理想的な真空円形マグネトロンスパッタリングターゲット、銅 - CuスパッタリングターゲットまたはCuバッキングプレート、直径3インチ x 厚さ0.25インチ、純度99.99パーセント

この製品は、直径 3 インチ x 厚さ 0.25 インチの円形マグネトロン銅 - Cu スパッタリング ターゲット、または Cu バッキング プレートです。純度は 99.99% です。

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銅 - Cu

銅 (Cu) スパッタリング ターゲットは、銅の優れた電気的特性と熱的特性により、薄膜堆積によく使用されます。薄膜における銅スパッタリング ターゲットの概要は次のとおりです。

1. 材料特性:
高い電気伝導性: 銅は最も優れた電気伝導体の 1 つであり、マイクロエレクトロニクスや電気アプリケーションの薄膜に最適です。
熱伝導率: 銅は熱伝導率が高いため、放熱が重要な薄膜に適しています。
延性: 銅は延性のある材料であり、機械的に安定し、柔軟性のある薄膜を形成できます。
2. 堆積方法:

DC スパッタリング: 銅は導電性材料であるため、効率的な薄膜堆積には DC マグネトロン スパッタリングが一般的に使用されます。
RF スパッタリング: DC スパッタリングが推奨されますが、交流磁場が必要な特定の用途では RF スパッタリングも使用できます。
反応性スパッタリング: 銅は、酸素などのガスを含む反応性環境でスパッタリングされ、特定の用途向けの銅酸化物 (CuO、Cu2O など) を形成します。

3. 用途:
マイクロエレクトロニクス: 銅は優れた電気伝導性があるため、集積回路、半導体デバイス、薄膜トランジスタの相互接続や電気接点として広く使用されています。
プリント回路基板 (PCB): 銅の薄膜は PCB の製造に不可欠であり、電子部品の導電経路を形成します。
太陽電池: 銅は、一部の薄膜太陽電池の電気接点や、CIGS (銅インジウムガリウムセレン) などの化合物の成分として使用されます。
光学コーティング: 銅は可視光線と赤外線の範囲で高い反射率を持つため、反射コーティングやミラーに使用されることがあります。
ヒートシンクと熱管理: 銅薄膜は、マイクロエレクトロニクスのヒートシンクや熱管理層など、熱伝導性が重要な用途で使用されます。

4. フィルム特性:
高い電気伝導性: 銅薄膜は優れた電気特性を備えているため、電子機器の導電層に最適です。
熱伝導性: 銅フィルムは熱を効率的に放散し、高出力電子機器アプリケーションにおけるデバイスの信頼性と寿命を向上させます。
耐腐食性: 銅フィルムは酸化されやすいため、腐食を防ぐために保護層 (ニッケルやクロムなど) が追加されることがよくあります。
接着性: 銅はさまざまな基板に対して優れた接着性を持っていますが、特定の材料との接着を強化するために接着層 (チタンやクロムなど) が使用されることもあります。
5. 反応性沈着：

銅酸化物 (CuO、Cu2O): 銅は酸素を多く含む環境でスパッタリングして銅酸化物を形成します。銅酸化物は半導体特性があるため、電子機器、センサー、太陽光発電などに応用されています。

6. 課題:
酸化: 銅は、特に空気や湿気があると酸化されやすくなります。これを避けるために、堆積は制御された環境で行われることが多く、追加の保護層が適用される場合もあります。
エレクトロマイグレーション: マイクロエレクトロニクスでは、薄い銅フィルムにエレクトロマイグレーションが発生することがあります。エレクトロマイグレーションとは、電流の影響を受けて原子が移動する現象で、デバイスの故障につながる可能性があります。この影響を軽減するために、バリア層 (タンタルやチタンなど) が使用されます。
拡散: 銅は他の材料、特にシリコンに拡散し、デバイスのパフォーマンスを低下させる可能性があります。これを防ぐために、拡散バリア (タンタルなど) が使用されます。

まとめ：
銅 (Cu) スパッタリング ターゲットは、銅の優れた電気伝導性、熱伝導性、延性により、マイクロエレクトロニクス、太陽電池、光学コーティング、熱管理などの薄膜アプリケーションに不可欠です。DC スパッタリングは銅の堆積に一般的に使用され、反応性スパッタリングは特殊なアプリケーション用の銅酸化物を生成できます。銅薄膜は相互接続、電気接点、熱放散に広く使用されていますが、敏感なアプリケーションでは酸化と拡散を防ぐように注意する必要があります。

注:
すべての誘電体ターゲット材料には、脆さや低い熱伝導率など、スパッタリングに適さない特性があるため、金属またはエラストマーのバッキングプレート接合が推奨されます。これらのターゲットは、熱伝導率が低いため熱衝撃の影響を最も受けやすく、そのため、起動およびシャットダウンの段階で特定の電力増加および減少手順が必要になる場合があります。