Edwards iXH 1220H HARSH Bomba de vacío seca 200-230 VAC 50/60 hz 3 ph. Ref. AC3B0A122200

Edwards iXH 1220H es una nueva gama de bombas secas construidas para la fabricación ecológica y el procesamiento de procesos químicos agresivos. Utilizando muy poca energía, el mecanismo de raíces eficiente se ha desarrollado para reducir drásticamente la potencia de entrada a 1,3 kW, un 60 % menos que la generación anterior de bombas secas, lo que reduce el impacto ambiental y reduce el costo de propiedad. La tecnología de barrera de gas y las mejoras en el diseño térmico permiten una resistencia a la corrosión cuatro veces mayor que el producto de la serie iH. Las funciones avanzadas de manejo de polvo significan que iXH brindará la máxima confiabilidad y una mayor vida útil de la bomba para procesos de grabado multicapa y un consumo de energía reducido para procesos CVD, especialmente con HARSH Chemicals.

Las bombas de la serie iXH 1220H de Edwards son compactas y de diseño liviano, combinadas con un ruido y una vibración excepcionalmente bajos, hacen de la iXH la bomba química seca más versátil de la gama Edwards. iXH transformará sus expectativas de la tecnología de bombas de vacío secas, brindará beneficios reales y mayor tiempo de actividad, con un impacto ambiental mínimo. Las bombas iXH están diseñadas para su uso en la mayoría de los procesos de semiconductores y ofrecen reducciones significativas en la potencia de entrada. Para ver el Manual de instrucciones completo, consulte Descargas al costado.

Características y Beneficios:

• Principalmente para aplicaciones químicas HARSH
• Velocidad máxima de bombeo 1200 m3/h-1 (645 CFM)
• Presión máxima 3,7 X 10-3 Torr
• No requiere mantenimiento preventivo
• Rellenos de agua de conexión rápida de 3/8 pulgadas
• Mitades de acoplamiento de conexión de agua y energía
• Sistema de refrigeración por agua SS
• Módulo de gas multimodo 44 slm

APLICACIONES:

• Bloqueo de carga
• Transferir
• Meteorología
• Litografía
• Proceso PVD de deposición física de vapor
• Deposición física de vapor PVD Limpieza previa
• RTA de recocido térmico rápido
• Tira/Ceniza
• Grabando
• Fuente de implante
• Deposición de vapor químico de plasma de alta densidad HDP CVD
• Procesamiento térmico rápido RTP
• Deposición de vapor químico subatmosférico SACVD
• Deposición química de vapor de tungsteno WCVD
• Deposición de vapor químico modificado MCVD
• Deposición química de vapor mejorada con plasma PECVD
• Deposición química de vapor a baja presión LPCVD