Edwards iXM 1200 Trockenvakuumpumpe 200-230 VAC 50/60 Hz 3 Ph. PN A56146958

Die Edwards iXM 1200 ist eine neue Reihe trockener Pumpen, die für eine umweltfreundliche Fertigung entwickelt wurden. Der effiziente Roots-Mechanismus nutzt sehr wenig Energie und reduziert die Eingangsleistung drastisch auf 1,3 kW, 60 % weniger als bei der vorherigen Generation von Trockenpumpen, wodurch die Umweltbelastung verringert und die Betriebskosten gesenkt werden. Verbesserungen der Gasbarrieretechnologie und des thermischen Designs ermöglichen eine viermal höhere Korrosionsbeständigkeit als Produkte der iH-Serie. Fortschrittliche Pulverhandhabungsfunktionen bedeuten, dass iXM maximale Zuverlässigkeit und längere Pumpenlebensdauer für mehrschichtige Ätzprozesse sowie einen reduzierten Stromverbrauch für CVD-Prozesse bietet.

Die Pumpen der Edwards iXM 1200-Serie sind kompakt und leichtgewichtig, kombiniert mit außergewöhnlich geringem Geräusch- und Vibrationspegel, was iXM zur vielseitigsten Trockenpumpe im Edwards-Sortiment macht. iXM wird Ihre Erwartungen an die Trockenvakuumpumpentechnologie verändern und echte Vorteile und längere Betriebszeiten bei minimaler Umweltbelastung bieten. iXM-Pumpen sind für den Einsatz in den meisten Halbleiterprozessen konzipiert und sorgen gleichzeitig für eine deutliche Reduzierung der Eingangsleistung. Eine vollständige Bedienungsanleitung finden Sie unter Downloads auf der Seite.

Funktionen und Vorteile:

• Hauptsächlich für saubere bis leicht raue chemische Anwendungen (siehe Anwendungsspektrum unten)
• Spitzensaugvermögen 1030 m3/h-1 (606 CFM)
• Enddruck 5,0 x 10-3 Torr
• Keine vorbeugende Wartung erforderlich
• 3/8 Zoll Quick Connect Wasserfüllungen
• Passende Hälften für Wasser- und Stromanschlüsse
• SS-Wasserkühlsystem
• Varimode-Gasmodul
  
  ANWENDUNGEN:
  • Ladesperre
  • Überweisen
  • Meteorologie
  • Lithografie
  • PVD-Prozess mit physikalischer Gasphasenabscheidung
  • Vorreinigung durch physikalische Gasphasenabscheidung (PVD).
  • Schnelle thermische Ausheilung RTA
  • Strippen/Veraschen
  • Radierung
  • Implantatquelle
  • High-Density Plasma Chemical Vapour Deposition HDP CVD
  • Schnelle thermische Verarbeitung RTP
  • Subatmosphärische chemische Gasphasenabscheidung (SACVD).
  • Chemische Wolframdampfabscheidung WCVD
  • Modifizierte chemische Gasphasenabscheidung (MCVD).
  • Plasmaverstärkte chemische Gasphasenabscheidung (PECVD).
  • Chemische Gasphasenabscheidung bei niedrigem Druck (LPCVD).