Piezas de silicio (tipo P) para vacío ideal - Si, 100 gramos, 99,999 por ciento de pureza, dopado con boro, punto de fusión 1410 °C, piezas de 1 a 10 mm, materiales de evaporación PVD, películas delgadas de semiconductores de silicio

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Este producto es una botella de 100 gramos de piezas de silicio de alta pureza (Tipo P) (99,999 %) de 1 a 10 mm de tamaño y se envía en botellas de plástico PET. Estas piezas tienen una densidad de 2,32 g/cc, un punto de fusión de 1.410 °C y una presión de vapor de 10-4 Torr a 1.337 °C. Su coeficiente de expansión térmica es de 2,6 x 10-6/K y tiene una relación Z de 0,437.

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Silicio (tipo P)
El silicio de tipo P es un material clave utilizado en los procesos de deposición física de vapor (PVD) debido a sus propiedades semiconductoras. La combinación de propiedades físicas, químicas, eléctricas y térmicas del silicio lo convierte en un material indispensable en la tecnología y la industria modernas.
El silicio de tipo P es un tipo de material semiconductor que ha sido dopado con elementos que le proporcionan portadores de carga positiva (huecos). Este tipo de silicio es crucial en diversas aplicaciones electrónicas y fotovoltaicas debido a su capacidad para conducir electricidad. En aplicaciones de película delgada, el silicio de tipo P desempeña un papel fundamental, especialmente en células solares y transistores.

Elementos dopantes: El silicio de tipo P suele estar dopado con elementos del grupo III de la tabla periódica, como el boro, el aluminio o el galio. El boro es el dopante más utilizado.