bestmöglichen Preis erhalten, sodass Sie bei jedem Einkauf sowohl Erschwinglichkeit als auch Exzellenz genießen. Wir bieten jedem Kunden riesige Rabatte, Kunden, die Großbestellungen aufgeben, können sich über enorme Einsparungen freuen. Wir haben riesige Mengen unserer Produkte auf Lager, um unseren Kunden eine garantierte Lieferung am selben Tag nach der Bestellung zu bieten. Diese kurze Vorlaufzeit wird von all unseren Kunden geschätzt, die ihren Cashflow mit schnelleren Durchlaufzeiten verwalten möchten. Unsere Stammkunden können niedrigere Lagerbestände aufrechterhalten, die Lagerkosten senken und das Risiko der Veralterung minimieren. Der Kauf bei Ideal Vacuum bedeutet, dass ein Kunde sein Produkt schneller erhält, was die Zufriedenheit erhöht und seine dringendsten Bedürfnisse erfüllt. Dies ermöglicht es unseren Kunden auch, ihrer Konkurrenz einen Schritt voraus zu sein, indem sie sich schnell an neue Trends und Anforderungen anpassen.

Zirkoniumoxid
Zirkoniumdioxid ( _ZrO2 ), auch Zirkonia genannt, ist eine anorganische Verbindung aus Zirkonium und Sauerstoff. Es ist ein weißer, kristalliner Feststoff, der für seine außergewöhnliche Härte, chemische Stabilität und seinen hohen Schmelzpunkt bekannt ist. ZrO2 wird aufgrund seiner robusten physikalischen Eigenschaften und Vielseitigkeit häufig in verschiedenen industriellen und wissenschaftlichen Anwendungen eingesetzt.

Zirkoniumdioxid (ZrO ₂ ) wird aufgrund seiner außergewöhnlichen thermischen, chemischen und optischen Eigenschaften häufig in Dünnschichtbeschichtungen verwendet. Sein hoher Brechungsindex, seine chemische Stabilität und seine mechanische Haltbarkeit machen es zu einem idealen Material für eine Vielzahl fortschrittlicher Dünnschichtanwendungen. Nachfolgend sind die wichtigsten Verwendungszwecke von ZrO ₂ in Dünnschichtbeschichtungen aufgeführt:

1. Optische Beschichtungen.
2. Dielektrische Schichten.
3. Schutz- und Barrierebeschichtungen
4. Wärmedämmschichte.

Dünne Filme aus Zirkoniumdioxid werden aufgrund ihrer einzigartigen Kombination aus hohem Brechungsindex, Durchschlagsfestigkeit und thermischer Stabilität in einer großen Bandbreite hochentwickelter Anwendungen eingesetzt, darunter optische Geräte, Mikroelektronik, Schutzbeschichtungen und Hochtemperatursysteme.

HF-Sputtern im Vergleich zu DC-Sputtern:
Das HF-Sputtern ist häufig die bevorzugte Methode zum Sputtern reiner Metalloxide, da diese Isolatoren sind und HF ein alternierendes elektrisches Feld erzeugt, das Ladungsaufbau auf der Zieloberfläche verhindert. Dieses alternierende Feld reduziert die Ladungsansammlung, die sonst beim DC-Sputtern zu Lichtbögen führen würde.

Abscheidungsleistung:
Niedrigere Abscheidungsrate: Beim HF-Sputtern ist die Leistungsübertragung auf das Plasma im Vergleich zum Gleichstrom weniger effizient, was hauptsächlich an der Wechselwirkung des elektrischen Felds liegt. Dies führt zu einer niedrigeren Abscheidungsrate im Vergleich zum Gleichstrom-Sputtern unter gleichwertigen Leistungsbedingungen.

Zielmaterial:
Bei leitfähigen Zielen (wie Titan beim reaktiven Sputtern) ist die Abscheidungsrate beim DC-Sputtern höher. Bei isolierenden Zielen wie reinen Metalloxiden muss RF-Sputtern verwendet werden, und die Abscheidungsraten sind normalerweise niedriger.

Leistungsstufen:
Durch Erhöhen der Leistung können die Abscheidungsraten sowohl beim HF- als auch beim Gleichstrom-Sputtern gesteigert werden. Bei leitfähigen Materialien sind die Abscheidungsraten bei Gleichstrom jedoch immer noch höher.

Druck und Gasfluss:
Durch Optimierung des Gasdrucks und -flusses können höhere Abscheidungsraten erzielt werden, wobei für HF und Gleichstrom unterschiedliche optimale Bedingungen gelten.

Hinweise:
Für alle dielektrischen Targetmaterialien wird eine metallische oder elastomere Trägerplattenverbindung empfohlen, da diese Materialien Eigenschaften aufweisen, die sich nicht zum Sputtern eignen, wie z. B. Sprödigkeit und geringe Wärmeleitfähigkeit. Diese Targets sind aufgrund ihrer geringen Wärmeleitfähigkeit am anfälligsten für Thermoschocks und erfordern daher während der Start- und Abschaltschritte möglicherweise spezielle Verfahren zum Hoch- und Herunterfahren der Leistung.