Edwards iXH 1210H HARSH Trockenvakuumpumpe 200-230 VAC 50/60 Hz 3 Ph. PN AC3A0A122200

Die Edwards iXH 1210H ist eine neue Reihe trockener Pumpen, die für die umweltfreundliche Fertigung und die Verarbeitung rauer chemischer Prozesse entwickelt wurden. Der effiziente Roots-Mechanismus nutzt sehr wenig Energie und reduziert die Eingangsleistung drastisch auf 1,3 kW, 60 % weniger als bei der vorherigen Generation von Trockenpumpen, wodurch die Umweltbelastung verringert und die Betriebskosten gesenkt werden. Verbesserungen der Gasbarrieretechnologie und des thermischen Designs ermöglichen eine viermal höhere Korrosionsbeständigkeit als Produkte der iH-Serie. Fortschrittliche Pulverhandhabungsfunktionen bedeuten, dass iXH maximale Zuverlässigkeit und längere Pumpenlebensdauer für mehrschichtige Ätzprozesse sowie einen reduzierten Stromverbrauch für CVD-Prozesse bietet, insbesondere bei HARSH Chemicals.

Die Pumpen der Serie iXH 1210H von Edwards sind kompakt und haben ein leichtes Design. In Kombination mit außergewöhnlich geringem Geräuschpegel und geringer Vibration ist iXH die vielseitigste chemische Trockenpumpe im Edwards-Sortiment. iXH wird Ihre Erwartungen an die Trockenvakuumpumpentechnologie verändern und echte Vorteile und längere Betriebszeiten bei minimaler Umweltbelastung bieten. iXH-Pumpen sind für den Einsatz in den meisten Halbleiterprozessen konzipiert und sorgen gleichzeitig für eine deutliche Reduzierung der Eingangsleistung. Eine vollständige Bedienungsanleitung finden Sie unter Downloads auf der Seite.

Funktionen und Vorteile:

• Hauptsächlich für raue chemische Anwendungen
• Spitzensaugvermögen 1025 m3/h-1 (603 CFM)
• Enddruck 5,0 x 10-3 Torr
• Keine vorbeugende Wartung erforderlich
• 3/8 Zoll Quick Connect Wasserfüllungen
• Passende Hälften für Wasser- und Stromanschlüsse
• SS-Wasserkühlsystem
• Multimode-44-slm-Gasmodul

ANWENDUNGEN:

• Ladesperre
• Überweisen
• Meteorologie
• Lithografie
• PVD-Prozess mit physikalischer Gasphasenabscheidung
• Vorreinigung durch physikalische Gasphasenabscheidung (PVD).
• Schnelle thermische Ausheilung RTA
• Strippen/Veraschen
• Radierung
• Implantatquelle
• High-Density Plasma Chemical Vapour Deposition HDP CVD
• Schnelle thermische Verarbeitung RTP
• Subatmosphärische chemische Gasphasenabscheidung (SACVD).
• Chemische Wolframdampfabscheidung WCVD
• Modifizierte chemische Gasphasenabscheidung (MCVD).
• Plasmaverstärkte chemische Gasphasenabscheidung (PECVD).
• Chemische Gasphasenabscheidung bei niedrigem Druck (LPCVD).