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Agilent Varian VacIon Plus 20 StarCell 이온 펌프 20 l/s 펌핑 속도, 2.75 in CF 흡입구. PN: 9191145
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Agilent Varian VacIon Plus 20 StarCell 이온 펌프, 20 l/s 펌핑 속도, 2.75인치 컨플랫/CF 흡입구, 페라이트 자석 포함. Agilent Varian 부품 번호 9191145. Agilent Varian VacIon Plus 시리즈 이온 펌프는 초고진공(UHV) 생성 시 고성능, 청결성, 다양한 가스 펌핑 기능, 긴 작동 수명, 진공 압력 판독 기능, 무정비 및 무진동 작동으로 인해 최고 수준입니다. 여기에서는 2.75인치 컨플랫 흡입 플랜지(120VAC 히터 제외)가 있는 Agilent Varian VacIon Plus 20 StarCell 이온 펌프를 제공합니다. VacIon Plus 20 StarCell은 최대 압력이 10-11 Torr 미만이고 최대 베이킹 온도는 최대 350도 C이며 펌핑 속도는 20 l/s입니다. Agilent Varian VacIon Plus 20 StarCell 이온 펌프에 대한 완전한 기술 데이터 및 응용 프로그램 브로셔를 아래에서 PDF 형식으로 다운로드할 수 있습니다. 페라이트 자석이 장착된 이 Agilent Varian VacIon Plus 20 StarCell 이온 펌프의 Agilent Varian 부품 번호는 9191145입니다. 이온 펌프 작동 진공 펌프는 일반적으로 펌핑하는 환경에 존재하는 것보다 낮은 가스 밀도를 자체 내에서 유지하는 것을 기준으로 작동합니다. 이는 분자 흐름 조건에서 분자의 무작위 운동으로 인해 펌프로 순 가스 이동이 발생합니다. 펌프에 들어가면 거의 빠져나가지 않으며 펌프 유형에 따라 변위되거나 포획됩니다. 이온 펌프는 실제로 가스 분자를 대기로 이동시키는 변위 펌프가 아니라 대신 분자를 포획하여 저장합니다. 결과적으로 어느 시점에서 펌프를 수리하거나 교체해야 합니다. 이는 일반적으로 수년간 사용한 후에만 필요합니다. 자세한 정보 일반 이름인 스퍼터 이온 펌프(또는 이온 게터 펌프)는 일부 가스 분자가 이온화되어 스퍼터링 에이전트의 스퍼터링을 유발한다는 사실에서 유래되었습니다. 이 물질은 활성 가스와 화학적으로 반응하여 펌프의 내부 벽에 증착되는 안정된 화합물을 형성합니다. 게터(보통 티타늄)는 해당 물질의 판이나 전극에 의해 제공되며, 이는 고전압의 영향으로 형성된 가스 이온에 의해 스퍼터링되고 침식됩니다. 이러한 전기적 전위는 일반적으로 3,000~7,000 VDC 범위입니다. 외부 영구 자기 회로는 일반적으로 800~2,000G 범위의 자기장을 생성하며, 이는 양극 셀 축과 평행합니다. 양극 셀 구조의 기능은 자기장에 의해 제한되는 고에너지 전자의 "구름"을 포함하는 것입니다. 대부분의 이온화 장치는 같은 방식으로 작동합니다. 가스 분자는 충돌이 발생할 때 고에너지 전자에 의해 폭격을 받습니다. 분자는 하나 이상의 자체 전자를 잃어 양전하 이온으로 남을 수 있습니다. 강한 전기장의 영향으로 이온은 티타늄 음극으로 가속됩니다. 이 충돌의 힘은 원자가 음극에서 방출되어 펌프의 인접한 벽에 "스퍼터링"되기에 충분합니다. 새로 스퍼터링된 티타늄은 매우 반응성이 강하고 활성 가스와 화학적으로 반응합니다. 생성된 화합물은 펌프 요소와 펌프 벽의 표면에 축적됩니다. 활성 가스는 산소, 질소, CO, CO2 및 물과 같은 가스이며, 헬륨, 네온, 아르곤, 크립톤 및 크세논과 같은 비활성 가스는 반응성이 없습니다. 후자는 "이온 매몰"(이온 매몰은 스퍼터링된 게터 원자에 의한 불활성 가스 원자의 "덮어 덮기")에 의해 펌핑됩니다. 이온 펌프를 사용하여 압력을 읽을 수 있는 능력은 펌프 전류와 작동 압력 사이의 직접적인 비례성 때문입니다. 매우 낮은 압력에서 압력 판독의 신뢰성은 누설 전류에 의해 제한되고, 전계 방출로 인한 누설 전류는 펌프에 인가된 전압에 크게 의존합니다. 모든 VacIon Plus 펌프와 함께 사용하도록 설계된 Dual 컨트롤러는 작동 압력에 따라 전압을 조정할 수 있는 고유한 기능을 제공합니다. 이를 통해 저압에서 누설 전류가 최소화되어 10-10 mbar 범위까지 신뢰할 수 있는 압력 판독이 제공됩니다. VacIon Plus 제품군 이온 펌프는 청결성, 다양한 가스를 펌핑하는 기능, 무정비 및 무진동 작동으로 인해 초고진공(UHV)을 생성하는 데 일반적으로 사용됩니다. 긴 작동 수명과 압력 판독 기능은 이온 펌프의 다른 중요한 특징입니다. VacIon Plus 제품군은 이러한 모든 특성을 향상시키도록 설계되었으며, 따라서 모든 이온 펌핑 요구 사항에 가장 진보적이고 가치 있는 솔루션을 제공합니다. 일반적으로 모든 이온 펌프는 어느 정도 모든 가스를 펌핑할 수 있습니다. 최상의 성능과 기본 압력을 얻기 위해 다양한 압력 범위와 다양한 가스에서 최적화된 성능을 제공하는 다양한 유형의 이온 펌프가 개발되었습니다. Agilent Varian의 VacIon Plus는 다이오드, 노블 다이오드, StarCell의 세 가지 다른 요소 중에서 선택할 수 있는 완전한 제품군입니다. 어떤 응용 분야이든 VacIon Plus 펌프는 이를 위해 설계되었습니다. 다이오드 VacIon Plus VacIon Plus 펌프의 다이오드 버전은 산소(O2), 질소(N2), 이산화탄소(CO2), 일산화탄소(CO) 및 기타 수집 가능한 가스에 대한 모든 이온 펌프 중에서 가장 빠른 펌핑 속도를 제공합니다. 수소(H2)에 대해서도 가장 높은 펌핑 속도와 용량을 제공합니다. 간단한 기계적 구조로 매우 낮은 압력에서도 신뢰할 수 있는 전류/압력 판독이 가능하며, 진동 없이 작동합니다. 기하학적 및 전기적 구성으로 전자 검출기 또는 이와 유사한 장치 근처에서 사용할 수 있습니다. 따라서 다이오드 VacIon Plus 펌프는 일반 용도 UHV 시스템, 전자 장치 진공 및 가장 민감한 전자 현미경에서 널리 성공적으로 사용됩니다. 그러나 다이오드는 아르곤(Ar), 헬륨(He), 메탄(CH4)과 같은 비활성 기체를 펌핑해야 하는 응용 분야에는 권장되지 않습니다. Noble Diode VacIon Plus Noble Diode VacIon Plus 소자는 다이오드 소자의 한 버전으로, 티타늄 캐소드 대신 탄탈럼 캐소드를 사용합니다. 이러한 대체는 비활성 기체(주로 아르곤 및 헬륨)를 펌핑할 때 더 높은 펌핑 속도와 안정성을 제공합니다. 이 소자는 다른 면에서는 Diode VacIon Plus와 동일합니다. Noble Diode VacIon Plus 펌프는 비활성 기체의 펌핑이 중요한 특성인 모든 응용 분야에 사용됩니다. 다이오드 구성과 마찬가지로 Noble Diode는 매우 낮은 압력에서 모든 기체에 대해 일관된 펌핑 속도를 유지합니다. 그러나 H2 및 수집 가능한 기체의 펌핑 속도는 해당 다이오드 펌프보다 낮습니다. Noble Diode VacIon Plus는 일반적으로 가스 혼합물을 펌핑해야 하고 압력이 매우 일정한(즉, 갑작스러운 가스 폭발이나 체계적인 고압 사이클링이 없는) UHV 애플리케이션에서 사용됩니다. 매우 낮은 압력에서도 거의 모든 가스에 대해 일관된 속도의 특성으로 인해 이온 펌프만 사용하여 UHV 압력을 얻을 때마다 이상적입니다. 이는 입자 가속기 또는 싱크로트론 링과 표면 분석 애플리케이션에서 종종 발생하는 상황입니다. 애플리케이션에 더 높은 압력으로 사이클링하거나, 많은 양의 H2를 펌핑하거나, 이온 펌프를 티타늄 승화 펌프 또는 비증발 게터와 같은 다른 UHV 펌프와 결합할 때마다 다른 VacIon Plus 버전이 제안됩니다. StarCell VacIon Plus StarCell VacIon Plus 소자는 Triode 구성의 최신 변형입니다. 특허받은 설계로 인해 이 이온 펌프는 많은 양의 귀가스(Noble Diode보다 우수)와 수소(Diode와 유사)를 처리할 수 있는 유일한 펌프입니다. 또한 이 펌프는 메탄, 아르곤, 헬륨에 대해 가장 높은 속도와 용량을 제공합니다. 모든 다른 가스에 대한 높은 총 용량과 비교적 높은 압력에서 매우 우수한 속도 성능으로 인해 StarCell VacIon Plus는 10-8 mbar 이상에서 지속적인 작동이 필요한 응용 분야에 이상적입니다. 여기에는 일반적으로 전자 현미경과 질량 분석기가 포함됩니다. 아르곤, 헬륨, 메탄에 대한 높은 펌핑 속도(모든 압력에서 모든 이온 펌프 중 가장 높음)로 인해 StarCell은 이온 펌프가 티타늄 승화 펌프(TSP) 또는 비증발 게터(NEG) 펌프와 함께 사용되는 모든 응용 분야의 표준이 되었으며, 이러한 경우 펌핑 성능이 향상됩니다. 이러한 조합의 최적화된 특성 덕분에 StarCell VacIon Plus와 TSP/NEG 펌프를 조합하여 가장 낮은 압력을 얻을 수 있었습니다. 대부분의 기존 입자 가속기 및 싱크로트론 소스, 빔 라인, 전송 라인 및 이와 유사한 장치는 이러한 조합을 사용하여 모든 가스 종에 대해 최대 속도를 얻었으며 성공적으로 사용하고 있습니다. 최소화 정보 VacIon Plus 개요 펌핑 속도 주어진 볼륨에서 분자를 제거하는 펌프의 기능을 표현하는 데 사용되는 가장 일반적인 매개변수는 펌핑 속도입니다. 일반적으로 초당 리터로 측정되며 시간 단위당 제거되는 가스의 볼륨(주어진 압력에서)을 나타냅니다. 이온 펌프에서 순 펌핑 효과는 다양한 현상의 합에서 비롯됩니다. 자세한 정보 • 이온 충격에 의한 음극 재료의 스퍼터링으로 생성된 게터 필름의 펌핑 작용.• 이온 이식 및 음극으로의 확산으로 인한 펌핑 작용.• 애노드 및 펌프 벽의 가스 매몰.• 음극 가열 및 침식으로 인한 음극에서의 가스 재방출.수명 이온 펌프가 새 것이거나 예를 들어 베이킹을 통해 재생된 경우 음극의 표면 층은 깨끗하고 가스 재방출은 무시할 수 있습니다. 이 상태에서 이온 펌프는 "불포화"라고 하며 펌핑 효과는 게터링 효과와 이온 이식 및 확산 모두에 기인합니다. 음극에 이식되는 가스 분자의 수가 증가함에 따라 이온 충격으로 인한 재방출이 증가합니다. 결과적으로 순 펌핑 속도는 이온 이식과 가스 재방출 사이의 평형 조건에 도달할 때까지 감소합니다. 이 조건에서 이온 펌프는 "포화"되고 캐소드에서 스퍼터링된 재료의 게터링 작용으로 인한 순 펌핑 속도는 불포화 펌프의 펌핑 속도의 약 절반입니다. 포화 효과는 캐소드에 이식된 가스 분자의 양에 따라 달라지므로 이온 펌프를 포화시키는 데 필요한 시간은 펌프가 작동하는 압력에 반비례합니다. 따라서 압력이 낮을수록 펌프 포화가 발생하기까지 걸리는 시간이 길어집니다. 적절한 베이크아웃 절차(및 그에 따른 펌프 재생)가 있는 이온 펌핑 UHV 시스템에서는 10-11mbar 범위의 압력이 가능합니다. 이 압력에서 이온 펌프는 포화되기 전에 몇 년 동안 더 높은(불포화) 펌핑 속도 값에서 작동합니다. 활성 가스(N2, O2, CO, CO2...) 이러한 가스의 특징은 대부분의 금속과 쉽게 반응하여 안정적인 화합물을 형성하는 능력입니다. 이온 펌프에서 이러한 활성 가스 분자는 캐소드 재료의 스퍼터링으로 생성된 신선한 티타늄 필름과 반응합니다. 이러한 활성 가스 분자는 캐소드에서 깊이 확산되지 않습니다. 캐소드 표면에 갇힌 이러한 분자의 재방출로 인한 포화 효과는 매우 강합니다. 다이오드 및 노블 다이오드 소자는 저압에서 더 높은 펌핑 속도를 보이는 반면 StarCell 소자는 고압에서 더 나은 성능을 보입니다. 수소 수소는 활성 가스이지만 매우 작은 질량으로 인해 스퍼터링 속도가 매우 낮습니다. 이 사실에도 불구하고 H2의 펌핑 속도는 무시할 수 있는 재방출로 캐소드로 빠르게 확산되기 때문에 매우 높습니다. H2를 펌핑할 때 이온 펌프는 항상 불포화 상태에서 작동합니다. 결과적으로 H2의 공칭 속도는 질소에 해당하는 값의 약 2배입니다. 또한 더 무거운 가스의 흔적이 있는 경우 증가된 스퍼터링 속도로 인해 수소 펌핑 속도가 훨씬 더 높아집니다. 다이오드 소자는 탄탈륨 캐소드에서 H2 용해도가 티타늄 캐소드보다 낮기 때문에 노블 다이오드보다 펌핑 속도가 빠릅니다. StarCell 소자는 고압에서의 우수한 성능과 향상된 H2 용량을 결합합니다. 노블 가스(He, Ne, Ar, Kr 및 Xe) 노블 가스는 티타늄에 묻혀 펌핑됩니다. 노블 가스 이온은 에너지를 잃지 않고도 캐소드에서 중성화되고 산란될 수 있습니다. 이러한 중성 원자는 애노드와 펌프 벽에 이식되거나 붙어 스퍼터링된 티타늄에 묻혀 영구적으로 펌핑될 만큼 충분한 에너지를 유지합니다. 다이오드 구성에서 중성화 및 역산란 확률은 매우 작으므로 노블 가스의 펌핑 속도는 N2 펌핑 속도의 작은 비율에 불과합니다. 또한 비교적 높은 아르곤 분압(즉, 10-8 mbar 이상)에서 작동할 때 캐소드에 일시적으로 이식된 아르곤이 재방출되어 압력이 갑자기 폭발하는 현상이 관찰됩니다. 이런 일이 발생한 후 다이오드 펌프는 공급원이 중단될 때까지 더 많은 아르곤을 펌핑할 수 없습니다. 이 현상을 "아르곤 불안정성"이라고 합니다. Noble Diode 소자에서 티타늄 캐소드 하나가 탄탈럼 캐소드로 대체됩니다. 탄탈럼의 높은 핵 질량은 후방 산란 확률을 높이고 결과적으로 귀가스 펌핑 속도를 높입니다. 귀가스 펌핑 속도 측면에서 최상의 결과는 StarCell 소자에서 일반적인 개방형 캐소드 구조를 사용하여 얻을 수 있습니다. 이러한 구성에서 평평한 캐소드 구조는 이온과의 흘려넘기는 충돌을 허용하는 구조로 대체되었습니다. 이들은 중화되고 평평한 캐소드 경우보다 훨씬 높은 확률로 펌프 벽이나 애노드 쪽으로 전방 산란됩니다. 결과적으로 귀가스 펌핑 속도는 N2의 최대 60%가 됩니다. 또한 사용 가능한 모든 티타늄을 최적으로 사용할 수 있는 고유한 설계 덕분에 StarCell 펌프의 작동 수명은 다른 모든 펌프보다 약 50% 더 깁니다. 메탄메탄은 불활성 기체는 아니지만 게터 물질과 반응하지 않습니다. 진공 시스템 벽에 존재하는 수소와 탄소의 반응 생성물로서 UHV 시스템에 항상 어느 정도 존재합니다. 메탄은 빔 붕괴의 주요 원인인 전자 가속기에서 특히 문제가 됩니다. 이온 펌프의 페닝 방전으로 인해 메탄 분자(및 기타 탄화수소 분자)가 분해되어 더 작은 "게터링" 화합물(C, CH3, ... H)로 변환됩니다. 결과적으로 메탄과 경질 탄화수소의 펌핑 속도는 항상 N2의 속도보다 높습니다. 최소화 정보Agilent Varian 품질 제조 청결성모든 시스템에서 매우 낮은 압력(예: 10-11mbar)에 도달하려면 챔버와 펌프의 가스 방출을 최소화해야 합니다. 제대로 세척하지 않으면 이온 펌프 자체가 UHV에서 가스의 원천이 될 수 있습니다. 청결을 보장하기 위해 VacIon Plus 펌프는 본체와 모든 내부 구성품의 철저한 가스 방출을 위해 초고온 진공 상태에서 공장에서 가공됩니다. 이온 펌프 소자의 청결은 지속적인 음극 충격으로 인해 훨씬 더 중요합니다. 표면이나 음극 벌크에 갇힌 가스는 결국 방출됩니다. 자세한 정보 이온 펌프 가스 방출 이온 펌프 가스 방출 시스템은 펌프 본체의 열적 프로세스로, 완전히 컴퓨터로 제어되며 달성된 펌프 사양에 대한 자동 최종 테스트를 제공할 수 있습니다. 펌프의 베이크아웃은 외부 펌프 본체를 산화로부터 보호하기 위해 질소 제어 분위기에서 수행됩니다. 이 시스템은 고유 가스 방출을 제어하여 이온 펌프 내부 표면의 열적 가스 방출 원리를 기반으로 합니다. 따라서 시간이 아니라 압력이 전체 프로세스의 원동력입니다. 베이크아웃 시간은 펌프 구성품의 내부 세척에 따라 달라지며 모든 펌프는 이런 방식으로 동일한 최종 가스 방출 속도와 기본 압력을 갖게 됩니다. 열 공정이 끝나고 실내 온도에 도달하면 RGA가 수행됩니다. 진공 시스템에 배치된 가스 분석기는 펌프에서 탈기된 다양한 가스의 스펙트럼을 제공합니다. H2와 잘 구운 진공 시스템에 일반적으로 존재하는 다른 피크가 허용 수준을 초과하면 펌프를 다시 굽습니다. 그렇지 않으면 펌프를 꼬집어 내고 기본 압력을 모니터링합니다. 기본 압력은 이온 전류 판독을 통해 평가합니다. 전류 감소는 컴퓨터로 모니터링되며 펌프는 기본 전류에 도달한 후에만 배송할 준비가 됩니다. 긴 작동 수명 모든 VacIon Plus 펌프는 1x10-6 mbar(다이오드 펌프의 경우 50,000시간, StarCell의 경우 80,000시간)의 압력에서 수천 시간을 초과하는 정격 수명을 가지고 있습니다. 많은 이온 펌프의 경우 절연체의 금속화 또는 펌핑 소자 변형으로 인해 정격 수명보다 훨씬 일찍 유지 관리가 필요할 수 있습니다. 모든 VacIon Plus 요소는 음극 왜곡을 최소화하도록 설계되었으며(반복적인 베이크아웃 및 고압에서 시작한 후에도) 절연체는 이중 리엔트런트 디자인과 캡 실드를 사용하여 스퍼터링 티타늄으로부터 보호됩니다. 최소화 정보

상태: 새로운



부품 번호: P105785



가격: ₩3,141,622.91


정가: ₩4,005,306.25




통화: South Korean Won (KRW)

Agilent Varian VacIon Plus 40 StarCell 이온 펌프 34 l/s 펌핑 속도 2.75 in CF 입구. PN: 9191240
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1
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예상 도착 1 on 2025-02-07


Agilent Varian VacIon Plus 40 StarCell 이온 펌프, 34 l/s 펌핑 속도, 자석 설치, 2.75인치 컨플랫/CF 흡입구. Agilent Varian 부품 번호 9191240. Agilent Varian VacIon Plus 시리즈 이온 펌프는 초고진공(UHV) 생성에 대한 고성능, 청결성, 다양한 가스 펌핑 기능, 긴 작동 수명, 진공 압력 판독 기능, 무정비 및 무진동 작동으로 인해 최고 수준입니다. 여기에서는 2.75인치 컨플랫 흡입 플랜지(120VAC 히터 제외)가 있는 Agilent Varian VacIon Plus 40 StarCell 이온 펌프를 제공합니다. VacIon Plus 40 StarCell은 10-11 Torr 미만의 궁극 압력, 최대 350도 C의 최대 베이킹 온도, 34 l/s 펌핑 속도를 제공합니다. Agilent Varian VacIon Plus 40 StarCell 이온 펌프에 대한 완전한 기술 데이터 및 응용 프로그램 브로셔를 아래에서 PDF 형식으로 다운로드할 수 있습니다. 자석이 설치된 이 Agilent Varian VacIon Plus 40 StarCell 이온 펌프의 Agilent Varian 부품 번호는 9191240입니다.

상태: 새로운



부품 번호: P105784



가격: ₩3,949,231.96


정가: ₩5,033,450.95




통화: South Korean Won (KRW)

Agilent Varian VacIon Plus 55 StarCell 이온 펌프, 50 l/s 펌핑 속도, 4.5in CF 입구. PN: 9191340
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2


Agilent Varian VacIon Plus 55 StarCell 이온 펌프, 50 l/s 펌핑 속도, 자석 설치, 4.5인치 컨플랫/CF 흡입구. Agilent Varian 부품 번호 9191340. Agilent Varian VacIon Plus 시리즈 이온 펌프는 초고진공(UHV) 생성 시 고성능, 청결성, 다양한 가스 펌핑 기능, 긴 작동 수명, 진공 압력 판독 기능, 무정비 및 무진동 작동으로 인해 최고 수준입니다. 여기에서는 4.5인치 컨플랫 흡입 플랜지(120VAC 히터 제외)가 있는 Agilent Varian VacIon Plus 55 StarCell 이온 펌프를 제공합니다. VacIon Plus 55 StarCell은 10-11 Torr 미만의 최대 압력, 최대 베이킹 온도는 최대 350도 C, 펌핑 속도는 50 l/s입니다. Agilent Varian VacIon Plus 55 StarCell 이온 펌프에 대한 완전한 기술 데이터 및 응용 프로그램 브로셔를 아래에서 PDF 형식으로 다운로드할 수 있습니다. 자석이 설치된 이 Agilent Varian VacIon Plus 55 StarCell 이온 펌프의 Agilent Varian 부품 번호는 9191430입니다. 이온 펌프 작동 진공 펌프는 일반적으로 펌핑하는 환경에 존재하는 것보다 낮은 가스 밀도를 자체 내에서 유지하는 것을 기준으로 작동합니다. 이는 분자 흐름 조건에서 분자의 무작위 운동으로 인해 펌프로 순 가스 이동이 발생합니다. 펌프에 들어가면 거의 빠져나가지 않으며 펌프 유형에 따라 변위되거나 포획됩니다. 이온 펌프는 실제로 가스 분자를 대기로 이동시키는 변위 펌프가 아니라 대신 분자를 포획하여 저장합니다. 결과적으로 어느 시점에서 펌프를 수리하거나 교체해야 합니다. 이는 일반적으로 수년간 사용한 후에만 필요합니다. 자세한 정보 일반 이름인 스퍼터 이온 펌프(또는 이온 게터 펌프)는 일부 가스 분자가 이온화되어 스퍼터링 에이전트의 스퍼터링을 유발한다는 사실에서 유래되었습니다. 이 물질은 활성 가스와 화학적으로 반응하여 펌프의 내부 벽에 증착되는 안정된 화합물을 형성합니다. 게터(보통 티타늄)는 해당 물질의 판이나 전극에 의해 제공되며, 이는 고전압의 영향으로 형성된 가스 이온에 의해 스퍼터링되고 침식됩니다. 이러한 전기적 전위는 일반적으로 3,000~7,000 VDC 범위입니다. 외부 영구 자기 회로는 일반적으로 800~2,000G 범위의 자기장을 생성하며, 이는 양극 셀 축과 평행합니다. 양극 셀 구조의 기능은 자기장에 의해 제한되는 고에너지 전자의 "구름"을 포함하는 것입니다. 대부분의 이온화 장치는 같은 방식으로 작동합니다. 가스 분자는 충돌이 발생할 때 고에너지 전자에 의해 폭격을 받습니다. 분자는 하나 이상의 자체 전자를 잃어 양전하 이온으로 남을 수 있습니다. 강한 전기장의 영향으로 이온은 티타늄 음극으로 가속됩니다. 이 충돌의 힘은 원자가 음극에서 방출되어 펌프의 인접한 벽에 "스퍼터링"되기에 충분합니다. 새로 스퍼터링된 티타늄은 매우 반응성이 강하고 활성 가스와 화학적으로 반응합니다. 생성된 화합물은 펌프 요소와 펌프 벽의 표면에 축적됩니다. 활성 가스는 산소, 질소, CO, CO2 및 물과 같은 가스이며, 헬륨, 네온, 아르곤, 크립톤 및 크세논과 같은 비활성 가스는 반응성이 없습니다. 후자는 "이온 매몰"(이온 매몰은 스퍼터링된 게터 원자에 의한 불활성 가스 원자의 "덮어 덮기")에 의해 펌핑됩니다. 이온 펌프를 사용하여 압력을 읽을 수 있는 능력은 펌프 전류와 작동 압력 사이의 직접적인 비례성 때문입니다. 매우 낮은 압력에서 압력 판독의 신뢰성은 누설 전류에 의해 제한되고, 전계 방출로 인한 누설 전류는 펌프에 인가된 전압에 크게 의존합니다. 모든 VacIon Plus 펌프와 함께 사용하도록 설계된 Dual 컨트롤러는 작동 압력에 따라 전압을 조정할 수 있는 고유한 기능을 제공합니다. 이를 통해 저압에서 누설 전류가 최소화되어 10-10 mbar 범위까지 신뢰할 수 있는 압력 판독이 제공됩니다. VacIon Plus 제품군 이온 펌프는 청결성, 다양한 가스를 펌핑하는 기능, 무정비 및 무진동 작동으로 인해 초고진공(UHV)을 생성하는 데 일반적으로 사용됩니다. 긴 작동 수명과 압력 판독 기능은 이온 펌프의 다른 중요한 특징입니다. VacIon Plus 제품군은 이러한 모든 특성을 향상시키도록 설계되었으며, 따라서 모든 이온 펌핑 요구 사항에 가장 진보적이고 가치 있는 솔루션을 제공합니다. 일반적으로 모든 이온 펌프는 어느 정도 모든 가스를 펌핑할 수 있습니다. 최상의 성능과 기본 압력을 얻기 위해 다양한 압력 범위와 다양한 가스에서 최적화된 성능을 제공하는 다양한 유형의 이온 펌프가 개발되었습니다. Agilent Varian의 VacIon Plus는 다이오드, 노블 다이오드, StarCell의 세 가지 다른 요소 중에서 선택할 수 있는 완전한 제품군입니다. 어떤 응용 분야이든 VacIon Plus 펌프는 이를 위해 설계되었습니다. 다이오드 VacIon Plus VacIon Plus 펌프의 다이오드 버전은 산소(O2), 질소(N2), 이산화탄소(CO2), 일산화탄소(CO) 및 기타 수집 가능한 가스에 대한 모든 이온 펌프 중에서 가장 빠른 펌핑 속도를 제공합니다. 수소(H2)에 대해서도 가장 높은 펌핑 속도와 용량을 제공합니다. 간단한 기계적 구조로 매우 낮은 압력에서도 신뢰할 수 있는 전류/압력 판독이 가능하며, 진동 없이 작동합니다. 기하학적 및 전기적 구성으로 전자 검출기 또는 이와 유사한 장치 근처에서 사용할 수 있습니다. 따라서 다이오드 VacIon Plus 펌프는 일반 용도 UHV 시스템, 전자 장치 진공 및 가장 민감한 전자 현미경에서 널리 성공적으로 사용됩니다. 그러나 다이오드는 아르곤(Ar), 헬륨(He), 메탄(CH4)과 같은 비활성 기체를 펌핑해야 하는 응용 분야에는 권장되지 않습니다. Noble Diode VacIon Plus Noble Diode VacIon Plus 소자는 다이오드 소자의 한 버전으로, 티타늄 캐소드 대신 탄탈럼 캐소드를 사용합니다. 이러한 대체는 비활성 기체(주로 아르곤 및 헬륨)를 펌핑할 때 더 높은 펌핑 속도와 안정성을 제공합니다. 이 소자는 다른 면에서는 Diode VacIon Plus와 동일합니다. Noble Diode VacIon Plus 펌프는 비활성 기체의 펌핑이 중요한 특성인 모든 응용 분야에 사용됩니다. 다이오드 구성과 마찬가지로 Noble Diode는 매우 낮은 압력에서 모든 기체에 대해 일관된 펌핑 속도를 유지합니다. 그러나 H2 및 수집 가능한 기체의 펌핑 속도는 해당 다이오드 펌프보다 낮습니다. Noble Diode VacIon Plus는 일반적으로 가스 혼합물을 펌핑해야 하고 압력이 매우 일정한(즉, 갑작스러운 가스 폭발이나 체계적인 고압 사이클링이 없는) UHV 애플리케이션에서 사용됩니다. 매우 낮은 압력에서도 거의 모든 가스에 대해 일관된 속도의 특성으로 인해 이온 펌프만 사용하여 UHV 압력을 얻을 때마다 이상적입니다. 이는 입자 가속기 또는 싱크로트론 링과 표면 분석 애플리케이션에서 종종 발생하는 상황입니다. 애플리케이션에 더 높은 압력으로 사이클링하거나, 많은 양의 H2를 펌핑하거나, 이온 펌프를 티타늄 승화 펌프 또는 비증발 게터와 같은 다른 UHV 펌프와 결합할 때마다 다른 VacIon Plus 버전이 제안됩니다. StarCell VacIon Plus StarCell VacIon Plus 소자는 Triode 구성의 최신 변형입니다. 특허받은 설계로 인해 이 이온 펌프는 많은 양의 귀가스(Noble Diode보다 우수)와 수소(Diode와 유사)를 처리할 수 있는 유일한 펌프입니다. 또한 이 펌프는 메탄, 아르곤, 헬륨에 대해 가장 높은 속도와 용량을 제공합니다. 모든 다른 가스에 대한 높은 총 용량과 비교적 높은 압력에서 매우 우수한 속도 성능으로 인해 StarCell VacIon Plus는 10-8 mbar 이상에서 지속적인 작동이 필요한 응용 분야에 이상적입니다. 여기에는 일반적으로 전자 현미경과 질량 분석기가 포함됩니다. 아르곤, 헬륨, 메탄에 대한 높은 펌핑 속도(모든 압력에서 모든 이온 펌프 중 가장 높음)로 인해 StarCell은 이온 펌프가 티타늄 승화 펌프(TSP) 또는 비증발 게터(NEG) 펌프와 함께 사용되는 모든 응용 분야의 표준이 되었으며, 이러한 경우 펌핑 성능이 향상됩니다. 이러한 조합의 최적화된 특성 덕분에 StarCell VacIon Plus와 TSP/NEG 펌프를 조합하여 가장 낮은 압력을 얻을 수 있었습니다. 대부분의 기존 입자 가속기 및 싱크로트론 소스, 빔 라인, 전송 라인 및 이와 유사한 장치는 이러한 조합을 사용하여 모든 가스 종에 대해 최대 속도를 얻었으며 성공적으로 사용하고 있습니다. 최소화 정보 VacIon Plus 개요 펌핑 속도 주어진 볼륨에서 분자를 제거하는 펌프의 기능을 표현하는 데 사용되는 가장 일반적인 매개변수는 펌핑 속도입니다. 일반적으로 초당 리터로 측정되며 시간 단위당 제거되는 가스의 볼륨(주어진 압력에서)을 나타냅니다. 이온 펌프에서 순 펌핑 효과는 다양한 현상의 합에서 비롯됩니다. 자세한 정보 • 이온 충격에 의한 음극 재료의 스퍼터링으로 생성된 게터 필름의 펌핑 작용.• 이온 이식 및 음극으로의 확산으로 인한 펌핑 작용.• 애노드 및 펌프 벽의 가스 매몰.• 음극 가열 및 침식으로 인한 음극에서의 가스 재방출.수명 이온 펌프가 새 것이거나 예를 들어 베이킹을 통해 재생된 경우 음극의 표면 층은 깨끗하고 가스 재방출은 무시할 수 있습니다. 이 상태에서 이온 펌프는 "불포화"라고 하며 펌핑 효과는 게터링 효과와 이온 이식 및 확산 모두에 기인합니다. 음극에 이식되는 가스 분자의 수가 증가함에 따라 이온 충격으로 인한 재방출이 증가합니다. 결과적으로 순 펌핑 속도는 이온 이식과 가스 재방출 사이의 평형 조건에 도달할 때까지 감소합니다. 이 조건에서 이온 펌프는 "포화"되고 캐소드에서 스퍼터링된 재료의 게터링 작용으로 인한 순 펌핑 속도는 불포화 펌프의 펌핑 속도의 약 절반입니다. 포화 효과는 캐소드에 이식된 가스 분자의 양에 따라 달라지므로 이온 펌프를 포화시키는 데 필요한 시간은 펌프가 작동하는 압력에 반비례합니다. 따라서 압력이 낮을수록 펌프 포화가 발생하기까지 걸리는 시간이 길어집니다. 적절한 베이크아웃 절차(및 그에 따른 펌프 재생)가 있는 이온 펌핑 UHV 시스템에서는 10-11mbar 범위의 압력이 가능합니다. 이 압력에서 이온 펌프는 포화되기 전에 몇 년 동안 더 높은(불포화) 펌핑 속도 값에서 작동합니다. 활성 가스(N2, O2, CO, CO2...) 이러한 가스의 특징은 대부분의 금속과 쉽게 반응하여 안정적인 화합물을 형성하는 능력입니다. 이온 펌프에서 이러한 활성 가스 분자는 캐소드 재료의 스퍼터링으로 생성된 신선한 티타늄 필름과 반응합니다. 이러한 활성 가스 분자는 캐소드에서 깊이 확산되지 않습니다. 캐소드 표면에 갇힌 이러한 분자의 재방출로 인한 포화 효과는 매우 강합니다. 다이오드 및 노블 다이오드 소자는 저압에서 더 높은 펌핑 속도를 보이는 반면 StarCell 소자는 고압에서 더 나은 성능을 보입니다. 수소 수소는 활성 가스이지만 매우 작은 질량으로 인해 스퍼터링 속도가 매우 낮습니다. 이 사실에도 불구하고 H2의 펌핑 속도는 무시할 수 있는 재방출로 캐소드로 빠르게 확산되기 때문에 매우 높습니다. H2를 펌핑할 때 이온 펌프는 항상 불포화 상태에서 작동합니다. 결과적으로 H2의 공칭 속도는 질소에 해당하는 값의 약 2배입니다. 또한 더 무거운 가스의 흔적이 있는 경우 증가된 스퍼터링 속도로 인해 수소 펌핑 속도가 훨씬 더 높아집니다. 다이오드 소자는 탄탈륨 캐소드에서 H2 용해도가 티타늄 캐소드보다 낮기 때문에 노블 다이오드보다 펌핑 속도가 빠릅니다. StarCell 소자는 고압에서의 우수한 성능과 향상된 H2 용량을 결합합니다. 노블 가스(He, Ne, Ar, Kr 및 Xe) 노블 가스는 티타늄에 묻혀 펌핑됩니다. 노블 가스 이온은 에너지를 잃지 않고도 캐소드에서 중성화되고 산란될 수 있습니다. 이러한 중성 원자는 애노드와 펌프 벽에 이식되거나 붙어 스퍼터링된 티타늄에 묻혀 영구적으로 펌핑될 만큼 충분한 에너지를 유지합니다. 다이오드 구성에서 중성화 및 역산란 확률은 매우 작으므로 노블 가스의 펌핑 속도는 N2 펌핑 속도의 작은 비율에 불과합니다. 또한 비교적 높은 아르곤 분압(즉, 10-8 mbar 이상)에서 작동할 때 캐소드에 일시적으로 이식된 아르곤이 재방출되어 압력이 갑자기 폭발하는 현상이 관찰됩니다. 이런 일이 발생한 후 다이오드 펌프는 공급원이 중단될 때까지 더 많은 아르곤을 펌핑할 수 없습니다. 이 현상을 "아르곤 불안정성"이라고 합니다. Noble Diode 소자에서 티타늄 캐소드 하나가 탄탈럼 캐소드로 대체됩니다. 탄탈럼의 높은 핵 질량은 후방 산란 확률을 높이고 결과적으로 귀가스 펌핑 속도를 높입니다. 귀가스 펌핑 속도 측면에서 최상의 결과는 StarCell 소자에서 일반적인 개방형 캐소드 구조를 사용하여 얻을 수 있습니다. 이러한 구성에서 평평한 캐소드 구조는 이온과의 흘려넘기는 충돌을 허용하는 구조로 대체되었습니다. 이들은 중화되고 평평한 캐소드 경우보다 훨씬 높은 확률로 펌프 벽이나 애노드 쪽으로 전방 산란됩니다. 결과적으로 귀가스 펌핑 속도는 N2의 최대 60%가 됩니다. 또한 사용 가능한 모든 티타늄을 최적으로 사용할 수 있는 고유한 설계 덕분에 StarCell 펌프의 작동 수명은 다른 모든 펌프보다 약 50% 더 깁니다. 메탄메탄은 불활성 기체는 아니지만 게터 물질과 반응하지 않습니다. 진공 시스템 벽에 존재하는 수소와 탄소의 반응 생성물로서 UHV 시스템에 항상 어느 정도 존재합니다. 메탄은 빔 붕괴의 주요 원인인 전자 가속기에서 특히 문제가 됩니다. 이온 펌프의 페닝 방전으로 인해 메탄 분자(및 기타 탄화수소 분자)가 분해되어 더 작은 "게터링" 화합물(C, CH3, ... H)로 변환됩니다. 결과적으로 메탄과 경질 탄화수소의 펌핑 속도는 항상 N2의 속도보다 높습니다. 최소화 정보Agilent Varian 품질 제조 청결성모든 시스템에서 매우 낮은 압력(예: 10-11mbar)에 도달하려면 챔버와 펌프의 가스 방출을 최소화해야 합니다. 제대로 세척하지 않으면 이온 펌프 자체가 UHV에서 가스의 원천이 될 수 있습니다. 청결을 보장하기 위해 VacIon Plus 펌프는 본체와 모든 내부 구성품의 철저한 가스 방출을 위해 초고온 진공 상태에서 공장에서 가공됩니다. 이온 펌프 소자의 청결은 지속적인 음극 충격으로 인해 훨씬 더 중요합니다. 표면이나 음극 벌크에 갇힌 가스는 결국 방출됩니다. 자세한 정보 이온 펌프 가스 방출 이온 펌프 가스 방출 시스템은 펌프 본체의 열적 프로세스로, 완전히 컴퓨터로 제어되며 달성된 펌프 사양에 대한 자동 최종 테스트를 제공할 수 있습니다. 펌프의 베이크아웃은 외부 펌프 본체를 산화로부터 보호하기 위해 질소 제어 분위기에서 수행됩니다. 이 시스템은 고유 가스 방출을 제어하여 이온 펌프 내부 표면의 열적 가스 방출 원리를 기반으로 합니다. 따라서 시간이 아니라 압력이 전체 프로세스의 원동력입니다. 베이크아웃 시간은 펌프 구성품의 내부 세척에 따라 달라지며 모든 펌프는 이런 방식으로 동일한 최종 가스 방출 속도와 기본 압력을 갖게 됩니다. 열 공정이 끝나고 실내 온도에 도달하면 RGA가 수행됩니다. 진공 시스템에 배치된 가스 분석기는 펌프에서 탈기된 다양한 가스의 스펙트럼을 제공합니다. H2와 잘 구운 진공 시스템에 일반적으로 존재하는 다른 피크가 허용 수준을 초과하면 펌프를 다시 굽습니다. 그렇지 않으면 펌프를 꼬집어 내고 기본 압력을 모니터링합니다. 기본 압력은 이온 전류 판독을 통해 평가합니다. 전류 감소는 컴퓨터로 모니터링되며 펌프는 기본 전류에 도달한 후에만 배송할 준비가 됩니다. 긴 작동 수명 모든 VacIon Plus 펌프는 1x10-6 mbar(다이오드 펌프의 경우 50,000시간, StarCell의 경우 80,000시간)의 압력에서 수천 시간을 초과하는 정격 수명을 가지고 있습니다. 많은 이온 펌프의 경우 절연체의 금속화 또는 펌핑 소자 변형으로 인해 정격 수명보다 훨씬 일찍 유지 관리가 필요할 수 있습니다. 모든 VacIon Plus 요소는 음극 왜곡을 최소화하도록 설계되었으며(반복적인 베이크아웃 및 고압에서 시작한 후에도) 절연체는 이중 리엔트런트 디자인과 캡 실드를 사용하여 스퍼터링 티타늄으로부터 보호됩니다. 최소화 정보

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Agilent Varian VacIon Plus 75 StarCell 이온 펌프, 65 l/s 펌핑 속도, 6 in CF 입구. PN: 9191440
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Agilent Varian VacIon Plus 75 StarCell 이온 펌프, 65 l/s 펌핑 속도, 자석 설치, 6인치 CF 흡입구. Agilent Varian 부품 번호 9191440. Agilent Varian VacIon Plus 시리즈 이온 펌프는 초고진공(UHV) 생성에 대한 고성능, 청결성, 다양한 가스 펌핑 기능, 긴 작동 수명, 진공 압력 판독 기능, 무정비 및 무진동 작동으로 인해 최고 수준입니다. 여기에서는 6인치 컨플랫 흡입 플랜지(120VAC 히터는 포함되지 않음)가 있는 Agilent Varian VacIon Plus 75 StarCell 이온 펌프를 제공합니다. VacIon Plus 75 StarCell은 10-11 Torr 미만의 궁극 압력, 최대 베이킹 온도는 최대 350도 C, 75 l/s 펌핑 속도를 제공합니다. Agilent Varian VacIon Plus 75 StarCell 이온 펌프에 대한 완전한 기술 데이터 및 응용 프로그램 브로셔를 아래에서 PDF 형식으로 다운로드할 수 있습니다. 자석이 설치된 이 Agilent Varian VacIon Plus 75 StarCell 이온 펌프의 Agilent Varian 부품 번호는 9191440입니다. 이온 펌프 작동 진공 펌프는 일반적으로 펌핑하는 환경에 존재하는 것보다 낮은 가스 밀도를 자체 내에서 유지하는 것을 기준으로 작동합니다. 이는 분자 흐름 조건에서 분자의 무작위 운동으로 인해 펌프로 순 가스 이동이 발생합니다. 펌프에 들어가면 거의 빠져나가지 않으며 펌프 유형에 따라 변위되거나 포획됩니다. 이온 펌프는 실제로 가스 분자를 대기로 이동시키는 변위 펌프가 아니라 대신 분자를 포획하여 저장합니다. 결과적으로 어느 시점에서 펌프를 수리하거나 교체해야 합니다. 이는 일반적으로 수년간 사용한 후에만 필요합니다. 자세한 정보 일반 이름인 스퍼터 이온 펌프(또는 이온 게터 펌프)는 일부 가스 분자가 이온화되어 스퍼터링 에이전트의 스퍼터링을 유발한다는 사실에서 유래되었습니다. 이 물질은 활성 가스와 화학적으로 반응하여 펌프의 내부 벽에 증착되는 안정된 화합물을 형성합니다. 게터(보통 티타늄)는 해당 물질의 판이나 전극에 의해 제공되며, 이는 고전압의 영향으로 형성된 가스 이온에 의해 스퍼터링되고 침식됩니다. 이러한 전기적 전위는 일반적으로 3,000~7,000 VDC 범위입니다. 외부 영구 자기 회로는 일반적으로 800~2,000G 범위의 자기장을 생성하며, 이는 양극 셀 축과 평행합니다. 양극 셀 구조의 기능은 자기장에 의해 제한되는 고에너지 전자의 "구름"을 포함하는 것입니다. 대부분의 이온화 장치는 같은 방식으로 작동합니다. 가스 분자는 충돌이 발생할 때 고에너지 전자에 의해 폭격을 받습니다. 분자는 하나 이상의 자체 전자를 잃어 양전하 이온으로 남을 수 있습니다. 강한 전기장의 영향으로 이온은 티타늄 음극으로 가속됩니다. 이 충돌의 힘은 원자가 음극에서 방출되어 펌프의 인접한 벽에 "스퍼터링"되기에 충분합니다. 새로 스퍼터링된 티타늄은 매우 반응성이 강하고 활성 가스와 화학적으로 반응합니다. 생성된 화합물은 펌프 요소와 펌프 벽의 표면에 축적됩니다. 활성 가스는 산소, 질소, CO, CO2 및 물과 같은 가스이며, 헬륨, 네온, 아르곤, 크립톤 및 크세논과 같은 비활성 가스는 반응성이 없습니다. 후자는 "이온 매몰"(이온 매몰은 스퍼터링된 게터 원자에 의한 불활성 가스 원자의 "덮어 덮기")에 의해 펌핑됩니다. 이온 펌프를 사용하여 압력을 읽을 수 있는 능력은 펌프 전류와 작동 압력 사이의 직접적인 비례성 때문입니다. 매우 낮은 압력에서 압력 판독의 신뢰성은 누설 전류에 의해 제한되고, 전계 방출로 인한 누설 전류는 펌프에 인가된 전압에 크게 의존합니다. 모든 VacIon Plus 펌프와 함께 사용하도록 설계된 Dual 컨트롤러는 작동 압력에 따라 전압을 조정할 수 있는 고유한 기능을 제공합니다. 이를 통해 저압에서 누설 전류가 최소화되어 10-10 mbar 범위까지 신뢰할 수 있는 압력 판독이 제공됩니다. VacIon Plus 제품군 이온 펌프는 청결성, 다양한 가스를 펌핑하는 기능, 무정비 및 무진동 작동으로 인해 초고진공(UHV)을 생성하는 데 일반적으로 사용됩니다. 긴 작동 수명과 압력 판독 기능은 이온 펌프의 다른 중요한 특징입니다. VacIon Plus 제품군은 이러한 모든 특성을 향상시키도록 설계되었으며, 따라서 모든 이온 펌핑 요구 사항에 가장 진보적이고 가치 있는 솔루션을 제공합니다. 일반적으로 모든 이온 펌프는 어느 정도 모든 가스를 펌핑할 수 있습니다. 최상의 성능과 기본 압력을 얻기 위해 다양한 압력 범위와 다양한 가스에서 최적화된 성능을 제공하는 다양한 유형의 이온 펌프가 개발되었습니다. Agilent Varian의 VacIon Plus는 다이오드, 노블 다이오드, StarCell의 세 가지 다른 요소 중에서 선택할 수 있는 완전한 제품군입니다. 어떤 응용 분야이든 VacIon Plus 펌프는 이를 위해 설계되었습니다. 다이오드 VacIon Plus VacIon Plus 펌프의 다이오드 버전은 산소(O2), 질소(N2), 이산화탄소(CO2), 일산화탄소(CO) 및 기타 수집 가능한 가스에 대한 모든 이온 펌프 중에서 가장 빠른 펌핑 속도를 제공합니다. 수소(H2)에 대해서도 가장 높은 펌핑 속도와 용량을 제공합니다. 간단한 기계적 구조로 매우 낮은 압력에서도 신뢰할 수 있는 전류/압력 판독이 가능하며, 진동 없이 작동합니다. 기하학적 및 전기적 구성으로 전자 검출기 또는 이와 유사한 장치 근처에서 사용할 수 있습니다. 따라서 다이오드 VacIon Plus 펌프는 일반 용도 UHV 시스템, 전자 장치 진공 및 가장 민감한 전자 현미경에서 널리 성공적으로 사용됩니다. 그러나 다이오드는 아르곤(Ar), 헬륨(He), 메탄(CH4)과 같은 비활성 기체를 펌핑해야 하는 응용 분야에는 권장되지 않습니다. Noble Diode VacIon Plus Noble Diode VacIon Plus 소자는 다이오드 소자의 한 버전으로, 티타늄 캐소드 대신 탄탈럼 캐소드를 사용합니다. 이러한 대체는 비활성 기체(주로 아르곤 및 헬륨)를 펌핑할 때 더 높은 펌핑 속도와 안정성을 제공합니다. 이 소자는 다른 면에서는 Diode VacIon Plus와 동일합니다. Noble Diode VacIon Plus 펌프는 비활성 기체의 펌핑이 중요한 특성인 모든 응용 분야에 사용됩니다. 다이오드 구성과 마찬가지로 Noble Diode는 매우 낮은 압력에서 모든 기체에 대해 일관된 펌핑 속도를 유지합니다. 그러나 H2 및 수집 가능한 기체의 펌핑 속도는 해당 다이오드 펌프보다 낮습니다. Noble Diode VacIon Plus는 일반적으로 가스 혼합물을 펌핑해야 하고 압력이 매우 일정한(즉, 갑작스러운 가스 폭발이나 체계적인 고압 사이클링이 없는) UHV 애플리케이션에서 사용됩니다. 매우 낮은 압력에서도 거의 모든 가스에 대해 일관된 속도의 특성으로 인해 이온 펌프만 사용하여 UHV 압력을 얻을 때마다 이상적입니다. 이는 입자 가속기 또는 싱크로트론 링과 표면 분석 애플리케이션에서 종종 발생하는 상황입니다. 애플리케이션에 더 높은 압력으로 사이클링하거나, 많은 양의 H2를 펌핑하거나, 이온 펌프를 티타늄 승화 펌프 또는 비증발 게터와 같은 다른 UHV 펌프와 결합할 때마다 다른 VacIon Plus 버전이 제안됩니다. StarCell VacIon Plus StarCell VacIon Plus 소자는 Triode 구성의 최신 변형입니다. 특허받은 설계로 인해 이 이온 펌프는 많은 양의 귀가스(Noble Diode보다 우수)와 수소(Diode와 유사)를 처리할 수 있는 유일한 펌프입니다. 또한 이 펌프는 메탄, 아르곤, 헬륨에 대해 가장 높은 속도와 용량을 제공합니다. 모든 다른 가스에 대한 높은 총 용량과 비교적 높은 압력에서 매우 우수한 속도 성능으로 인해 StarCell VacIon Plus는 10-8 mbar 이상에서 지속적인 작동이 필요한 응용 분야에 이상적입니다. 여기에는 일반적으로 전자 현미경과 질량 분석기가 포함됩니다. 아르곤, 헬륨, 메탄에 대한 높은 펌핑 속도(모든 압력에서 모든 이온 펌프 중 가장 높음)로 인해 StarCell은 이온 펌프가 티타늄 승화 펌프(TSP) 또는 비증발 게터(NEG) 펌프와 함께 사용되는 모든 응용 분야의 표준이 되었으며, 이러한 경우 펌핑 성능이 향상됩니다. 이러한 조합의 최적화된 특성 덕분에 StarCell VacIon Plus와 TSP/NEG 펌프를 조합하여 가장 낮은 압력을 얻을 수 있었습니다. 대부분의 기존 입자 가속기 및 싱크로트론 소스, 빔 라인, 전송 라인 및 이와 유사한 장치는 이러한 조합을 사용하여 모든 가스 종에 대해 최대 속도를 얻었으며 성공적으로 사용하고 있습니다. 최소화 정보 VacIon Plus 개요 펌핑 속도 주어진 볼륨에서 분자를 제거하는 펌프의 기능을 표현하는 데 사용되는 가장 일반적인 매개변수는 펌핑 속도입니다. 일반적으로 초당 리터로 측정되며 시간 단위당 제거되는 가스의 볼륨(주어진 압력에서)을 나타냅니다. 이온 펌프에서 순 펌핑 효과는 다양한 현상의 합에서 비롯됩니다. 자세한 정보 • 이온 충격에 의한 음극 재료의 스퍼터링으로 생성된 게터 필름의 펌핑 작용.• 이온 이식 및 음극으로의 확산으로 인한 펌핑 작용.• 애노드 및 펌프 벽의 가스 매몰.• 음극 가열 및 침식으로 인한 음극에서의 가스 재방출.수명 이온 펌프가 새 것이거나 예를 들어 베이킹을 통해 재생된 경우 음극의 표면 층은 깨끗하고 가스 재방출은 무시할 수 있습니다. 이 상태에서 이온 펌프는 "불포화"라고 하며 펌핑 효과는 게터링 효과와 이온 이식 및 확산 모두에 기인합니다. 음극에 이식되는 가스 분자의 수가 증가함에 따라 이온 충격으로 인한 재방출이 증가합니다. 결과적으로 순 펌핑 속도는 이온 이식과 가스 재방출 사이의 평형 조건에 도달할 때까지 감소합니다. 이 조건에서 이온 펌프는 "포화"되고 캐소드에서 스퍼터링된 재료의 게터링 작용으로 인한 순 펌핑 속도는 불포화 펌프의 펌핑 속도의 약 절반입니다. 포화 효과는 캐소드에 이식된 가스 분자의 양에 따라 달라지므로 이온 펌프를 포화시키는 데 필요한 시간은 펌프가 작동하는 압력에 반비례합니다. 따라서 압력이 낮을수록 펌프 포화가 발생하기까지 걸리는 시간이 길어집니다. 적절한 베이크아웃 절차(및 그에 따른 펌프 재생)가 있는 이온 펌핑 UHV 시스템에서는 10-11mbar 범위의 압력이 가능합니다. 이 압력에서 이온 펌프는 포화되기 전에 몇 년 동안 더 높은(불포화) 펌핑 속도 값에서 작동합니다. 활성 가스(N2, O2, CO, CO2...) 이러한 가스의 특징은 대부분의 금속과 쉽게 반응하여 안정적인 화합물을 형성하는 능력입니다. 이온 펌프에서 이러한 활성 가스 분자는 캐소드 재료의 스퍼터링으로 생성된 신선한 티타늄 필름과 반응합니다. 이러한 활성 가스 분자는 캐소드에서 깊이 확산되지 않습니다. 캐소드 표면에 갇힌 이러한 분자의 재방출로 인한 포화 효과는 매우 강합니다. 다이오드 및 노블 다이오드 소자는 저압에서 더 높은 펌핑 속도를 보이는 반면 StarCell 소자는 고압에서 더 나은 성능을 보입니다. 수소 수소는 활성 가스이지만 매우 작은 질량으로 인해 스퍼터링 속도가 매우 낮습니다. 이 사실에도 불구하고 H2의 펌핑 속도는 무시할 수 있는 재방출로 캐소드로 빠르게 확산되기 때문에 매우 높습니다. H2를 펌핑할 때 이온 펌프는 항상 불포화 상태에서 작동합니다. 결과적으로 H2의 공칭 속도는 질소에 해당하는 값의 약 2배입니다. 또한 더 무거운 가스의 흔적이 있는 경우 증가된 스퍼터링 속도로 인해 수소 펌핑 속도가 훨씬 더 높아집니다. 다이오드 소자는 탄탈륨 캐소드에서 H2 용해도가 티타늄 캐소드보다 낮기 때문에 노블 다이오드보다 펌핑 속도가 빠릅니다. StarCell 소자는 고압에서의 우수한 성능과 향상된 H2 용량을 결합합니다. 노블 가스(He, Ne, Ar, Kr 및 Xe) 노블 가스는 티타늄에 묻혀 펌핑됩니다. 노블 가스 이온은 에너지를 잃지 않고도 캐소드에서 중성화되고 산란될 수 있습니다. 이러한 중성 원자는 애노드와 펌프 벽에 이식되거나 붙어 스퍼터링된 티타늄에 묻혀 영구적으로 펌핑될 만큼 충분한 에너지를 유지합니다. 다이오드 구성에서 중성화 및 역산란 확률은 매우 작으므로 노블 가스의 펌핑 속도는 N2 펌핑 속도의 작은 비율에 불과합니다. 또한 비교적 높은 아르곤 분압(즉, 10-8 mbar 이상)에서 작동할 때 캐소드에 일시적으로 이식된 아르곤이 재방출되어 압력이 갑자기 폭발하는 현상이 관찰됩니다. 이런 일이 발생한 후 다이오드 펌프는 공급원이 중단될 때까지 더 많은 아르곤을 펌핑할 수 없습니다. 이 현상을 "아르곤 불안정성"이라고 합니다. Noble Diode 소자에서 티타늄 캐소드 하나가 탄탈럼 캐소드로 대체됩니다. 탄탈럼의 높은 핵 질량은 후방 산란 확률을 높이고 결과적으로 귀가스 펌핑 속도를 높입니다. 귀가스 펌핑 속도 측면에서 최상의 결과는 StarCell 소자에서 일반적인 개방형 캐소드 구조를 사용하여 얻을 수 있습니다. 이러한 구성에서 평평한 캐소드 구조는 이온과의 흘려넘기는 충돌을 허용하는 구조로 대체되었습니다. 이들은 중화되고 평평한 캐소드 경우보다 훨씬 높은 확률로 펌프 벽이나 애노드 쪽으로 전방 산란됩니다. 결과적으로 귀가스 펌핑 속도는 N2의 최대 60%가 됩니다. 또한 사용 가능한 모든 티타늄을 최적으로 사용할 수 있는 고유한 설계 덕분에 StarCell 펌프의 작동 수명은 다른 모든 펌프보다 약 50% 더 깁니다. 메탄메탄은 불활성 기체는 아니지만 게터 물질과 반응하지 않습니다. 진공 시스템 벽에 존재하는 수소와 탄소의 반응 생성물로서 UHV 시스템에 항상 어느 정도 존재합니다. 메탄은 빔 붕괴의 주요 원인인 전자 가속기에서 특히 문제가 됩니다. 이온 펌프의 페닝 방전으로 인해 메탄 분자(및 기타 탄화수소 분자)가 분해되어 더 작은 "게터링" 화합물(C, CH3, ... H)로 변환됩니다. 결과적으로 메탄과 경질 탄화수소의 펌핑 속도는 항상 N2의 속도보다 높습니다. 최소화 정보Agilent Varian 품질 제조 청결성모든 시스템에서 매우 낮은 압력(예: 10-11mbar)에 도달하려면 챔버와 펌프의 가스 방출을 최소화해야 합니다. 제대로 세척하지 않으면 이온 펌프 자체가 UHV에서 가스의 원천이 될 수 있습니다. 청결을 보장하기 위해 VacIon Plus 펌프는 본체와 모든 내부 구성품의 철저한 가스 방출을 위해 초고온 진공 상태에서 공장에서 가공됩니다. 이온 펌프 소자의 청결은 지속적인 음극 충격으로 인해 훨씬 더 중요합니다. 표면이나 음극 벌크에 갇힌 가스는 결국 방출됩니다. 자세한 정보 이온 펌프 가스 방출 이온 펌프 가스 방출 시스템은 펌프 본체의 열적 프로세스로, 완전히 컴퓨터로 제어되며 달성된 펌프 사양에 대한 자동 최종 테스트를 제공할 수 있습니다. 펌프의 베이크아웃은 외부 펌프 본체를 산화로부터 보호하기 위해 질소 제어 분위기에서 수행됩니다. 이 시스템은 고유 가스 방출을 제어하여 이온 펌프 내부 표면의 열적 가스 방출 원리를 기반으로 합니다. 따라서 시간이 아니라 압력이 전체 프로세스의 원동력입니다. 베이크아웃 시간은 펌프 구성품의 내부 세척에 따라 달라지며 모든 펌프는 이런 방식으로 동일한 최종 가스 방출 속도와 기본 압력을 갖게 됩니다. 열 공정이 끝나고 실내 온도에 도달하면 RGA가 수행됩니다. 진공 시스템에 배치된 가스 분석기는 펌프에서 탈기된 다양한 가스의 스펙트럼을 제공합니다. H2와 잘 구운 진공 시스템에 일반적으로 존재하는 다른 피크가 허용 수준을 초과하면 펌프를 다시 굽습니다. 그렇지 않으면 펌프를 꼬집어 내고 기본 압력을 모니터링합니다. 기본 압력은 이온 전류 판독을 통해 평가합니다. 전류 감소는 컴퓨터로 모니터링되며 펌프는 기본 전류에 도달한 후에만 배송할 준비가 됩니다. 긴 작동 수명 모든 VacIon Plus 펌프는 1x10-6 mbar(다이오드 펌프의 경우 50,000시간, StarCell의 경우 80,000시간)의 압력에서 수천 시간을 초과하는 정격 수명을 가지고 있습니다. 많은 이온 펌프의 경우 절연체의 금속화 또는 펌핑 소자 변형으로 인해 정격 수명보다 훨씬 일찍 유지 관리가 필요할 수 있습니다. 모든 VacIon Plus 요소는 음극 왜곡을 최소화하도록 설계되었으며(반복적인 베이크아웃 및 고압에서 시작한 후에도) 절연체는 이중 리엔트런트 디자인과 캡 실드를 사용하여 스퍼터링 티타늄으로부터 보호됩니다. 최소화 정보

상태: 새로운



부품 번호: P105778



가격: ₩5,208,012.65


정가: ₩6,638,359.75




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Agilent Varian VacIon 150 StarCell 이온 펌프 w/ 120 VAC 히터, 125 l/s 펌핑 속도. PN: 9191541
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Agilent Varian VacIon 150 StarCell 이온 펌프, 120VAC 히터 설치, 125 l/s 펌핑 속도, 자석, 6인치 CF 흡입구. Agilent Varian 부품 번호 9191541. Agilent Varian VacIon Plus 시리즈 이온 펌프는 초고진공(UHV) 생성에 대한 고성능, 청결성, 다양한 가스 펌핑 기능, 긴 작동 수명, 진공 압력 판독 기능, 무정비 및 무진동 작동으로 인해 최고 수준입니다. 여기에서는 Agilent가 설치한 6인치 컨플랫 흡입 플랜지와 120VAC 히터가 있는 Agilent Varian VacIon Plus 150 StarCell 이온 펌프를 제공합니다. VacIon Plus 150 StarCell은 10-11 Torr 미만의 최대 압력, 최대 350도 C의 베이킹 온도, 125 l/s 펌핑 속도를 제공합니다. Agilent Varian VacIon Plus 150 StarCell 고진공 이온 펌프에 대한 완전한 기술 데이터 및 응용 프로그램 브로셔를 아래에서 PDF 형식으로 다운로드할 수 있습니다. 자석과 120VAC 히터가 설치된 이 Agilent Varian VacIon Plus 150 StarCell 이온 펌프의 Agilent Varian 부품 번호는 9191541입니다. 이온 펌프 작동 진공 펌프는 일반적으로 펌핑하는 환경에 존재하는 것보다 낮은 가스 밀도를 자체 내에서 유지하는 것을 기준으로 작동합니다. 이는 분자 흐름 조건에서 분자의 무작위 운동으로 인해 펌프로 순 가스 이동이 발생합니다. 펌프에 들어가면 거의 빠져나가지 않으며 펌프 유형에 따라 변위되거나 포획됩니다. 이온 펌프는 실제로 가스 분자를 대기로 이동시키는 변위 펌프가 아니라 대신 분자를 포획하여 저장합니다. 결과적으로 어느 시점에서 펌프를 수리하거나 교체해야 합니다. 이는 일반적으로 수년간 사용한 후에만 필요합니다. 자세한 정보 일반 이름인 스퍼터 이온 펌프(또는 이온 게터 펌프)는 일부 가스 분자가 이온화되어 스퍼터링 에이전트의 스퍼터링을 유발한다는 사실에서 유래되었습니다. 이 물질은 활성 가스와 화학적으로 반응하여 펌프의 내부 벽에 증착되는 안정된 화합물을 형성합니다. 게터(보통 티타늄)는 해당 물질의 판이나 전극에 의해 제공되며, 이는 고전압의 영향으로 형성된 가스 이온에 의해 스퍼터링되고 침식됩니다. 이러한 전기적 전위는 일반적으로 3,000~7,000 VDC 범위입니다. 외부 영구 자기 회로는 일반적으로 800~2,000G 범위의 자기장을 생성하며, 이는 양극 셀 축과 평행합니다. 양극 셀 구조의 기능은 자기장에 의해 제한되는 고에너지 전자의 "구름"을 포함하는 것입니다. 대부분의 이온화 장치는 같은 방식으로 작동합니다. 가스 분자는 충돌이 발생할 때 고에너지 전자에 의해 폭격을 받습니다. 분자는 하나 이상의 자체 전자를 잃어 양전하 이온으로 남을 수 있습니다. 강한 전기장의 영향으로 이온은 티타늄 음극으로 가속됩니다. 이 충돌의 힘은 원자가 음극에서 방출되어 펌프의 인접한 벽에 "스퍼터링"되기에 충분합니다. 새로 스퍼터링된 티타늄은 매우 반응성이 강하고 활성 가스와 화학적으로 반응합니다. 생성된 화합물은 펌프 요소와 펌프 벽의 표면에 축적됩니다. 활성 가스는 산소, 질소, CO, CO2 및 물과 같은 가스이며, 헬륨, 네온, 아르곤, 크립톤 및 크세논과 같은 비활성 가스는 반응성이 없습니다. 후자는 "이온 매몰"(이온 매몰은 스퍼터링된 게터 원자에 의한 불활성 가스 원자의 "덮어 덮기")에 의해 펌핑됩니다. 이온 펌프를 사용하여 압력을 읽을 수 있는 능력은 펌프 전류와 작동 압력 사이의 직접적인 비례성 때문입니다. 매우 낮은 압력에서 압력 판독의 신뢰성은 누설 전류에 의해 제한되고, 전계 방출로 인한 누설 전류는 펌프에 인가된 전압에 크게 의존합니다. 모든 VacIon Plus 펌프와 함께 사용하도록 설계된 Dual 컨트롤러는 작동 압력에 따라 전압을 조정할 수 있는 고유한 기능을 제공합니다. 이를 통해 저압에서 누설 전류가 최소화되어 10-10 mbar 범위까지 신뢰할 수 있는 압력 판독이 제공됩니다. VacIon Plus 제품군 이온 펌프는 청결성, 다양한 가스를 펌핑하는 기능, 무정비 및 무진동 작동으로 인해 초고진공(UHV)을 생성하는 데 일반적으로 사용됩니다. 긴 작동 수명과 압력 판독 기능은 이온 펌프의 다른 중요한 특징입니다. VacIon Plus 제품군은 이러한 모든 특성을 향상시키도록 설계되었으며, 따라서 모든 이온 펌핑 요구 사항에 가장 진보적이고 가치 있는 솔루션을 제공합니다. 일반적으로 모든 이온 펌프는 어느 정도 모든 가스를 펌핑할 수 있습니다. 최상의 성능과 기본 압력을 얻기 위해 다양한 압력 범위와 다양한 가스에서 최적화된 성능을 제공하는 다양한 유형의 이온 펌프가 개발되었습니다. Agilent Varian의 VacIon Plus는 다이오드, 노블 다이오드, StarCell의 세 가지 다른 요소 중에서 선택할 수 있는 완전한 제품군입니다. 어떤 응용 분야이든 VacIon Plus 펌프는 이를 위해 설계되었습니다. 다이오드 VacIon Plus VacIon Plus 펌프의 다이오드 버전은 산소(O2), 질소(N2), 이산화탄소(CO2), 일산화탄소(CO) 및 기타 수집 가능한 가스에 대한 모든 이온 펌프 중에서 가장 빠른 펌핑 속도를 제공합니다. 수소(H2)에 대해서도 가장 높은 펌핑 속도와 용량을 제공합니다. 간단한 기계적 구조로 매우 낮은 압력에서도 신뢰할 수 있는 전류/압력 판독이 가능하며, 진동 없이 작동합니다. 기하학적 및 전기적 구성으로 전자 검출기 또는 이와 유사한 장치 근처에서 사용할 수 있습니다. 따라서 다이오드 VacIon Plus 펌프는 일반 용도 UHV 시스템, 전자 장치 진공 및 가장 민감한 전자 현미경에서 널리 성공적으로 사용됩니다. 그러나 다이오드는 아르곤(Ar), 헬륨(He), 메탄(CH4)과 같은 비활성 기체를 펌핑해야 하는 응용 분야에는 권장되지 않습니다. Noble Diode VacIon Plus Noble Diode VacIon Plus 소자는 다이오드 소자의 한 버전으로, 티타늄 캐소드 대신 탄탈럼 캐소드를 사용합니다. 이러한 대체는 비활성 기체(주로 아르곤 및 헬륨)를 펌핑할 때 더 높은 펌핑 속도와 안정성을 제공합니다. 이 소자는 다른 면에서는 Diode VacIon Plus와 동일합니다. Noble Diode VacIon Plus 펌프는 비활성 기체의 펌핑이 중요한 특성인 모든 응용 분야에 사용됩니다. 다이오드 구성과 마찬가지로 Noble Diode는 매우 낮은 압력에서 모든 기체에 대해 일관된 펌핑 속도를 유지합니다. 그러나 H2 및 수집 가능한 기체의 펌핑 속도는 해당 다이오드 펌프보다 낮습니다. Noble Diode VacIon Plus는 일반적으로 가스 혼합물을 펌핑해야 하고 압력이 매우 일정한(즉, 갑작스러운 가스 폭발이나 체계적인 고압 사이클링이 없는) UHV 애플리케이션에서 사용됩니다. 매우 낮은 압력에서도 거의 모든 가스에 대해 일관된 속도의 특성으로 인해 이온 펌프만 사용하여 UHV 압력을 얻을 때마다 이상적입니다. 이는 입자 가속기 또는 싱크로트론 링과 표면 분석 애플리케이션에서 종종 발생하는 상황입니다. 애플리케이션에 더 높은 압력으로 사이클링하거나, 많은 양의 H2를 펌핑하거나, 이온 펌프를 티타늄 승화 펌프 또는 비증발 게터와 같은 다른 UHV 펌프와 결합할 때마다 다른 VacIon Plus 버전이 제안됩니다. StarCell VacIon Plus StarCell VacIon Plus 소자는 Triode 구성의 최신 변형입니다. 특허받은 설계로 인해 이 이온 펌프는 많은 양의 귀가스(Noble Diode보다 우수)와 수소(Diode와 유사)를 처리할 수 있는 유일한 펌프입니다. 또한 이 펌프는 메탄, 아르곤, 헬륨에 대해 가장 높은 속도와 용량을 제공합니다. 모든 다른 가스에 대한 높은 총 용량과 비교적 높은 압력에서 매우 우수한 속도 성능으로 인해 StarCell VacIon Plus는 10-8 mbar 이상에서 지속적인 작동이 필요한 응용 분야에 이상적입니다. 여기에는 일반적으로 전자 현미경과 질량 분석기가 포함됩니다. 아르곤, 헬륨, 메탄에 대한 높은 펌핑 속도(모든 압력에서 모든 이온 펌프 중 가장 높음)로 인해 StarCell은 이온 펌프가 티타늄 승화 펌프(TSP) 또는 비증발 게터(NEG) 펌프와 함께 사용되는 모든 응용 분야의 표준이 되었으며, 이러한 경우 펌핑 성능이 향상됩니다. 이러한 조합의 최적화된 특성 덕분에 StarCell VacIon Plus와 TSP/NEG 펌프를 조합하여 가장 낮은 압력을 얻을 수 있었습니다. 대부분의 기존 입자 가속기 및 싱크로트론 소스, 빔 라인, 전송 라인 및 이와 유사한 장치는 이러한 조합을 사용하여 모든 가스 종에 대해 최대 속도를 얻었으며 성공적으로 사용하고 있습니다. 최소화 정보 VacIon Plus 개요 펌핑 속도 주어진 볼륨에서 분자를 제거하는 펌프의 기능을 표현하는 데 사용되는 가장 일반적인 매개변수는 펌핑 속도입니다. 일반적으로 초당 리터로 측정되며 시간 단위당 제거되는 가스의 볼륨(주어진 압력에서)을 나타냅니다. 이온 펌프에서 순 펌핑 효과는 다양한 현상의 합에서 비롯됩니다. 자세한 정보 • 이온 충격에 의한 음극 재료의 스퍼터링으로 생성된 게터 필름의 펌핑 작용.• 이온 이식 및 음극으로의 확산으로 인한 펌핑 작용.• 애노드 및 펌프 벽의 가스 매몰.• 음극 가열 및 침식으로 인한 음극에서의 가스 재방출.수명 이온 펌프가 새 것이거나 예를 들어 베이킹을 통해 재생된 경우 음극의 표면 층은 깨끗하고 가스 재방출은 무시할 수 있습니다. 이 상태에서 이온 펌프는 "불포화"라고 하며 펌핑 효과는 게터링 효과와 이온 이식 및 확산 모두에 기인합니다. 음극에 이식되는 가스 분자의 수가 증가함에 따라 이온 충격으로 인한 재방출이 증가합니다. 결과적으로 순 펌핑 속도는 이온 이식과 가스 재방출 사이의 평형 조건에 도달할 때까지 감소합니다. 이 조건에서 이온 펌프는 "포화"되고 캐소드에서 스퍼터링된 재료의 게터링 작용으로 인한 순 펌핑 속도는 불포화 펌프의 펌핑 속도의 약 절반입니다. 포화 효과는 캐소드에 이식된 가스 분자의 양에 따라 달라지므로 이온 펌프를 포화시키는 데 필요한 시간은 펌프가 작동하는 압력에 반비례합니다. 따라서 압력이 낮을수록 펌프 포화가 발생하기까지 걸리는 시간이 길어집니다. 적절한 베이크아웃 절차(및 그에 따른 펌프 재생)가 있는 이온 펌핑 UHV 시스템에서는 10-11mbar 범위의 압력이 가능합니다. 이 압력에서 이온 펌프는 포화되기 전에 몇 년 동안 더 높은(불포화) 펌핑 속도 값에서 작동합니다. 활성 가스(N2, O2, CO, CO2...) 이러한 가스의 특징은 대부분의 금속과 쉽게 반응하여 안정적인 화합물을 형성하는 능력입니다. 이온 펌프에서 이러한 활성 가스 분자는 캐소드 재료의 스퍼터링으로 생성된 신선한 티타늄 필름과 반응합니다. 이러한 활성 가스 분자는 캐소드에서 깊이 확산되지 않습니다. 캐소드 표면에 갇힌 이러한 분자의 재방출로 인한 포화 효과는 매우 강합니다. 다이오드 및 노블 다이오드 소자는 저압에서 더 높은 펌핑 속도를 보이는 반면 StarCell 소자는 고압에서 더 나은 성능을 보입니다. 수소 수소는 활성 가스이지만 매우 작은 질량으로 인해 스퍼터링 속도가 매우 낮습니다. 이 사실에도 불구하고 H2의 펌핑 속도는 무시할 수 있는 재방출로 캐소드로 빠르게 확산되기 때문에 매우 높습니다. H2를 펌핑할 때 이온 펌프는 항상 불포화 상태에서 작동합니다. 결과적으로 H2의 공칭 속도는 질소에 해당하는 값의 약 2배입니다. 또한 더 무거운 가스의 흔적이 있는 경우 증가된 스퍼터링 속도로 인해 수소 펌핑 속도가 훨씬 더 높아집니다. 다이오드 소자는 탄탈륨 캐소드에서 H2 용해도가 티타늄 캐소드보다 낮기 때문에 노블 다이오드보다 펌핑 속도가 빠릅니다. StarCell 소자는 고압에서의 우수한 성능과 향상된 H2 용량을 결합합니다. 노블 가스(He, Ne, Ar, Kr 및 Xe) 노블 가스는 티타늄에 묻혀 펌핑됩니다. 노블 가스 이온은 에너지를 잃지 않고도 캐소드에서 중성화되고 산란될 수 있습니다. 이러한 중성 원자는 애노드와 펌프 벽에 이식되거나 붙어 스퍼터링된 티타늄에 묻혀 영구적으로 펌핑될 만큼 충분한 에너지를 유지합니다. 다이오드 구성에서 중성화 및 역산란 확률은 매우 작으므로 노블 가스의 펌핑 속도는 N2 펌핑 속도의 작은 비율에 불과합니다. 또한 비교적 높은 아르곤 분압(즉, 10-8 mbar 이상)에서 작동할 때 캐소드에 일시적으로 이식된 아르곤이 재방출되어 압력이 갑자기 폭발하는 현상이 관찰됩니다. 이런 일이 발생한 후 다이오드 펌프는 공급원이 중단될 때까지 더 많은 아르곤을 펌핑할 수 없습니다. 이 현상을 "아르곤 불안정성"이라고 합니다. Noble Diode 소자에서 티타늄 캐소드 하나가 탄탈럼 캐소드로 대체됩니다. 탄탈럼의 높은 핵 질량은 후방 산란 확률을 높이고 결과적으로 귀가스 펌핑 속도를 높입니다. 귀가스 펌핑 속도 측면에서 최상의 결과는 StarCell 소자에서 일반적인 개방형 캐소드 구조를 사용하여 얻을 수 있습니다. 이러한 구성에서 평평한 캐소드 구조는 이온과의 흘려넘기는 충돌을 허용하는 구조로 대체되었습니다. 이들은 중화되고 평평한 캐소드 경우보다 훨씬 높은 확률로 펌프 벽이나 애노드 쪽으로 전방 산란됩니다. 결과적으로 귀가스 펌핑 속도는 N2의 최대 60%가 됩니다. 또한 사용 가능한 모든 티타늄을 최적으로 사용할 수 있는 고유한 설계 덕분에 StarCell 펌프의 작동 수명은 다른 모든 펌프보다 약 50% 더 깁니다. 메탄메탄은 불활성 기체는 아니지만 게터 물질과 반응하지 않습니다. 진공 시스템 벽에 존재하는 수소와 탄소의 반응 생성물로서 UHV 시스템에 항상 어느 정도 존재합니다. 메탄은 빔 붕괴의 주요 원인인 전자 가속기에서 특히 문제가 됩니다. 이온 펌프의 페닝 방전으로 인해 메탄 분자(및 기타 탄화수소 분자)가 분해되어 더 작은 "게터링" 화합물(C, CH3, ... H)로 변환됩니다. 결과적으로 메탄과 경질 탄화수소의 펌핑 속도는 항상 N2의 속도보다 높습니다. 최소화 정보Agilent Varian 품질 제조 청결성모든 시스템에서 매우 낮은 압력(예: 10-11mbar)에 도달하려면 챔버와 펌프의 가스 방출을 최소화해야 합니다. 제대로 세척하지 않으면 이온 펌프 자체가 UHV에서 가스의 원천이 될 수 있습니다. 청결을 보장하기 위해 VacIon Plus 펌프는 본체와 모든 내부 구성품의 철저한 가스 방출을 위해 초고온 진공 상태에서 공장에서 가공됩니다. 이온 펌프 소자의 청결은 지속적인 음극 충격으로 인해 훨씬 더 중요합니다. 표면이나 음극 벌크에 갇힌 가스는 결국 방출됩니다. 자세한 정보 이온 펌프 가스 방출 이온 펌프 가스 방출 시스템은 펌프 본체의 열적 프로세스로, 완전히 컴퓨터로 제어되며 달성된 펌프 사양에 대한 자동 최종 테스트를 제공할 수 있습니다. 펌프의 베이크아웃은 외부 펌프 본체를 산화로부터 보호하기 위해 질소 제어 분위기에서 수행됩니다. 이 시스템은 고유 가스 방출을 제어하여 이온 펌프 내부 표면의 열적 가스 방출 원리를 기반으로 합니다. 따라서 시간이 아니라 압력이 전체 프로세스의 원동력입니다. 베이크아웃 시간은 펌프 구성품의 내부 세척에 따라 달라지며 모든 펌프는 이런 방식으로 동일한 최종 가스 방출 속도와 기본 압력을 갖게 됩니다. 열 공정이 끝나고 실내 온도에 도달하면 RGA가 수행됩니다. 진공 시스템에 배치된 가스 분석기는 펌프에서 탈기된 다양한 가스의 스펙트럼을 제공합니다. H2와 잘 구운 진공 시스템에 일반적으로 존재하는 다른 피크가 허용 수준을 초과하면 펌프를 다시 굽습니다. 그렇지 않으면 펌프를 꼬집어 내고 기본 압력을 모니터링합니다. 기본 압력은 이온 전류 판독을 통해 평가합니다. 전류 감소는 컴퓨터로 모니터링되며 펌프는 기본 전류에 도달한 후에만 배송할 준비가 됩니다. 긴 작동 수명 모든 VacIon Plus 펌프는 1x10-6 mbar(다이오드 펌프의 경우 50,000시간, StarCell의 경우 80,000시간)의 압력에서 수천 시간을 초과하는 정격 수명을 가지고 있습니다. 많은 이온 펌프의 경우 절연체의 금속화 또는 펌핑 소자 변형으로 인해 정격 수명보다 훨씬 일찍 유지 관리가 필요할 수 있습니다. 모든 VacIon Plus 요소는 음극 왜곡을 최소화하도록 설계되었으며(반복적인 베이크아웃 및 고압에서 시작한 후에도) 절연체는 이중 리엔트런트 디자인과 캡 실드를 사용하여 스퍼터링 티타늄으로부터 보호됩니다. 최소화 정보

상태: 새로운



부품 번호: P105775



가격: ₩9,363,291.49


정가: ₩11,936,509.20




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Agilent Varian VacIon 300 StarCell 이온 펌프 w/ 120 VAC 히터, 240 l/s 펌핑 속도. PN: 9191641
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Agilent Varian VacIon 300 StarCell 이온 펌프, 120VAC 히터 설치, 240 l/s 펌핑 속도, 자석 설치, 8인치 CF 흡입구. Agilent Varian 부품 번호 9191641. Agilent Varian VacIon Plus 시리즈 이온 펌프는 초고진공(UHV) 생성에 대한 고성능, 청결성, 다양한 가스 펌핑 기능, 긴 작동 수명, 진공 압력 판독 기능, 무정비 및 무진동 작동으로 인해 최고 수준입니다. 여기에서는 Agilent가 설치한 8인치 컨플랫 흡입 플랜지와 120VAC 히터가 있는 Agilent Varian VacIon Plus 300 StarCell 이온 펌프를 제공합니다. VacIon Plus 300 StarCell은 10-11 Torr 미만의 최대 압력, 최대 250도 C의 베이킹 온도, 240 l/s 펌핑 속도를 제공합니다. Agilent Varian VacIon Plus 300 StarCell 고진공 이온 펌프에 대한 완전한 기술 데이터 및 응용 프로그램 브로셔를 아래에서 PDF 형식으로 다운로드할 수 있습니다. 자석과 120VAC 히터가 설치된 이 Agilent Varian VacIon Plus 300 StarCell 이온 펌프의 Agilent Varian 부품 번호는 9191641입니다. 이온 펌프 작동 진공 펌프는 일반적으로 펌핑하는 환경에 존재하는 것보다 낮은 가스 밀도를 자체 내에서 유지하는 것을 기준으로 작동합니다. 이는 분자 흐름 조건에서 분자의 무작위 운동으로 인해 펌프로 순 가스 이동이 발생합니다. 펌프에 들어가면 거의 빠져나가지 않으며 펌프 유형에 따라 변위되거나 포획됩니다. 이온 펌프는 실제로 가스 분자를 대기로 이동시키는 변위 펌프가 아니라 대신 분자를 포획하여 저장합니다. 결과적으로 어느 시점에서 펌프를 수리하거나 교체해야 합니다. 이는 일반적으로 수년간 사용한 후에만 필요합니다. 자세한 정보 일반 이름인 스퍼터 이온 펌프(또는 이온 게터 펌프)는 일부 가스 분자가 이온화되어 스퍼터링 에이전트의 스퍼터링을 유발한다는 사실에서 유래되었습니다. 이 물질은 활성 가스와 화학적으로 반응하여 펌프의 내부 벽에 증착되는 안정된 화합물을 형성합니다. 게터(보통 티타늄)는 해당 물질의 판이나 전극에 의해 제공되며, 이는 고전압의 영향으로 형성된 가스 이온에 의해 스퍼터링되고 침식됩니다. 이러한 전기적 전위는 일반적으로 3,000~7,000 VDC 범위입니다. 외부 영구 자기 회로는 일반적으로 800~2,000G 범위의 자기장을 생성하며, 이는 양극 셀 축과 평행합니다. 양극 셀 구조의 기능은 자기장에 의해 제한되는 고에너지 전자의 "구름"을 포함하는 것입니다. 대부분의 이온화 장치는 같은 방식으로 작동합니다. 가스 분자는 충돌이 발생할 때 고에너지 전자에 의해 폭격을 받습니다. 분자는 하나 이상의 자체 전자를 잃어 양전하 이온으로 남을 수 있습니다. 강한 전기장의 영향으로 이온은 티타늄 음극으로 가속됩니다. 이 충돌의 힘은 원자가 음극에서 방출되어 펌프의 인접한 벽에 "스퍼터링"되기에 충분합니다. 새로 스퍼터링된 티타늄은 매우 반응성이 강하고 활성 가스와 화학적으로 반응합니다. 생성된 화합물은 펌프 요소와 펌프 벽의 표면에 축적됩니다. 활성 가스는 산소, 질소, CO, CO2 및 물과 같은 가스이며, 헬륨, 네온, 아르곤, 크립톤 및 크세논과 같은 비활성 가스는 반응성이 없습니다. 후자는 "이온 매몰"(이온 매몰은 스퍼터링된 게터 원자에 의한 불활성 가스 원자의 "덮어 덮기")에 의해 펌핑됩니다. 이온 펌프를 사용하여 압력을 읽을 수 있는 능력은 펌프 전류와 작동 압력 사이의 직접적인 비례성 때문입니다. 매우 낮은 압력에서 압력 판독의 신뢰성은 누설 전류에 의해 제한되고, 전계 방출로 인한 누설 전류는 펌프에 인가된 전압에 크게 의존합니다. 모든 VacIon Plus 펌프와 함께 사용하도록 설계된 Dual 컨트롤러는 작동 압력에 따라 전압을 조정할 수 있는 고유한 기능을 제공합니다. 이를 통해 저압에서 누설 전류가 최소화되어 10-10 mbar 범위까지 신뢰할 수 있는 압력 판독이 제공됩니다. VacIon Plus 제품군 이온 펌프는 청결성, 다양한 가스를 펌핑하는 기능, 무정비 및 무진동 작동으로 인해 초고진공(UHV)을 생성하는 데 일반적으로 사용됩니다. 긴 작동 수명과 압력 판독 기능은 이온 펌프의 다른 중요한 특징입니다. VacIon Plus 제품군은 이러한 모든 특성을 향상시키도록 설계되었으며, 따라서 모든 이온 펌핑 요구 사항에 가장 진보적이고 가치 있는 솔루션을 제공합니다. 일반적으로 모든 이온 펌프는 어느 정도 모든 가스를 펌핑할 수 있습니다. 최상의 성능과 기본 압력을 얻기 위해 다양한 압력 범위와 다양한 가스에서 최적화된 성능을 제공하는 다양한 유형의 이온 펌프가 개발되었습니다. Agilent Varian의 VacIon Plus는 다이오드, 노블 다이오드, StarCell의 세 가지 다른 요소 중에서 선택할 수 있는 완전한 제품군입니다. 어떤 응용 분야이든 VacIon Plus 펌프는 이를 위해 설계되었습니다. 다이오드 VacIon Plus VacIon Plus 펌프의 다이오드 버전은 산소(O2), 질소(N2), 이산화탄소(CO2), 일산화탄소(CO) 및 기타 수집 가능한 가스에 대한 모든 이온 펌프 중에서 가장 빠른 펌핑 속도를 제공합니다. 수소(H2)에 대해서도 가장 높은 펌핑 속도와 용량을 제공합니다. 간단한 기계적 구조로 매우 낮은 압력에서도 신뢰할 수 있는 전류/압력 판독이 가능하며, 진동 없이 작동합니다. 기하학적 및 전기적 구성으로 전자 검출기 또는 이와 유사한 장치 근처에서 사용할 수 있습니다. 따라서 다이오드 VacIon Plus 펌프는 일반 용도 UHV 시스템, 전자 장치 진공 및 가장 민감한 전자 현미경에서 널리 성공적으로 사용됩니다. 그러나 다이오드는 아르곤(Ar), 헬륨(He), 메탄(CH4)과 같은 비활성 기체를 펌핑해야 하는 응용 분야에는 권장되지 않습니다. Noble Diode VacIon Plus Noble Diode VacIon Plus 소자는 다이오드 소자의 한 버전으로, 티타늄 캐소드 대신 탄탈럼 캐소드를 사용합니다. 이러한 대체는 비활성 기체(주로 아르곤 및 헬륨)를 펌핑할 때 더 높은 펌핑 속도와 안정성을 제공합니다. 이 소자는 다른 면에서는 Diode VacIon Plus와 동일합니다. Noble Diode VacIon Plus 펌프는 비활성 기체의 펌핑이 중요한 특성인 모든 응용 분야에 사용됩니다. 다이오드 구성과 마찬가지로 Noble Diode는 매우 낮은 압력에서 모든 기체에 대해 일관된 펌핑 속도를 유지합니다. 그러나 H2 및 수집 가능한 기체의 펌핑 속도는 해당 다이오드 펌프보다 낮습니다. Noble Diode VacIon Plus는 일반적으로 가스 혼합물을 펌핑해야 하고 압력이 매우 일정한(즉, 갑작스러운 가스 폭발이나 체계적인 고압 사이클링이 없는) UHV 애플리케이션에서 사용됩니다. 매우 낮은 압력에서도 거의 모든 가스에 대해 일관된 속도의 특성으로 인해 이온 펌프만 사용하여 UHV 압력을 얻을 때마다 이상적입니다. 이는 입자 가속기 또는 싱크로트론 링과 표면 분석 애플리케이션에서 종종 발생하는 상황입니다. 애플리케이션에 더 높은 압력으로 사이클링하거나, 많은 양의 H2를 펌핑하거나, 이온 펌프를 티타늄 승화 펌프 또는 비증발 게터와 같은 다른 UHV 펌프와 결합할 때마다 다른 VacIon Plus 버전이 제안됩니다. StarCell VacIon Plus StarCell VacIon Plus 소자는 Triode 구성의 최신 변형입니다. 특허받은 설계로 인해 이 이온 펌프는 많은 양의 귀가스(Noble Diode보다 우수)와 수소(Diode와 유사)를 처리할 수 있는 유일한 펌프입니다. 또한 이 펌프는 메탄, 아르곤, 헬륨에 대해 가장 높은 속도와 용량을 제공합니다. 모든 다른 가스에 대한 높은 총 용량과 비교적 높은 압력에서 매우 우수한 속도 성능으로 인해 StarCell VacIon Plus는 10-8 mbar 이상에서 지속적인 작동이 필요한 응용 분야에 이상적입니다. 여기에는 일반적으로 전자 현미경과 질량 분석기가 포함됩니다. 아르곤, 헬륨, 메탄에 대한 높은 펌핑 속도(모든 압력에서 모든 이온 펌프 중 가장 높음)로 인해 StarCell은 이온 펌프가 티타늄 승화 펌프(TSP) 또는 비증발 게터(NEG) 펌프와 함께 사용되는 모든 응용 분야의 표준이 되었으며, 이러한 경우 펌핑 성능이 향상됩니다. 이러한 조합의 최적화된 특성 덕분에 StarCell VacIon Plus와 TSP/NEG 펌프를 조합하여 가장 낮은 압력을 얻을 수 있었습니다. 대부분의 기존 입자 가속기 및 싱크로트론 소스, 빔 라인, 전송 라인 및 이와 유사한 장치는 이러한 조합을 사용하여 모든 가스 종에 대해 최대 속도를 얻었으며 성공적으로 사용하고 있습니다. 최소화 정보 VacIon Plus 개요 펌핑 속도 주어진 볼륨에서 분자를 제거하는 펌프의 기능을 표현하는 데 사용되는 가장 일반적인 매개변수는 펌핑 속도입니다. 일반적으로 초당 리터로 측정되며 시간 단위당 제거되는 가스의 볼륨(주어진 압력에서)을 나타냅니다. 이온 펌프에서 순 펌핑 효과는 다양한 현상의 합에서 비롯됩니다. 자세한 정보 • 이온 충격에 의한 음극 재료의 스퍼터링으로 생성된 게터 필름의 펌핑 작용.• 이온 이식 및 음극으로의 확산으로 인한 펌핑 작용.• 애노드 및 펌프 벽의 가스 매몰.• 음극 가열 및 침식으로 인한 음극에서의 가스 재방출.수명 이온 펌프가 새 것이거나 예를 들어 베이킹을 통해 재생된 경우 음극의 표면 층은 깨끗하고 가스 재방출은 무시할 수 있습니다. 이 상태에서 이온 펌프는 "불포화"라고 하며 펌핑 효과는 게터링 효과와 이온 이식 및 확산 모두에 기인합니다. 음극에 이식되는 가스 분자의 수가 증가함에 따라 이온 충격으로 인한 재방출이 증가합니다. 결과적으로 순 펌핑 속도는 이온 이식과 가스 재방출 사이의 평형 조건에 도달할 때까지 감소합니다. 이 조건에서 이온 펌프는 "포화"되고 캐소드에서 스퍼터링된 재료의 게터링 작용으로 인한 순 펌핑 속도는 불포화 펌프의 펌핑 속도의 약 절반입니다. 포화 효과는 캐소드에 이식된 가스 분자의 양에 따라 달라지므로 이온 펌프를 포화시키는 데 필요한 시간은 펌프가 작동하는 압력에 반비례합니다. 따라서 압력이 낮을수록 펌프 포화가 발생하기까지 걸리는 시간이 길어집니다. 적절한 베이크아웃 절차(및 그에 따른 펌프 재생)가 있는 이온 펌핑 UHV 시스템에서는 10-11mbar 범위의 압력이 가능합니다. 이 압력에서 이온 펌프는 포화되기 전에 몇 년 동안 더 높은(불포화) 펌핑 속도 값에서 작동합니다. 활성 가스(N2, O2, CO, CO2...) 이러한 가스의 특징은 대부분의 금속과 쉽게 반응하여 안정적인 화합물을 형성하는 능력입니다. 이온 펌프에서 이러한 활성 가스 분자는 캐소드 재료의 스퍼터링으로 생성된 신선한 티타늄 필름과 반응합니다. 이러한 활성 가스 분자는 캐소드에서 깊이 확산되지 않습니다. 캐소드 표면에 갇힌 이러한 분자의 재방출로 인한 포화 효과는 매우 강합니다. 다이오드 및 노블 다이오드 소자는 저압에서 더 높은 펌핑 속도를 보이는 반면 StarCell 소자는 고압에서 더 나은 성능을 보입니다. 수소 수소는 활성 가스이지만 매우 작은 질량으로 인해 스퍼터링 속도가 매우 낮습니다. 이 사실에도 불구하고 H2의 펌핑 속도는 무시할 수 있는 재방출로 캐소드로 빠르게 확산되기 때문에 매우 높습니다. H2를 펌핑할 때 이온 펌프는 항상 불포화 상태에서 작동합니다. 결과적으로 H2의 공칭 속도는 질소에 해당하는 값의 약 2배입니다. 또한 더 무거운 가스의 흔적이 있는 경우 증가된 스퍼터링 속도로 인해 수소 펌핑 속도가 훨씬 더 높아집니다. 다이오드 소자는 탄탈륨 캐소드에서 H2 용해도가 티타늄 캐소드보다 낮기 때문에 노블 다이오드보다 펌핑 속도가 빠릅니다. StarCell 소자는 고압에서의 우수한 성능과 향상된 H2 용량을 결합합니다. 노블 가스(He, Ne, Ar, Kr 및 Xe) 노블 가스는 티타늄에 묻혀 펌핑됩니다. 노블 가스 이온은 에너지를 잃지 않고도 캐소드에서 중성화되고 산란될 수 있습니다. 이러한 중성 원자는 애노드와 펌프 벽에 이식되거나 붙어 스퍼터링된 티타늄에 묻혀 영구적으로 펌핑될 만큼 충분한 에너지를 유지합니다. 다이오드 구성에서 중성화 및 역산란 확률은 매우 작으므로 노블 가스의 펌핑 속도는 N2 펌핑 속도의 작은 비율에 불과합니다. 또한 비교적 높은 아르곤 분압(즉, 10-8 mbar 이상)에서 작동할 때 캐소드에 일시적으로 이식된 아르곤이 재방출되어 압력이 갑자기 폭발하는 현상이 관찰됩니다. 이런 일이 발생한 후 다이오드 펌프는 공급원이 중단될 때까지 더 많은 아르곤을 펌핑할 수 없습니다. 이 현상을 "아르곤 불안정성"이라고 합니다. Noble Diode 소자에서 티타늄 캐소드 하나가 탄탈럼 캐소드로 대체됩니다. 탄탈럼의 높은 핵 질량은 후방 산란 확률을 높이고 결과적으로 귀가스 펌핑 속도를 높입니다. 귀가스 펌핑 속도 측면에서 최상의 결과는 StarCell 소자에서 일반적인 개방형 캐소드 구조를 사용하여 얻을 수 있습니다. 이러한 구성에서 평평한 캐소드 구조는 이온과의 흘려넘기는 충돌을 허용하는 구조로 대체되었습니다. 이들은 중화되고 평평한 캐소드 경우보다 훨씬 높은 확률로 펌프 벽이나 애노드 쪽으로 전방 산란됩니다. 결과적으로 귀가스 펌핑 속도는 N2의 최대 60%가 됩니다. 또한 사용 가능한 모든 티타늄을 최적으로 사용할 수 있는 고유한 설계 덕분에 StarCell 펌프의 작동 수명은 다른 모든 펌프보다 약 50% 더 깁니다. 메탄메탄은 불활성 기체는 아니지만 게터 물질과 반응하지 않습니다. 진공 시스템 벽에 존재하는 수소와 탄소의 반응 생성물로서 UHV 시스템에 항상 어느 정도 존재합니다. 메탄은 빔 붕괴의 주요 원인인 전자 가속기에서 특히 문제가 됩니다. 이온 펌프의 페닝 방전으로 인해 메탄 분자(및 기타 탄화수소 분자)가 분해되어 더 작은 "게터링" 화합물(C, CH3, ... H)로 변환됩니다. 결과적으로 메탄과 경질 탄화수소의 펌핑 속도는 항상 N2의 속도보다 높습니다. 최소화 정보Agilent Varian 품질 제조 청결성모든 시스템에서 매우 낮은 압력(예: 10-11mbar)에 도달하려면 챔버와 펌프의 가스 방출을 최소화해야 합니다. 제대로 세척하지 않으면 이온 펌프 자체가 UHV에서 가스의 원천이 될 수 있습니다. 청결을 보장하기 위해 VacIon Plus 펌프는 본체와 모든 내부 구성품의 철저한 가스 방출을 위해 초고온 진공 상태에서 공장에서 가공됩니다. 이온 펌프 소자의 청결은 지속적인 음극 충격으로 인해 훨씬 더 중요합니다. 표면이나 음극 벌크에 갇힌 가스는 결국 방출됩니다. 자세한 정보 이온 펌프 가스 방출 이온 펌프 가스 방출 시스템은 펌프 본체의 열적 프로세스로, 완전히 컴퓨터로 제어되며 달성된 펌프 사양에 대한 자동 최종 테스트를 제공할 수 있습니다. 펌프의 베이크아웃은 외부 펌프 본체를 산화로부터 보호하기 위해 질소 제어 분위기에서 수행됩니다. 이 시스템은 고유 가스 방출을 제어하여 이온 펌프 내부 표면의 열적 가스 방출 원리를 기반으로 합니다. 따라서 시간이 아니라 압력이 전체 프로세스의 원동력입니다. 베이크아웃 시간은 펌프 구성품의 내부 세척에 따라 달라지며 모든 펌프는 이런 방식으로 동일한 최종 가스 방출 속도와 기본 압력을 갖게 됩니다. 열 공정이 끝나고 실내 온도에 도달하면 RGA가 수행됩니다. 진공 시스템에 배치된 가스 분석기는 펌프에서 탈기된 다양한 가스의 스펙트럼을 제공합니다. H2와 잘 구운 진공 시스템에 일반적으로 존재하는 다른 피크가 허용 수준을 초과하면 펌프를 다시 굽습니다. 그렇지 않으면 펌프를 꼬집어 내고 기본 압력을 모니터링합니다. 기본 압력은 이온 전류 판독을 통해 평가합니다. 전류 감소는 컴퓨터로 모니터링되며 펌프는 기본 전류에 도달한 후에만 배송할 준비가 됩니다. 긴 작동 수명 모든 VacIon Plus 펌프는 1x10-6 mbar(다이오드 펌프의 경우 50,000시간, StarCell의 경우 80,000시간)의 압력에서 수천 시간을 초과하는 정격 수명을 가지고 있습니다. 많은 이온 펌프의 경우 절연체의 금속화 또는 펌핑 소자 변형으로 인해 정격 수명보다 훨씬 일찍 유지 관리가 필요할 수 있습니다. 모든 VacIon Plus 요소는 음극 왜곡을 최소화하도록 설계되었으며(반복적인 베이크아웃 및 고압에서 시작한 후에도) 절연체는 이중 리엔트런트 디자인과 캡 실드를 사용하여 스퍼터링 티타늄으로부터 보호됩니다. 최소화 정보

상태: 새로운



부품 번호: P105757



가격: ₩12,694,382.80


정가: ₩16,180,044.10




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