理想的な真空シリコン (P タイプ) ピース - Si、100 グラム、純度 99.999 パーセント、ホウ素ドープ、融点 1,410°C、1 - 10 mm ピース、PVD 蒸発材料、シリコン半導体薄膜

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この製品は、1～10 mm の大きさの高純度シリコン (P タイプ) 片 (99.999%) 100 グラム入りのボトルで、PET プラスチックボトルで出荷されます。これらの片の密度は 2.32 g/cc、融点は 1,410°C、蒸気圧は 1,337°C で 10-4 Torr です。熱膨張係数は 2.6 x 10-6/K、Z 比は 0.437 です。

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シリコン（P型）
P 型シリコンは、その半導体特性により、物理蒸着 (PVD) プロセスで使用される重要な材料です。シリコンは、物理的、化学的、電気的、熱的特性を兼ね備えているため、現代のテクノロジーと産業に欠かせない材料となっています。
P 型シリコンは、正電荷キャリア (正孔) を提供する元素がドープされた半導体材料の一種です。このタイプのシリコンは、電気を伝導する能力があるため、さまざまな電子および太陽光発電アプリケーションで不可欠です。薄膜アプリケーションでは、P 型シリコンは、特に太陽電池とトランジスタで重要な役割を果たします。

ドーピング元素: P 型シリコンには通常、ホウ素、アルミニウム、ガリウムなどの周期表のグループ III の元素がドーピングされます。最も一般的に使用されるドーパントはホウ素です。