Bomba de vácuo a seco Edwards iXM 200, resistência à corrosão de semicondutores, 200-230 VCA, 50/60 hz, trifásica. PN: A56106958

A Edwards iXM 200 é uma nova linha de bombas secas construídas para fabricação verde. Usando energia muito baixa, o mecanismo roots eficiente foi desenvolvido para reduzir drasticamente a potência de entrada para 1,3 kW, 60% menor do que a geração anterior de bombas secas, reduzindo o impacto ambiental e diminuindo o custo de propriedade. A tecnologia de barreira de gás e as melhorias no design térmico permitem quatro vezes mais resistência à corrosão do que o produto da série iH. Os recursos avançados de manuseio de pó significam que a iXM fornecerá confiabilidade máxima e vida útil estendida da bomba para processos de corrosão multicamadas e consumo de energia reduzido para processos CVD.

As bombas Edwards iXM Série 200 são compactas e de design leve, combinadas com ruído e vibração excepcionalmente baixos, o que torna a iXM a bomba seca mais versátil da linha Edwards. A iXM transformará suas expectativas de tecnologia de bomba de vácuo seca, fornecerá benefícios reais e maior tempo de atividade, com impacto ambiental mínimo. As bombas iXM são projetadas para uso na maioria dos processos de semicondutores, ao mesmo tempo em que oferecem reduções significativas na potência de entrada. Para o Manual de Instruções completo, consulte DOWNLOADS.

CARACTERÍSTICAS e BENEFÍCIOS:

• Principalmente para aplicações químicas leves e limpas (consulte o espectro de aplicação abaixo)
• Velocidade de pico de bombeamento 200 m3/h-1 (118 CFM)
• Pressão máxima 1,5 X 10-2 Torr
• Contém apenas bomba primária
• Não requer manutenção preventiva
• Enchimentos de água de conexão rápida de 3/8 polegadas
• Conexão de água e energia Metades de acoplamento
• Sistema de resfriamento de água SS
• Módulo de gás varimodo
  
  APLICAÇÕES:
  • Bloqueio de Carga
  • Transferir
  • Meteorologia
  • Litografia
  • Processo de deposição física de vapor (PVD)
  • Deposição física de vapor PVD Pré-limpeza
  • Recozimento térmico rápido RTA
  • Tira/Cinza
  • Gravura
  • Fonte de Implante
  • Deposição química de vapor de plasma de alta densidade HDP CVD
  • Processamento Térmico Rápido RTP
  • Deposição química de vapor subatmosférico (SACVD)
  • Deposição química de vapor de tungstênio WCVD
  • Deposição química de vapor modificada MCVD
  • Deposição química de vapor aprimorada por plasma PECVD
  • Deposição química de vapor de baixa pressão LPCVD