Pompe à vide sèche Edwards iXM 200 200-230 VAC 50/60 hz 3 ph.
Numéro de pièce Edwards A56106958
L'iXM 200 d'Edwards est une nouvelle gamme de pompes sèches conçues pour la fabrication écologique. Utilisant une très faible consommation d'énergie, le mécanisme de racines efficace a été développé pour réduire considérablement la puissance d'entrée à 1,3 kW, soit 60 % de moins que la génération précédente de pompes sèches, réduisant ainsi l'impact environnemental et le coût de possession. La technologie de barrière aux gaz et les améliorations de la conception thermique permettent une résistance à la corrosion quatre fois supérieure à celle des produits de la série iH. Les fonctionnalités avancées de manipulation de poudre signifient que l'iXM offrira une fiabilité maximale et une durée de vie prolongée de la pompe pour les processus de gravure multicouche et une consommation d'énergie réduite pour les processus CVD.
Les pompes de la série Edwards iXM 200 sont compactes et de conception légère, combinées à un bruit et des vibrations exceptionnellement faibles, font d'iXM la pompe sèche la plus polyvalente de la gamme Edwards. iXM transformera vos attentes en matière de technologie de pompe à vide sèche, offrira de réels avantages et une disponibilité accrue, avec un impact environnemental minimal. Les pompes iXM sont conçues pour être utilisées dans la plupart des processus de semi-conducteurs tout en offrant des réductions significatives de la puissance d'entrée.
Pour le manuel d'instructions complet, voir Téléchargements sur le côté. Caractéristiques et avantages:- Principalement pour les applications chimiques difficiles à nettoyer (voir le spectre d'application ci-dessous)
- Vitesse de pompage maximale 200 m3/h-1 (118 CFM)
- Pression ultime 1,5 X 10-2 Torr
- Contient uniquement la pompe primaire
- Aucun entretien préventif requis
- Remplissages d'eau à connexion rapide de 3/8 pouces
- Moitiés d'accouplement de connexion d'eau et d'électricité
- Système de refroidissement par eau SS
- Module gaz Varimode
APPLICATIONS:- Verrouillage de la charge
- Transfert
- Météorologie
- Lithographie
- Procédé PVD de dépôt physique en phase vapeur
- Dépôt physique en phase vapeur Pré-nettoyage PVD
- Recuit thermique rapide RTA
- Bande/Cendrage
- Gravure
- Origine de l'implant
- Dépôt chimique en phase vapeur plasma haute densité HDP CVD
- Traitement thermique rapide RTP
- Dépôt chimique en phase vapeur sous-atmosphérique SACVD
- Dépôt chimique en phase vapeur de tungstène WCVD
- Dépôt chimique en phase vapeur modifié MCVD
- Dépôt chimique en phase vapeur assisté par plasma PECVD
- Dépôt chimique en phase vapeur à basse pression LPCVD