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× Bombas de vacío Cámaras de vacío modulares Cámaras de vacío de acero inoxidable Cámaras de aluminio soldadas ideales ExploraVAC Cámaras Ilimitadas ExploraVAC Cámaras de Vacío Accesorios y bridas Pasamuros Válvulas de vacío Kits de reconstrucción, piezas y motores Líquidos, aceites y grasas para vacío Turbobombas y controladores Filtros Trampas y Silenciadores Hornos de convección y vacío Detección de fugas y RGA Medición de presión de vacío Refrigeradores de recirculación y baños de agua
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El sistema de limpieza y descontaminación por plasma Ideal Vacuum PlasmaVAC P50W, con fuente de plasma remota, se utiliza comúnmente para la preparación de muestras y sustratos SEM, TEM, ALD y PVD
Tiempo de producción: 4 a 8 semanas


Sistema de limpieza y descontaminación por plasma Ideal Vacuum PlasmaVAC P50W, con fuente de plasma remota. Se utiliza comúnmente para la preparación de muestras y sustratos SEM, TEM, ALD y PVD. Nuestros sistemas de limpieza y descontaminación por plasma Ideal Vacuum PlasmaVAC P50W son ideales para la preparación de muestras de microscopía electrónica de barrido (SEM) y transmisión (TEM). La limpieza con plasma es un paso vital, ya que elimina los contaminantes orgánicos de las superficies de la muestra, lo que mejora la calidad de la imagen y la precisión del análisis. La industria de semiconductores utiliza SEM y TEM para identificar y analizar fallas en dispositivos transistorizados, pero en muchos casos la evidencia de la falla solo es visible durante las pruebas in situ mientras el dispositivo está funcionando en sus condiciones de funcionamiento normales. Para observar este tipo de fallas, se deben suministrar conexiones eléctricas y de enfriamiento al dispositivo transistorizado mientras está montado dentro del microscopio electrónico. Con estos requisitos en mente, el P50W tiene un tamaño de cámara de 16 x 16 x 16 pulgadas con un volumen espacioso de 2,4 pies cúbicos y puertos de acceso de vacío laterales grandes. Se puede agregar fácilmente una placa de paso al puerto lateral que lleva todas las conexiones eléctricas y líneas de suministro de enfriamiento para que todas estas partes se puedan descontaminar en un solo paso. De esa manera, la etapa de prueba in situ completa montada en un puerto lateral de vacío se descontamina y está lista para conectarse a su SEM o TEM, donde los dispositivos eléctricos se pueden operar en condiciones normales y se pueden observar los defectos. El PlasmaVAC P50W es ideal para eliminar la contaminación por hidrocarburos de las muestras y los sustratos utilizados en: Microscopía electrónica de barrido (SEM) Microscopía electrónica de transmisión (TEM) Espectroscopia fotoelectrónica de rayos X (XPS) Espectroscopia de rayos X (EDX) Haz de iones enfocado de crioplasma (Cryo-PFIB) Deposición de capa atómica (ALD) Deposición física de vapor (PVD) Litografía ultravioleta extrema (EUVL) El PlasmaVAC P50W tiene un descontaminador de radicales de plasma de cátodo hueco remoto fabricado por XEI Scientific, Inc. con el modelo Evactron E50 E-TC. Esta fuente ofrece una potencia de RF de entre 35 y 75 vatios a 13,56 MHz e incluye una biblioteca de recetas probadas y opciones para cambiar la potencia, los ciclos y la duración de la limpieza. El Evactron E50 E-TC tiene dos opciones de entrada de gas: una versión con filtro de entrada de gas de pureza ultraalta (tamaño de poro de 3 nm) para cumplir con los estrictos requisitos de la directiva SEMI F38-0699 de la industria de semiconductores y la versión con opción de filtro de precisión (tamaño de poro de 0,5 µm) para condiciones generales de laboratorio. Estos filtros en línea evitan la introducción de partículas de las líneas de alimentación de gas en la corriente de plasma. Los gases alternativos que se han probado incluyen O2, CDA, Ar/H2, Ar/O2, N2/H2 y N2. No se recomienda el uso de H2 al 100 % por razones de seguridad. Especificaciones del tratamiento de superficie PlasmaVAC P50W: Fuente de plasma remota de XEI Scientific Modelo Evactron E50 E-TC Potencia ajustable entre 35 y 75 vatios Máximo de 50 vatios Operación continua Frecuencia de RF a 13,56 MHz Dos opciones de filtro de entrada de gas: Tamaños de poro de 3 nm y 0,5 µm Los tamaños de poro de 3 nm siguen la directiva SEMI F38-0699 de la industria de semiconductores Probado con gases O2, CDA, Ar/H2, Ar/O2, N2/H2 y N2. Controlador de interfaz de usuario dedicado de Evactron Almacenamiento de configuraciones de usuario Recetas, potencia, ciclos y duración de la limpieza Ventana frontal Puertos de vacío de acceso lateral Regulación del turbo Estante calentado (60 °C) montado debajo de la fuente de plasma La distancia del estante calentado se puede ajustar en incrementos de 1 pulgada 2 estantes de almacenamiento de alto voltaje ranurados adicionales Este sistema P50W incluye una bomba de desbaste de raíces multietapa seca Edwards nXR60i y una bomba turbo Pfeiffer HiPace 300 montada debajo con controlador TC400. Sus características también incluyen ventilación atmosférica y un medidor de magnetrón invertido de cátodo frío y Pirani combinado Inficon MPG400 integrado. Las mediciones de presión de vacío de la cámara se muestran a través de un controlador de presión montado en la consola que también permite al usuario controlar la velocidad de la bomba turbo. Se incluye un estante de platina calentado montado en lo alto de la cámara para una limpieza de plasma óptima de dispositivos transistorizados o obleas, donde la temperatura se controla mediante un controlador montado en la consola independiente y está limitada a un máximo de 60 °C para evitar riesgos de quemaduras al operador. El estante calentado se instala a la distancia óptima para la limpieza de muestras de SEM y TEM y se puede ajustar hacia arriba o hacia abajo en incrementos de 1 pulgada para otras aplicaciones según sea necesario. Dos estantes adicionales se encuentran debajo del estante calentado para espacio adicional de almacenamiento de alto vacío. El sistema de limpieza de plasma remoto Evactron E50 E-TC está integrado en el techo de la cámara y un controlador de interfaz dedicado de Evactron independiente permite al usuario variar fácilmente todos los parámetros de limpieza importantes y mantener las recetas del usuario. La cámara cuenta con una puerta de acero inoxidable con bisagras con una ventana de visualización y un filtro de policarbonato incorporado para proteger al usuario de la radiación IR y UV generada por el arco de plasma. Este instrumento PlasmaVAC incluye un enclavamiento que no permite que el sistema de limpieza de plasma funcione por encima de 1 Torr. La opción de software AutoExplor permite al usuario controlar dispositivos desde una computadora remota mientras protege el sistema. AutoExplor secuencia correctamente las bombas y opera automáticamente las válvulas correctas para una solicitud determinada. El usuario puede programar puntos de ajuste de presión y temperatura, tasas de rampa, tiempos de remojo y ventilación. El software proporciona transmisión de datos gráficos en tiempo real para que el usuario pueda visualizar el comportamiento del sistema. AutoExplor mantiene un programa interno de mantenimiento preventivo y notifica al usuario cuando se debe realizar un servicio al sistema, como el mantenimiento de la bomba o la calibración del sensor. Esto ayuda a mantener el sistema en un rendimiento operativo máximo. También proporciona mensajes de falla y error junto con información específica de resolución de problemas en caso de una falla del dispositivo para que el problema se pueda corregir lo antes posible. La limpieza con plasma es una técnica ampliamente utilizada en microscopía, incluida la microscopía electrónica de barrido (SEM) y la microscopía electrónica de transmisión (TEM), para preparar y descontaminar muestras. Elimina eficazmente los contaminantes orgánicos de las superficies de las muestras, lo que mejora la calidad de la imagen y la precisión del análisis. Así es como funciona la limpieza con plasma para muestras SEM y TEM: 1. Principio de la limpieza con plasma La limpieza con plasma utiliza plasma, un gas altamente ionizado, para eliminar contaminantes. El plasma se genera aplicando un campo electromagnético de alta frecuencia a un gas de baja presión, comúnmente oxígeno, argón o hidrógeno. El proceso crea iones, electrones y especies neutras que son altamente reactivas. 2. Eliminación de contaminantes En el proceso de limpieza con plasma: Eliminación física: los iones energéticos del plasma bombardean la superficie de la muestra y eliminan físicamente los contaminantes. Reacciones químicas: las especies reactivas del plasma pueden interactuar químicamente con los contaminantes. Por ejemplo, los radicales de oxígeno pueden oxidar los materiales orgánicos y convertirlos en compuestos volátiles que se eliminan fácilmente. 3. Aplicación en SEM y TEM Para muestras de SEM: Descontaminación: la limpieza con plasma elimina residuos orgánicos como huellas dactilares, aceites y partículas en el aire que pueden oscurecer los detalles o interferir con los haces de electrones. Imágenes mejoradas: al limpiar la superficie, el tratamiento con plasma reduce los efectos de carga y mejora la resolución y el contraste de las imágenes de SEM y TEM. Resolución y contraste mejorados: una superficie de muestra limpia permite una mejor interacción entre los electrones y la muestra, lo que es fundamental para lograr imágenes de alta resolución y alto contraste en SEM y TEM. Preparación para el recubrimiento: a menudo se utiliza antes de aplicar recubrimientos conductores a muestras no conductoras, lo que garantiza que el recubrimiento se adhiera bien y sea uniforme. 4. Ventajas de utilizar la limpieza con plasma Cuidado con las muestras: a diferencia de los métodos de limpieza química, la limpieza con plasma generalmente no destruye la superficie de la muestra. Rápido y eficiente: el proceso puede tardar desde unos minutos hasta una hora, según el nivel de contaminación y el tamaño de la muestra. Versátil: eficaz en una variedad de materiales, incluidos metales, cerámicas y muestras biológicas. Los microscopios electrónicos, en particular los microscopios electrónicos de barrido (SEM) y los microscopios electrónicos de transmisión (TEM), son herramientas vitales en la industria de los semiconductores para identificar y analizar fallas en dispositivos transistorizados. La capacidad de estos microscopios para proporcionar imágenes de alta resolución a escala nanométrica permite un examen detallado de los materiales, estructuras y dispositivos semiconductores. A continuación, se muestra cómo se utilizan los microscopios electrónicos en este contexto: 1. Imágenes de alta resolución SEM: los SEM se utilizan para visualizar la topografía de la superficie y la composición de los dispositivos transistorizados. Pueden identificar defectos de superficie, variaciones de espesor de capa y anomalías estructurales que pueden provocar fallas en los transistores. El modo de electrones retrodispersados (BSE) puede diferenciar entre materiales en función del contraste del número atómico, lo que resulta útil para inspeccionar la composición y la distribución de los materiales en el dispositivo. TEM: TEM proporciona una resolución incluso mayor que SEM y puede generar imágenes a nivel atómico. Esto es crucial para ver las estructuras internas de los transistores, como defectos en la red cristalina, dislocaciones y anomalías de interfaz entre diferentes materiales. 2. Análisis de fallasAnálisis de defectos: los microscopios electrónicos pueden detectar y analizar defectos que no son visibles con microscopios menos potentes. Estos incluyen huecos, grietas e inclusiones de material extraño dentro del transistor. Análisis de materiales: las capacidades de espectroscopia de rayos X por dispersión de energía (EDX) en los microscopios electrónicos se pueden utilizar para realizar análisis elementales y confirmar la composición química de los materiales. Esto ayuda a comprender problemas como la contaminación o la degradación del material. 3. Localización de fallasEdición y depuración de circuitos: los sistemas de haz de iones enfocado (FIB), a menudo combinados con SEM, se utilizan para la edición de circuitos y el análisis de fallas. Pueden fresar materiales en lugares específicos para exponer las secciones internas de un transistor o para reparar y modificar circuitos a escala nanométrica. Seccionamiento físico: para defectos o fallas internas, se puede utilizar FIB para cortar secciones transversales de los dispositivos. Luego, se pueden obtener imágenes de estas secciones transversales con SEM o TEM para analizar las estructuras de las capas y la calidad de la interfaz. 4. Caracterización eléctrica Contraste de voltaje en SEM: esta técnica se utiliza para identificar la actividad eléctrica en dispositivos semiconductores. Puede mostrar qué partes del transistor están eléctricamente activas y cuáles no, lo que indica áreas potenciales de falla. 5. Pruebas dinámicas Pruebas in situ: algunos microscopios electrónicos están equipados para realizar pruebas eléctricas in situ donde se puede observar el dispositivo en condiciones de funcionamiento. Esto puede ser fundamental para identificar mecanismos de falla dinámicos como la electromigración o la degradación térmica.

Condición: Nuevo



Número de parte: P1013547



Precio: $119,432.99


Precio regular: $149,291.23




Divisa: US Dollar (USD)

Fuente de plasma remota descontaminadora XEI Scientific Evactron E50 E-TC comúnmente utilizada para la preparación de muestras y sustratos SEM, TEM, ALD y PVD
Disponible
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Fuente de plasma remota descontaminadora XEI Scientific Evactron E50 E-TC comúnmente utilizada para la preparación de sustratos y muestras SEM, TEM, ALD y PVD. El sistema descontaminador Evactron E50 E-TC de XEI Scientific consta de: fuente remota de radicales de plasma Evactron E50 E-TC, con opción de purga de gas, controlador de montaje en bastidor Evactron E50 E-TC, interfaz de panel táctil Evactron E50 E-TC, usuario del sistema manual y juego de cables Evactron E50. Estos son componentes integrados de nuestros sistemas de descontaminación y limpieza de plasma Ideal Vacuum PlasmaVAC P50W, que es un producto ideal para la preparación de muestras de microscopía electrónica de barrido (SEM) y transmisión (TEM). La limpieza con plasma es un paso vital ya que elimina los contaminantes orgánicos de las superficies de las muestras, lo que mejora la calidad de la imagen y la precisión del análisis. La limpieza del plasma es vital para eliminar la contaminación por hidrocarburos de las muestras y sustratos utilizados en: Microscopía electrónica de barrido (SEM) Microscopía electrónica de transmisión (TEM) Espectroscopia fotoelectrónica de rayos X (XPS) Espectroscopia de rayos X (EDX) Haz de iones enfocado en crioplasma (crioplasma) -PFIB) Deposición de capa atómica (ALD) Deposición física de vapor (PVD) Litografía ultravioleta extrema (EUVL) Especificaciones del tratamiento de superficie Evactron E50 E-TC: Fuente de plasma remota de XEI Scientific Modelo Evactron E50 E-TC Potencia ajustable entre 35 y 75 vatios máx. de 50 vatios de funcionamiento continuo Frecuencia de RF a 13,56 MHz Dos opciones de filtro de entrada de gas: Tamaños de poro de 3 nm y 0,5 µm Los tamaños de poro de 3 nm siguen la directiva SEMI F38-0699 de la industria de semiconductores Probado con O2, CDA, Ar/H2, Ar/O2, Gases N2/H2 y N2. Controlador de interfaz de usuario Evactron dedicado Almacenamiento de configuraciones de usuario Recetas, energía, ciclos y duración de la limpieza La limpieza por plasma es una técnica ampliamente utilizada en microscopía, incluida la microscopía electrónica de barrido (SEM) y la microscopía electrónica de transmisión (TEM), para preparar y descontaminar muestras. Elimina eficazmente los contaminantes orgánicos de las superficies de las muestras, mejorando la calidad de la imagen y la precisión del análisis. Así es como funciona la limpieza con plasma para muestras SEM y TEM:1. Principio de la limpieza con plasmaLa limpieza con plasma utiliza plasma, un gas altamente ionizado, para eliminar contaminantes. El plasma se genera aplicando un campo electromagnético de alta frecuencia a un gas a baja presión, comúnmente oxígeno, argón o hidrógeno. El proceso crea iones, electrones y especies neutras que son altamente reactivas. 2. Eliminación de contaminantes En el proceso de limpieza del plasma: Eliminación física: Los iones energéticos del plasma bombardean la superficie de la muestra, eliminando físicamente los contaminantes. Reacciones químicas: las especies reactivas en el plasma pueden interactuar químicamente con los contaminantes. Por ejemplo, los radicales de oxígeno pueden oxidar materiales orgánicos, convirtiéndolos en compuestos volátiles que se eliminan fácilmente.3. Aplicación en SEM y TEMPara muestras SEM:Descontaminación: la limpieza con plasma elimina residuos orgánicos como huellas dactilares, aceites y partículas en el aire que pueden oscurecer los detalles o interferir con los haces de electrones. Imágenes mejoradas: al limpiar la superficie, el tratamiento con plasma reduce los efectos de carga y mejora la resolución y el contraste de las imágenes SEM y TEM. Resolución y contraste mejorados: una superficie de muestra limpia permite una mejor interacción entre los electrones y la muestra, lo cual es fundamental para lograr imágenes de alta resolución y alto contraste en SEM y TEM. Preparación para el recubrimiento: a menudo se usa antes de aplicar recubrimientos conductores a muestras no conductoras, asegurando que el recubrimiento se adhiera bien y sea uniforme. 4. Ventajas de utilizar una limpieza con plasma suave con las muestras: a diferencia de los métodos de limpieza química, la limpieza con plasma generalmente no es destructiva para la superficie de la muestra. Rápido y Eficiente: El proceso puede tardar desde unos minutos hasta una hora, dependiendo del nivel de contaminación y el tamaño de la muestra. Versátil: eficaz en una variedad de materiales, incluidos metales, cerámicas y muestras biológicas.

Condición: Nuevo



Número de parte: P1013571



Precio: $30,040.00




Divisa: US Dollar (USD)
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