Bomba de vacío en seco Edwards iXH 610 HARSH 200-230 VAC 50/60 hz 3 ph. Ref. AC110A121100

Edwards iXH 610 es una nueva gama de bombas secas construidas para la fabricación ecológica y el procesamiento de procesos químicos agresivos. Utilizando muy poca energía, el mecanismo de raíces eficiente se ha desarrollado para reducir drásticamente la potencia de entrada a 1,3 kW, un 60 % menos que la generación anterior de bombas secas, lo que reduce el impacto ambiental y reduce el costo de propiedad. La tecnología de barrera de gas y las mejoras en el diseño térmico permiten una resistencia a la corrosión cuatro veces mayor que el producto de la serie iH. Las funciones avanzadas de manejo de polvo significan que iXH brindará la máxima confiabilidad y una mayor vida útil de la bomba para procesos de grabado multicapa y un consumo de energía reducido para procesos CVD, especialmente con HARSH Chemicals.

Las bombas de la serie Edwards iXH 610 son compactas y de diseño liviano, combinadas con un nivel excepcionalmente bajo de ruido y vibración, hacen de iXH la bomba química seca más versátil de la gama Edwards. iXH transformará sus expectativas de la tecnología de bombas de vacío secas, brindará beneficios reales y mayor tiempo de actividad, con un impacto ambiental mínimo. Las bombas iXH están diseñadas para su uso en la mayoría de los procesos de semiconductores y ofrecen reducciones significativas en la potencia de entrada. Para ver el Manual de instrucciones completo, consulte Descargas al costado.

Características y Beneficios:

• Principalmente para aplicaciones químicas HARSH
• Velocidad máxima de bombeo 665 m3/h-1 (391 CFM)
• Presión máxima 3,7 X 10-3 Torr
• No requiere mantenimiento preventivo
• Rellenos de agua de conexión rápida de 3/8 pulgadas
• Mitades de acoplamiento de conexión de agua y energía
• Sistema de refrigeración por agua SS
• Módulo de gas multimodo 44 slm

APLICACIONES:

• Bloqueo de carga
• Transferir
• Meteorología
• Litografía
• Proceso PVD de deposición física de vapor
• Deposición física de vapor PVD Limpieza previa
• RTA de recocido térmico rápido
• Tira/Ceniza
• Grabando
• Fuente de implante
• Deposición de vapor químico de plasma de alta densidad HDP CVD
• Procesamiento térmico rápido RTP
• Deposición de vapor químico subatmosférico SACVD
• Deposición química de vapor de tungsteno WCVD
• Deposición de vapor químico modificado MCVD
• Deposición química de vapor mejorada con plasma PECVD
• Deposición química de vapor a baja presión LPCVD