Ideal Vacuum PlasmaVAC P50W プラズマ洗浄および除染システム、リモート プラズマ ソース付き。一般的に SEM、TEM、ALD、PVD サンプルおよび基板の準備に使用されます。当社の Ideal Vacuum PlasmaVAC P50W プラズマ洗浄および除染システムは、走査型 (SEM) および透過型 (TEM) 電子顕微鏡サンプルの準備に最適です。プラズマ洗浄は、サンプル表面から有機汚染物質を除去し、画像品質と分析精度を向上させるため、重要なステップです。半導体業界では、SEM と TEM を使用してトランジスタ デバイスの障害を特定および分析しますが、多くの場合、障害の証拠は、デバイスが通常の動作条件下で動作しているときの in-situ テスト中にのみ確認できます。これらの種類の障害を観察するには、トランジスタ デバイスを電子顕微鏡内に取り付けた状態で、電気接続と冷却接続をトランジスタ デバイスに供給する必要があります。これらの要件を考慮して、P50W は 16 x 16 x 16 インチのチャンバー サイズと 2.4 立方フィートの広々とした容積、および大きなサイド真空アクセス ポートを備えています。サイド ポートへのフィードスルー プレートは簡単に追加でき、すべての電気接続と冷却供給ラインを運ぶため、これらすべての部品を 1 つの手順で除染できます。このようにして、真空サイド ポートに取り付けられた完全な in-situ テスト ステージが除染され、SEM または TEM に接続する準備が整います。これにより、電気デバイスを通常の状態で操作し、欠陥を観察できます。 PlasmaVAC P50W は、以下の用途で使用されるサンプルや基板から炭化水素汚染を除去するのに最適です。走査型電子顕微鏡 (SEM)、透過型電子顕微鏡 (TEM)、X 線光電子分光法 (XPS)、X 線分光法 (EDX)、クライオプラズマ集束イオンビーム (Cryo-PFIB)、原子層堆積法 (ALD)、物理蒸着法 (PVD)、極端紫外線リソグラフィー (EUVL)。PlasmaVAC P50W には、XEI Scientific, Inc 製のモデル Evactron E50 E-TC のリモート中空陰極プラズマラジカル除染装置が搭載されています。このソースは、13.56 MHz で 35 ～ 75 ワットの RF 電力を提供し、テスト済みのレシピのライブラリと、電力、サイクル、クリーニングの長さを変更するためのオプションが含まれています。 Evactron E50 E-TC には、2 つのガス入口オプションがあります。半導体業界の SEMI F38-0699 指令の厳しい要件を満たす超高純度ガス入口フィルター (孔サイズ 3 nm) バージョンと、一般的なラボ条件向けの精密フィルター オプション (孔サイズ 0.5 µm) バージョンです。これらのインライン フィルターは、ガス フィードラインからプラズマ ストリームに微粒子が混入するのを防ぎます。テスト済みの代替ガスには、O2、CDA、Ar/H2、Ar/O2、N2/H2、N2 などがあります。安全上の理由から、100% H2 の使用は推奨されません。 PlasmaVAC P50W 表面処理仕様: XEI Scientific 製リモート プラズマ ソース モデル Evactron E50 E-TC 電力は 35 ～ 75 ワットの間で調整可能、最大 50 ワットの連続動作、RF 周波数 13.56 MHz、2 つのガス入口フィルター オプション: 3 nm および 0.5 µm の細孔サイズ、3 nm の細孔サイズは半導体業界の SEMI F38-0699 指令に準拠、O2、CDA、Ar/H2、Ar/O2、N2/H2、および N2 ガスでテスト済み。専用の Evactron ユーザー インターフェイス コントローラ ユーザー設定レシピ、電力、サイクル、クリーニングの長さを保存 前面ビューポート 側面アクセス真空ポート ターボ スロットリング 加熱棚 (60 °C) をプラズマ ソースの下にマウント 加熱棚の距離は 1 インチ単位で調整可能 2 つの追加スロット付き HV ストレージ シェルフ この P50W システムには、Edwards nXR60i ドライ多段ルーツ粗引きポンプと、TC400 コントローラを備えたアンダーマウント Pfeiffer HiPace 300 ターボ ポンプが含まれています。また、大気開放機能と、統合された Inficon MPG400 ピラニと冷陰極反転マグネトロン ゲージの組み合わせも備えています。チャンバーの真空圧の測定値は、コンソールに取り付けられた圧力コントローラで表示され、ユーザーはこのコントローラを使用してターボ ポンプの速度を制御することもできます。トランジスタ デバイスまたはウェーハのプラズマ洗浄を最適に行うために、チャンバーの高い位置に加熱プラテン シェルフが取り付けられています。温度は、コンソールに取り付けられた別のコントローラによって制御され、オペレータの火傷の危険を防ぐために最大 60 °C に制限されています。加熱シェルフは、SEM および TEM サンプルの洗浄に最適な距離に設置されており、必要に応じて他の用途で 1 インチ単位で上下に調整できます。加熱シェルフの下には、高真空保管スペースを追加するための 2 つの追加シェルフがあります。Evactron E50 E-TC リモート プラズマ洗浄システムはチャンバーの天井に組み込まれており、別の Evactron 専用インターフェイス コントローラを使用すると、ユーザーはすべての重要な洗浄パラメータを簡単に変更し、ユーザー レシピを保存できます。チャンバーには、ビューポート付きのヒンジ付きステンレス スチール ドアと、プラズマ アークによって生成される IR および UV 放射からユーザーを保護するためのポリカーボネート フィルターが組み込まれています。この PlasmaVAC 装置には、プラズマ洗浄システムが 1 Torr を超えて動作しないようにするインターロックが含まれています。AutoExplor ソフトウェア オプションを使用すると、ユーザーはシステムを保護しながらリモート コンピュータからデバイスを制御できます。 AutoExplor はポンプを適切にシーケンスし、特定の要求に対して適切なバルブを自動的に操作します。ユーザーは、圧力と温度の設定値、ランプ レート、ソーク時間、およびベントをプログラムできます。ソフトウェアはリアルタイムのグラフィカル データ ストリーミングを提供するため、ユーザーはシステムの動作を視覚化できます。AutoExplor は内部予防保守スケジュールを維持し、ポンプの保守やセンサーのキャリブレーションなどのシステム サービスが予定されているときにユーザーに通知します。これにより、システムを最高の動作パフォーマンスに保つことができます。また、デバイス障害が発生した場合に、問題をできるだけ早く修正できるように、障害およびエラー メッセージと具体的なトラブルシューティング情報も提供します。プラズマ クリーニングは、走査型電子顕微鏡 (SEM) や透過型電子顕微鏡 (TEM) などの顕微鏡で広く使用されている手法で、サンプルの準備と汚染除去に使用されます。サンプル表面から有機汚染物質を効果的に除去し、画像の品質と分析精度を向上させます。SEM および TEM サンプルのプラズマ クリーニングの仕組みは次のとおりです。1. プラズマ クリーニングの原理プラズマ クリーニングでは、高度にイオン化されたガスであるプラズマを使用して汚染物質を除去します。プラズマは、高周波電磁場を低圧ガス (通常は酸素、アルゴン、水素) に適用することで生成されます。このプロセスにより、反応性の高いイオン、電子、中性種が生成されます。 2. 汚染物質の除去プラズマ洗浄プロセスの場合:物理的除去: プラズマ内の高エネルギーイオンがサンプル表面に衝突し、汚染物質を物理的にスパッタリングして除去します。化学反応: プラズマ内の反応性種は、汚染物質と化学的に相互作用します。たとえば、酸素ラジカルは有機物を酸化して、簡単に除去できる揮発性化合物に変えることができます。3. SEM および TEM での用途SEM サンプルの場合:汚染除去: プラズマ洗浄により、指紋、油、空気中の微粒子など、細部を不明瞭にしたり電子ビームを妨害したりする有機残留物が除去されます。画像の改善: 表面を洗浄することで、プラズマ処理により帯電効果が低減し、SEM および TEM 画像の解像度とコントラストが向上します。解像度とコントラストの向上: サンプル表面が清潔であれば、電子とサンプルの相互作用が改善されます。これは、SEM および TEM で高解像度でコントラストの高い画像を実現するために重要です。コーティングの準備: 導電性コーティングを非導電性サンプルに適用する前によく使用され、コーティングがしっかりと付着し、均一になるようにします。4. プラズマ洗浄を使用する利点サンプルに優しい: 化学洗浄法とは異なり、プラズマ洗浄は通常、サンプル表面を破壊しません。高速で効率的: プロセスには、汚染レベルとサンプルサイズに応じて、数分から 1 時間かかります。多用途: 金属、セラミック、生物サンプルなど、さまざまな材料に効果的です。電子顕微鏡、特に走査型電子顕微鏡 (SEM) と透過型電子顕微鏡 (TEM) は、トランジスタ デバイスの障害を特定して分析するための半導体業界の重要なツールです。これらの顕微鏡はナノスケールで高解像度の画像を提供できるため、半導体材料、構造、デバイスを詳細に検査できます。このコンテキストでの電子顕微鏡の使用方法は次のとおりです。1. 高解像度画像SEM: SEM は、トランジスタ デバイスの表面トポグラフィーと構成を視覚化するために使用されます。表面欠陥、層厚のばらつき、トランジスタの故障につながる可能性のある構造異常を特定できます。後方散乱電子 (BSE) モードでは、原子番号のコントラストに基づいて材料を区別できるため、デバイス内の材料の構成と分布を検査するのに役立ちます。TEM: TEM は SEM よりもさらに高い解像度を提供し、原子レベルで画像化できます。これは、結晶格子欠陥、転位、異なる材料間の界面異常など、トランジスタの内部構造を観察するために不可欠です。2. 故障分析欠陥分析: 電子顕微鏡は、それほど強力ではない顕微鏡では見えない欠陥を検出して分析できます。これには、トランジスタ内のボイド、クラック、異物混入が含まれます。材料分析: 電子顕微鏡のエネルギー分散型 X 線分光法 (EDX) 機能を使用して、元素分析を実行し、材料の化学組成を確認できます。これは、汚染や材料の劣化などの問題を理解するのに役立ちます。 3. 障害の特定回路編集とデバッグ: 多くの場合 SEM と組み合わせて使用される集束イオン ビーム (FIB) システムは、回路編集と障害分析に使用されます。特定の場所の材料を削り取ってトランジスタの内部セクションを露出させたり、ナノメートル スケールで回路を修復および変更したりできます。 物理セクショニング: 内部の欠陥または障害の場合、FIB を使用してデバイスの断面を切断できます。これらの断面を SEM または TEM で画像化し、層構造とインターフェイスの品質を分析できます。 4. 電気特性評価SEM の電圧コントラスト: この技術は、半導体デバイスの電気的活動を識別するために使用されます。トランジスタのどの部分が電気的にアクティブで、どの部分がそうでないかを示し、潜在的な障害領域を示します。 5. 動的テストその場テスト: 一部の電子顕微鏡には、動作条件下でデバイスを観察できるその場電気テストを実行できる機能が備わっています。これは、エレクトロマイグレーションや熱劣化などの動的障害メカニズムを特定するのに役立ちます。

XEI Scientific Evactron E50 E-TC 除染リモート プラズマ ソースは、SEM、TEM、ALD、PVD サンプルおよび基板の準備によく使用されます。XEI Scientific Evactron E50 E-TC 除染システムは、Evactron E50 E-TC リモート プラズマ ラジカル ソース (ガス パージ オプション付き)、Evactron E50 E-TC ラック マウント コントローラ、Evactron E50 E-TC タッチパッド インターフェイス、システム ユーザー マニュアル、および Evactron E50 ケーブル セットで構成されています。これらは、走査型 (SEM) および透過型 (TEM) 電子顕微鏡サンプルの準備に最適な製品である、Ideal Vacuum PlasmaVAC P50W プラズマ洗浄および除染システムの統合コンポーネントです。プラズマ洗浄は、サンプル表面から有機汚染物質を除去し、画像品質と分析精度を向上させる重要なステップです。プラズマ洗浄は、以下の用途で使用されるサンプルや基板から炭化水素汚染を除去するために不可欠です。走査型電子顕微鏡 (SEM) 透過型電子顕微鏡 (TEM) X 線光電子分光法 (XPS) X 線分光法 (EDX) クライオプラズマ集束イオンビーム (Cryo-PFIB) 原子層堆積法 (ALD) 物理蒸着法 (PVD) 極端紫外線リソグラフィー (EUVL) Evactron E50 E-TC 表面処理仕様: XEI Scientific のリモート プラズマ ソース モデル Evactron E50 E-TC 35 ～ 75 ワットの間で調整可能な電力 最大 50 ワットの連続動作 13.56 MHz の RF 周波数 2 つのガス入口フィルター オプション: 3 nm および 0.5 µm の細孔サイズ 3 nm の細孔サイズは半導体業界の SEMI F38-0699 指令に準拠しています O2 でテスト済み、 CDA、Ar/H2、Ar/O2、N2/H2、および N2 ガス。専用の Evactron ユーザー インターフェイス コントローラーにユーザー設定レシピ、電力、サイクル、クリーニングの長さを保存プラズマ クリーニングは、走査型電子顕微鏡 (SEM) や透過型電子顕微鏡 (TEM) などの顕微鏡でサンプルの準備と汚染除去に広く使用されている手法です。サンプル表面から有機汚染物質を効果的に除去し、画像の品質と分析精度を向上させます。SEM および TEM サンプルのプラズマ クリーニングの仕組みは次のとおりです。1. プラズマ クリーニングの原理プラズマ クリーニングでは、高度にイオン化されたガスであるプラズマを使用して汚染物質を除去します。プラズマは、低圧ガス (通常は酸素、アルゴン、または水素) に高周波電磁場を適用することによって生成されます。このプロセスにより、反応性の高いイオン、電子、および中性種が生成されます。 2. 汚染物質の除去プラズマ洗浄プロセスでは、次のことが行われます。物理的除去: プラズマ内の高エネルギーイオンがサンプル表面に衝突し、汚染物質を物理的にスパッタリングして除去します。化学反応: プラズマ内の反応性種は、汚染物質と化学的に相互作用します。たとえば、酸素ラジカルは有機物を酸化して、簡単に除去できる揮発性化合物に変えます。3. SEM および TEM での応用SEM サンプルの場合:汚染除去: プラズマ洗浄は、指紋、油、浮遊微粒子などの有機残留物を除去します。これらは、細部を不明瞭にしたり、電子ビームを妨害したりする可能性があります。画像の改善: 表面を洗浄することで、プラズマ処理は帯電効果を減らし、SEM および TEM 画像の解像度とコントラストを向上させます。解像度とコントラストの向上: サンプル表面が清潔であれば、電子とサンプル間の相互作用が向上します。これは、SEM および TEM で高解像度で高コントラストの画像を実現するために重要です。コーティングの準備: 導電性コーティングを非導電性サンプルに塗布する前によく使用され、コーティングがしっかりと付着し、均一になるようにします。 4. プラズマ洗浄を使用する利点サンプルに優しい: 化学洗浄法とは異なり、プラズマ洗浄は一般にサンプル表面を破壊しません。 高速かつ効率的: 汚染レベルとサンプルサイズに応じて、処理には数分から 1 時間かかります。 多用途: 金属、セラミック、生物サンプルなど、さまざまな材料に効果的です。