Kreisförmige Magnetron-Sputtertargets von Ideal Vacuum, Chrom – Cr-Sputtertarget, 3 Fuß Durchmesser x 0,25 Zoll dick, 99,95 Prozent Reinheit Ideal Vacuum Products, LLC. Dieses Produkt ist ein kreisförmiges Magnetron-Chrom – Cr-Sputtertarget mit einem Durchmesser von 3 Fuß x 0,25 Zoll Dicke. Es ist zu 99,95 % rein. Wir verwenden eine sehr wettbewerbsfähige Preisstrategie, um sicherzustellen, dass Sie Produkte von höchster Qualität zum bestmöglichen Preis erhalten, sodass Sie bei jedem Kauf sowohl Erschwinglichkeit als auch Exzellenz erhalten. Wir bieten jedem Kunden enorme Rabatte, Kunden, die Großbestellungen aufgeben, können enorme Einsparungen erzielen. Wir haben große Mengen unserer Produkte auf Lager, um unseren Kunden eine garantierte Lieferung am selben Tag nach der Bestellung zu bieten. Diese kurze Vorlaufzeit wird von all unseren Kunden geschätzt, die ihren Cashflow mit schnelleren Durchlaufzeiten verwalten möchten. Unsere Stammkunden können niedrigere Lagerbestände aufrechterhalten, die Lagerkosten senken und das Risiko der Veralterung minimieren. Der Kauf bei Ideal Vacuum bedeutet, dass ein Kunde sein Produkt schneller erhält, was die Zufriedenheit erhöht und seine dringendsten Bedürfnisse erfüllt. Dies ermöglicht es unseren Kunden auch, ihrer Konkurrenz einen Schritt voraus zu sein, indem sie sich schnell an neue Trends und Anforderungen anpassen.CHROM - Cr Chrom (Cr)-Sputtertargets werden aufgrund der hervorragenden mechanischen, chemischen und optischen Eigenschaften von Chrom häufig in Dünnschichtbeschichtungen verwendet. Hier ist eine kurze Zusammenfassung von Chrom-Sputtertargets in Dünnschichtbeschichtungen:1. Materialeigenschaften:Hohe Härte: Chrom ist ein sehr hartes Material und daher ideal für Dünnschichten, die Verschleißfestigkeit und Haltbarkeit erfordern.Korrosionsbeständigkeit: Chrom weist eine hervorragende Korrosionsbeständigkeit auf, insbesondere in rauen Umgebungen, was es für Schutzbeschichtungen nützlich macht.Haftvermittler: Chromdünnschichten werden häufig verwendet, um die Haftung zwischen verschiedenen Schichten zu verbessern, insbesondere bei Mehrschichtbeschichtungen.2. Abscheidungsmethoden: Gleichstromsputtern: Chrom ist ein leitfähiges Material, daher wird zur Abscheidung häufig Gleichstrom-Magnetronsputtern verwendet, um hohe Abscheidungsraten und gleichmäßige Filme sicherzustellen. HF-Sputtern: HF-Sputtern kann in speziellen Anwendungen verwendet werden, insbesondere in reaktiven Umgebungen, um Chromverbindungen zu bilden. Reaktives Sputtern: Chrom wird häufig in Gegenwart reaktiver Gase (z. B. Sauerstoff oder Stickstoff) gesputtert, um Chromoxid (Cr2O3) oder Chromnitrid (CrN) zu bilden, die spezielle Verwendungszwecke haben.3. Anwendungen:Dekorative Beschichtungen: Chrom wird aufgrund seiner glänzenden, reflektierenden Oberfläche und Haltbarkeit in dekorativen Dünnschichten für Gegenstände wie Uhren, Schmuck und Autoverkleidungen verwendet.Schutzbeschichtungen: Chromdünnschichten bieten Verschleißfestigkeit und Korrosionsschutz und sind daher ideal für Werkzeuge, Maschinenteile und chemische Verarbeitungsgeräte.Mikroelektronik: Chrom wird aufgrund seiner Stabilität und Leitfähigkeit in Dünnschichtwiderständen, elektrischen Kontakten und Diffusionsbarrieren in Halbleitergeräten verwendet.Optische Beschichtungen: Chromdünnschichten werden in reflektierenden Beschichtungen und Antireflexbeschichtungen für optische Geräte, Spiegel und Filter verwendet.Hartbeschichtungen: Chromverbindungen wie Chromnitrid (CrN) werden in Hartbeschichtungen für Schneidwerkzeuge, verschleißfeste Oberflächen und mechanische Teile verwendet.4. Filmeigenschaften: Mechanische Festigkeit: Chromdünnfilme sind hart und haltbar und bieten hervorragenden Schutz bei anspruchsvollen Anwendungen wie Werkzeugen und Industrieanlagen. Korrosionsbeständigkeit: Chromfilme widerstehen Oxidation und Korrosion und eignen sich daher ideal für Schutzbeschichtungen in Umgebungen mit aggressiven Chemikalien. Haftung: Chrom wird häufig als Haftschicht in Mehrschichtbeschichtungen verwendet und hilft beim Verbinden von Metallen, Glas und anderen Materialien. Optische Reflektivität: Chromdünnfilme bieten eine gute Reflektivität und werden aufgrund ihres glänzenden metallischen Aussehens in optischen und dekorativen Beschichtungen verwendet. 5. Reaktive Abscheidung: Chromoxid (Cr2O3): Chromoxid wird durch reaktives Sputtern in einer Sauerstoffumgebung gebildet und aufgrund seiner Härte, Verschleißfestigkeit und seines Korrosionsschutzes in Hochleistungsanwendungen verwendet. Chromnitrid (CrN): CrN wird durch Sputtern von Chrom in einer Stickstoffatmosphäre gebildet und in harten Beschichtungen für Schneidwerkzeuge und andere verschleißfeste Anwendungen verwendet. 6. Herausforderungen: Targetvergiftung: Bei reaktiven Sputterprozessen (z. B. Bildung von Cr2O3 oder CrN) kann es zu Targetvergiftungen kommen, die die Sputtereffizienz durch Bildung nichtmetallischer Verbindungen auf der Targetoberfläche verringern. Filmspannung: Chromfilme können während der Abscheidung innere Spannungen entwickeln, die die Filmhaftung und die mechanischen Eigenschaften beeinträchtigen, insbesondere bei dicken Schichten. Zusammenfassung: Chrom (Cr)-Sputtertargets werden aufgrund ihrer hohen Härte, Korrosionsbeständigkeit und hervorragenden Hafteigenschaften häufig in Dünnschichtbeschichtungen für Schutzschichten, dekorative Oberflächen, optische Beschichtungen und Mikroelektronik verwendet. DC-Sputtern wird typischerweise für eine effiziente Chromabscheidung verwendet, während reaktives Sputtern die Bildung von Verbindungen wie Chromoxid (Cr2O3) und Chromnitrid (CrN) ermöglicht, die in harten Beschichtungen für Schneidwerkzeuge und andere anspruchsvolle Anwendungen verwendet werden. Chromfilme bieten eine Kombination aus Haltbarkeit, Schutz und reflektierenden Eigenschaften, was sie für eine breite Palette von Branchen vielseitig einsetzbar macht. Hinweise: Für alle dielektrischen Targetmaterialien wird eine metallische oder elastomere Trägerplattenverbindung empfohlen, da diese Materialien Eigenschaften aufweisen, die sich nicht zum Sputtern eignen, wie z. B. Sprödigkeit und geringe Wärmeleitfähigkeit. Diese Targets sind aufgrund ihrer geringen Wärmeleitfähigkeit am anfälligsten für Thermoschocks und erfordern daher möglicherweise spezielle Verfahren zum Hoch- und Herunterfahren der Leistung während der Start- und Herunterfahrschritte.

Kreisförmige Magnetron-Sputtertargets von Ideal Vacuum, TITANOXID – TiO2-Sputtertarget, 3' Durchmesser x 0,125" Dicke, 99,99 Prozent Reinheit – weiß, metallisch mit einer OFHC-Kupferträgerplatte verbunden Ideal Vacuum Products, LLC. Dieses Produkt ist ein kreisförmiges Magnetron-TiO2-Sputtertarget (weiß) mit einem Durchmesser von 3' x 0,125" Dicke. Es ist 99,99 % rein und metallisch mit einer OFHC-Kupferträgerplatte (Oxygen-Free High Conductivity) verbunden. Wir verwenden eine sehr wettbewerbsfähige Preisstrategie, um sicherzustellen, dass Sie Produkte von höchster Qualität zum bestmöglichen Preis erhalten, sodass Sie bei jedem Kauf sowohl Erschwinglichkeit als auch Exzellenz erhalten. Wir bieten jedem Kunden enorme Rabatte, Kunden, die Großbestellungen aufgeben, können enorme Einsparungen erzielen. Wir haben große Mengen unserer Produkte auf Lager, um unseren Kunden eine garantierte Lieferung am selben Tag nach der Bestellung zu bieten. Diese kurze Vorlaufzeit wird von all unseren Kunden geschätzt, die ihren Cashflow mit schnelleren Durchlaufzeiten verwalten möchten. Unsere Stammkunden können ihre Lagerbestände senken, die Lagerkosten senken und das Risiko der Veralterung minimieren. Wenn ein Kunde bei Ideal Vacuum kauft, erhält er sein Produkt schneller, was seine Zufriedenheit steigert und seine dringendsten Bedürfnisse erfüllt. Dies ermöglicht es unseren Kunden auch, ihrer Konkurrenz einen Schritt voraus zu sein, indem sie sich schnell an neue Trends und Anforderungen anpassen. Titandioxid Titandioxid (TiO2) ist eine weiße, kristalline chemische Verbindung, die aufgrund ihres hohen Brechungsindex und ihrer Stabilität weit verbreitet ist. Es kommt in drei Hauptformen vor: Rutil, Anatas und Brookit. TiO2 wird aufgrund seiner hervorragenden Opazität und Helligkeit hauptsächlich als Pigment in Farben, Beschichtungen und Kunststoffen verwendet. Titandioxid (weiß) wird in optischen Beschichtungen hauptsächlich aufgrund seines hohen Brechungsindex verwendet, was es ideal für Antireflex-, Interferenz- und hochreflektierende Beschichtungen macht. Es wird in mehrschichtigen optischen Designs wie dielektrischen Spiegeln und Filtern verwendet und verbessert die Reflexion oder Transmission in bestimmten Wellenlängenbereichen. Seine Stabilität und Transparenz im sichtbaren bis nahen Infrarotspektrum machen es auch für Linsen, Strahlteiler und Schutzbeschichtungen geeignet, bei denen eine präzise Lichtsteuerung und hohe optische Qualität erforderlich sind. RF- vs. DC-Sputtern: RF-Sputtern ist oft die bevorzugte Methode zum Sputtern reiner Metalloxide, da diese Isolatoren sind und RF ein alternierendes elektrisches Feld hat, das Ladungsaufbau auf der Zieloberfläche verhindert. Dieses alternierende Feld reduziert die Ladungsansammlung, die sonst beim DC-Sputtern zu Lichtbögen führen würde.Abscheidungsrate: Niedrigere Abscheidungsrate: Beim RF-Sputtern ist die Leistungsübertragung auf das Plasma im Vergleich zu DC weniger effizient, hauptsächlich aufgrund der alternierenden Natur des elektrischen Felds. Dies führt zu einer niedrigeren Abscheidungsrate im Vergleich zum DC-Sputtern unter gleichwertigen Leistungsbedingungen.Zielmaterial: Bei leitfähigen Zielen (wie Titan beim reaktiven Sputtern) hat DC-Sputtern eine höhere Abscheidungsrate. Für isolierende Ziele wie reine Metalloxide muss HF-Sputtern verwendet werden, und die Abscheidungsraten sind typischerweise niedriger. Leistungsstufen: Eine Erhöhung der Leistung kann die Abscheidungsraten sowohl beim HF- als auch beim Gleichstrom-Sputtern erhöhen, aber die Abscheidungsraten sind bei leitfähigen Materialien bei Gleichstrom tendenziell immer noch höher. Druck und Gasfluss: Höhere Abscheidungsraten können durch Optimierung des Gasdrucks und -flusses erzielt werden, wobei unterschiedliche optimale Bedingungen für HF gegenüber Gleichstrom gelten. Hinweise: Für alle dielektrischen Zielmaterialien wird die Verbindung einer metallischen oder elastomeren Trägerplatte empfohlen, da diese Materialien Eigenschaften aufweisen, die sich nicht zum Sputtern eignen, wie z. B. Sprödigkeit und geringe Wärmeleitfähigkeit. Diese Ziele sind aufgrund ihrer geringen Wärmeleitfähigkeit am anfälligsten für Thermoschocks und erfordern daher möglicherweise spezielle Verfahren zum Hoch- und Herunterfahren der Leistung während der An- und Abschaltschritte.

Kreisförmige Magnetron-Sputtertargets von Ideal Vacuum, ZIRKONIUMOXID – ZrO2-Sputtertarget, 3' Durchmesser x 0,125" Dicke, 99,99 % Reinheit, metallisch gebunden an eine OFHC-Kupferträgerplatte Ideal Vacuum Products, LLC. Dieses Produkt ist ein kreisförmiges Magnetron-ZrO2-Sputtertarget mit 3' Durchmesser x 0,125" Dicke. Es ist 99,99 % rein und metallisch gebunden an eine OFHC-Kupferträgerplatte (Oxygen-Free High Conductivity). Wir verwenden eine sehr wettbewerbsfähige Preisstrategie, um sicherzustellen, dass Sie Produkte von höchster Qualität zum bestmöglichen Preis erhalten, sodass Sie bei jedem Kauf sowohl Erschwinglichkeit als auch Exzellenz erhalten. Wir bieten jedem Kunden enorme Rabatte, Kunden, die Großbestellungen aufgeben, können enorme Einsparungen genießen. Wir haben große Mengen unserer Produkte auf Lager, um unseren Kunden eine garantierte Lieferung am selben Tag nach der Bestellung zu bieten. Diese kurze Vorlaufzeit wird von all unseren Kunden geschätzt, die ihren Cashflow mit schnelleren Durchlaufzeiten verwalten möchten. Unsere Stammkunden können ihre Lagerbestände senken, die Lagerkosten senken und das Risiko der Veralterung minimieren. Wenn ein Kunde bei Ideal Vacuum kauft, erhält er sein Produkt schneller, was die Zufriedenheit erhöht und seine dringendsten Bedürfnisse erfüllt. Dies ermöglicht es unseren Kunden auch, ihrer Konkurrenz einen Schritt voraus zu sein, indem sie sich schnell an neue Trends und Anforderungen anpassen. Zirkoniumoxid Zirkoniumdioxid (ZrO2), auch als Zirkonia bekannt, ist eine anorganische Verbindung aus Zirkonium und Sauerstoff. Es ist ein weißer, kristalliner Feststoff, der für seine außergewöhnliche Härte, chemische Stabilität und seinen hohen Schmelzpunkt bekannt ist. ZrO2 wird aufgrund seiner robusten physikalischen Eigenschaften und Vielseitigkeit häufig in verschiedenen industriellen und wissenschaftlichen Anwendungen eingesetzt. Zirkoniumdioxid (ZrO2) wird aufgrund seiner außergewöhnlichen thermischen, chemischen und optischen Eigenschaften häufig in Dünnschichtbeschichtungen verwendet. Sein hoher Brechungsindex, seine chemische Stabilität und seine mechanische Haltbarkeit machen es zu einem idealen Material für eine Vielzahl fortschrittlicher Dünnschichtanwendungen. Im Folgenden sind die Hauptanwendungen von ZrO2 in Dünnschichtbeschichtungen aufgeführt: 1. Optische Beschichtungen. 2. Dielektrische Schichten.3.Schutz- und Barrierebeschichtungen4. Thermische Barrierebeschichtungen. Dünne Zirkoniumdioxidfilme werden aufgrund ihrer einzigartigen Kombination aus hohem Brechungsindex, dielektrischer Festigkeit und thermischer Stabilität in einer Vielzahl von fortschrittlichen Anwendungen eingesetzt, darunter optische Geräte, Mikroelektronik, Schutzbeschichtungen und Hochtemperatursysteme. RF- vs. DC-Sputtern: RF-Sputtern ist oft die bevorzugte Methode zum Sputtern reiner Metalloxide, da diese Isolatoren sind und RF ein alternierendes elektrisches Feld hat, das eine Ladungsbildung auf der Zieloberfläche verhindert. Dieses alternierende Feld reduziert die Ladungsansammlung, die sonst beim DC-Sputtern zu Lichtbögen führen würde.Abscheidungsrate: Niedrigere Abscheidungsrate: Beim RF-Sputtern ist die Leistungsübertragung auf das Plasma im Vergleich zum DC-Sputtern weniger effizient, hauptsächlich aufgrund der alternierenden Natur des elektrischen Felds. Dies führt zu einer niedrigeren Abscheidungsrate im Vergleich zum DC-Sputtern unter gleichwertigen Leistungsbedingungen.Zielmaterial: Bei leitfähigen Zielen (wie Titan beim reaktiven Sputtern) hat das DC-Sputtern eine höhere Abscheidungsrate. Für isolierende Ziele wie reine Metalloxide muss HF-Sputtern verwendet werden, und die Abscheidungsraten sind typischerweise niedriger. Leistungsstufen: Eine Erhöhung der Leistung kann die Abscheidungsraten sowohl beim HF- als auch beim Gleichstrom-Sputtern erhöhen, aber die Abscheidungsraten sind bei leitfähigen Materialien bei Gleichstrom tendenziell immer noch höher. Druck und Gasfluss: Höhere Abscheidungsraten können durch Optimierung des Gasdrucks und -flusses erzielt werden, wobei unterschiedliche optimale Bedingungen für HF gegenüber Gleichstrom gelten. Hinweise: Für alle dielektrischen Zielmaterialien wird die Verbindung einer metallischen oder elastomeren Trägerplatte empfohlen, da diese Materialien Eigenschaften aufweisen, die sich nicht zum Sputtern eignen, wie z. B. Sprödigkeit und geringe Wärmeleitfähigkeit. Diese Ziele sind aufgrund ihrer geringen Wärmeleitfähigkeit am anfälligsten für Thermoschocks und erfordern daher möglicherweise spezielle Verfahren zum Hoch- und Herunterfahren der Leistung während der An- und Abschaltschritte.

Kreisförmige Magnetron-Sputtertargets von Ideal Vacuum, TITANNITRID-TiN-Sputtertarget, 3' Durchmesser x 0,125" Dicke, 99,5 Prozent Reinheit, metallisch gebunden an eine OFHC-Kupferträgerplatte. Ideal Vacuum Products, LLC. Dieses Produkt ist ein kreisförmiges Magnetron-TITANNITRID-TiN-Sputtertarget mit einem Durchmesser von 3' x 0,125" Dicke. Es ist 99,5 % rein und metallisch gebunden an eine OFHC-Kupferträgerplatte (Oxygen-Free High Conductivity). Wir verwenden eine sehr wettbewerbsfähige Preisstrategie, um sicherzustellen, dass Sie Produkte von höchster Qualität zum bestmöglichen Preis erhalten, sodass Sie bei jedem Kauf sowohl Erschwinglichkeit als auch Exzellenz erhalten. Wir bieten jedem Kunden enorme Rabatte, Kunden, die Großbestellungen aufgeben, können enorme Einsparungen erzielen. Wir haben große Mengen unserer Produkte auf Lager, um unseren Kunden eine garantierte Lieferung am selben Tag nach der Bestellung zu bieten. Diese kurze Vorlaufzeit wird von all unseren Kunden geschätzt, die ihren Cashflow mit schnelleren Durchlaufzeiten verwalten möchten. Unsere Stammkunden können ihre Lagerbestände senken, die Lagerkosten senken und das Risiko der Veralterung minimieren. Wenn ein Kunde bei Ideal Vacuum kauft, erhält er sein Produkt schneller, was die Zufriedenheit erhöht und seine dringendsten Bedürfnisse erfüllt. Dies ermöglicht es unseren Kunden auch, ihrer Konkurrenz einen Schritt voraus zu sein, indem sie sich schnell an neue Trends und Anforderungen anpassen.TITANNITRID – TiNTitannitrid (TiN) ist aufgrund seiner einzigartigen Kombination aus mechanischen, elektrischen und optischen Eigenschaften ein beliebtes Material für Dünnfilme. Hier ist eine Zusammenfassung seiner wichtigsten Merkmale und Verwendungen in Dünnfilmen:Brechungsindex: TiN hat einen relativ hohen Brechungsindex (~2,4 bis 3,0 im sichtbaren Bereich), was es für optische Anwendungen nützlich macht, bei denen eine hohe Reflexion oder bestimmte Interferenzeffekte erforderlich sind.Mechanische Eigenschaften: TiN ist extrem hart und verschleißfest und hat eine Härte, die der von Diamant nahekommt. Es wird häufig als Schutzbeschichtung für Schneidwerkzeuge, Bearbeitungskomponenten und verschleißfeste Oberflächen verwendet. Chemische und thermische Stabilität: TiN ist chemisch inert, korrosionsbeständig und stabil bei hohen Temperaturen, wodurch es sich für raue Umgebungen und Hochtemperaturanwendungen eignet. Elektrische Leitfähigkeit: TiN ist elektrisch leitfähig, was für ein keramisches Material ungewöhnlich ist. Dies macht es in der Mikroelektronik als Diffusionsbarriere und leitfähige Beschichtung für Komponenten wie Elektroden nützlich.Abscheidungsmethoden: TiN kann mithilfe verschiedener Techniken abgeschieden werden, darunter DC- oder RF-Sputtern, reaktives Sputtern (mit einem Titantarget und Stickstoffgas) und physikalische Gasphasenabscheidung (PVD).Farbe und Aussehen: TiN hat ein charakteristisches goldgelbes Aussehen, weshalb es auch für dekorative Beschichtungen auf Schmuck und Luxusartikeln verwendet wird.Anwendungen: Häufig in optischen Beschichtungen, Mikroelektronik, Schneidwerkzeugbeschichtungen, Schutzschichten, Diffusionsbarrieren und dekorativen Oberflächen.Zusammenfassend lässt sich sagen, dass Titannitrid in Dünnschichtanwendungen aufgrund seiner Härte, Korrosionsbeständigkeit und elektrischen Leitfähigkeit sehr geschätzt wird, was es zu einer vielseitigen Wahl in Branchen von der Werkzeugherstellung bis hin zu Elektronik und Optik macht.RF- vs. DC-Sputtern: RF-Sputtern ist oft die bevorzugte Methode zum Sputtern reiner Metalloxide, da diese Isolatoren sind und RF ein alternierendes elektrisches Feld hat, das eine Ladungsbildung auf der Targetoberfläche verhindert. Dieses Wechselfeld reduziert die Ladungsansammlung, die sonst beim DC-Sputtern zu Lichtbögen führen würde.Abscheidungsrate: Niedrigere Abscheidungsrate: Beim RF-Sputtern ist die Leistungsübertragung auf das Plasma im Vergleich zu DC weniger effizient, was hauptsächlich an der Wechselnatur des elektrischen Felds liegt. Dies führt zu einer niedrigeren Abscheidungsrate im Vergleich zum DC-Sputtern unter gleichwertigen Leistungsbedingungen.Zielmaterial: Bei leitfähigen Zielen (wie Titan beim reaktiven Sputtern) weist das DC-Sputtern eine höhere Abscheidungsrate auf. Bei isolierenden Zielen wie reinen Metalloxiden muss RF-Sputtern verwendet werden, und die Abscheidungsraten sind typischerweise niedriger.Leistungsstufen: Eine Leistungssteigerung kann die Abscheidungsraten sowohl beim RF- als auch beim DC-Sputtern erhöhen, aber die Abscheidungsraten sind bei leitfähigen Materialien bei DC immer noch tendenziell höher. Druck und Gasfluss: Höhere Abscheidungsraten können durch Optimierung des Gasdrucks und -flusses mit unterschiedlichen optimalen Bedingungen für RF gegenüber DC erreicht werden. Hinweise: Für alle dielektrischen Targetmaterialien wird eine metallische oder elastomere Trägerplattenverbindung empfohlen, da diese Materialien Eigenschaften aufweisen, die sich nicht zum Sputtern eignen, wie z. B. Sprödigkeit und geringe Wärmeleitfähigkeit. Diese Targets sind aufgrund ihrer geringen Wärmeleitfähigkeit am anfälligsten für Thermoschocks und erfordern daher möglicherweise spezielle Verfahren zum Hoch- und Herunterfahren der Leistung während der Start- und Herunterfahrschritte.

Kreisförmige Magnetron-Sputtertargets von Ideal Vacuum, NIOBIUM-Nb-Sputtertarget, 3' Durchmesser x 0,25" Dicke, 99,95 Prozent Reinheit. Ideal Vacuum Products, LLC. Dieses Produkt ist ein kreisförmiges Magnetron-Sputtertarget aus NIOBIUM-Nb mit einem Durchmesser von 3' x 0,25" Dicke. Es ist zu 99,95 % rein. Wir verwenden eine sehr wettbewerbsfähige Preisstrategie, um sicherzustellen, dass Sie Produkte von höchster Qualität zum bestmöglichen Preis erhalten, sodass Sie bei jedem Kauf sowohl Erschwinglichkeit als auch Exzellenz erhalten. Wir bieten jedem Kunden enorme Rabatte, Kunden, die Großbestellungen aufgeben, profitieren von enormen Einsparungen. Wir haben große Mengen unserer Produkte auf Lager, um unseren Kunden eine garantierte Lieferung am selben Tag nach der Bestellung zu bieten. Diese kurze Vorlaufzeit wird von all unseren Kunden geschätzt, die ihren Cashflow mit schnelleren Durchlaufzeiten verwalten möchten. Unsere Stammkunden können niedrigere Lagerbestände aufrechterhalten, die Lagerkosten senken und das Risiko der Veralterung minimieren. Der Kauf bei Ideal Vacuum bedeutet, dass ein Kunde sein Produkt schneller erhält, was die Zufriedenheit erhöht und seine dringendsten Bedürfnisse erfüllt. Dies ermöglicht es unseren Kunden auch, ihrer Konkurrenz einen Schritt voraus zu sein, indem sie sich schnell an neue Trends und Anforderungen anpassen.NIOB - Nb Niob (Nb)-Sputtertargets werden aufgrund der einzigartigen elektrischen, mechanischen und supraleitenden Eigenschaften von Niob häufig bei der Dünnschichtabscheidung verwendet. Hier ist eine kurze Zusammenfassung von Niob-Sputtertargets in Dünnschichten: 1. Materialeigenschaften:Hoher Schmelzpunkt: Niob hat einen hohen Schmelzpunkt (~2477 °C), wodurch es für Hochtemperaturanwendungen geeignet ist.Korrosionsbeständigkeit: Niob ist oxidations- und korrosionsbeständig, insbesondere in sauren Umgebungen.Supraleitung: Niob ist ein Schlüsselmaterial in supraleitenden Anwendungen, insbesondere aufgrund seiner hohen kritischen Temperatur (Tc) und seiner Fähigkeit, große supraleitende Ströme zu leiten.Elektrische Leitfähigkeit: Niob ist ein leitfähiges Material, was es für elektronische und elektrische Dünnschichtanwendungen nützlich macht.2. Abscheidungsmethoden: DC-Sputtern: Da Niob leitfähig ist, wird häufig DC-Magnetronsputtern verwendet, das effiziente Abscheidungsraten bietet. HF-Sputtern: HF-Sputtern kann für spezielle Anwendungen oder in Verbindung mit reaktivem Sputtern verwendet werden, um Niobverbindungen zu bilden. Reaktives Sputtern: Niob kann in einer reaktiven Atmosphäre (z. B. mit Sauerstoff oder Stickstoff) gesputtert werden, um Nioboxid (Nb2O5) oder Niobnitrid (NbN) für spezielle Anwendungen zu bilden. 3. Anwendungen: Supraleitende Filme: Niob ist ein Schlüsselmaterial in supraleitenden Filmen, die in supraleitenden Quanteninterferenzgeräten (SQUIDs), supraleitenden Schaltkreisen und Teilchenbeschleunigern verwendet werden. Mikroelektronik: Niobdünnfilme werden aufgrund ihrer hervorragenden Leitfähigkeit und Stabilität in Kondensatoren, Verbindungselementen und als Diffusionsbarrieren in der Mikroelektronik verwendet. Optische Beschichtungen: Niob wird in reflektierenden Beschichtungen und optischen Filtern verwendet. Durch reaktives Sputtern entsteht Niobpentoxid (Nb2O5), das in optischen Beschichtungen mit hohem Brechungsindex verwendet wird.Schutzbeschichtungen: Aufgrund seiner Korrosions- und Oxidationsbeständigkeit eignet sich Niob für Schutzbeschichtungen bei der chemischen Verarbeitung und für Hochleistungsanwendungen.Niobnitrid (NbN): NbN wird durch reaktives Sputtern gebildet und in supraleitenden Filmen, Hartbeschichtungen und verschleißfesten Schichten verwendet.4. Filmeigenschaften:Supraleitung: Dünne Niobfilme weisen bei niedrigen Temperaturen Supraleitung auf, was sie für Quantencomputer und supraleitende Hochleistungsschaltkreise unverzichtbar macht.Korrosionsbeständigkeit: Niobfilme bieten hervorragenden Korrosionsschutz, insbesondere in aggressiven Umgebungen, und eignen sich daher für Schutz- und Barriereschichten.Optische Eigenschaften: Filme aus Nioboxid (Nb2O5) haben einen hohen Brechungsindex (~2,2) und werden in optischen Beschichtungen verwendet.Mechanische Festigkeit: Niobfilme sind stark und langlebig, was sie für Anwendungen geeignet macht, bei denen Verschleißfestigkeit erforderlich ist.5. Reaktive Abscheidung:Niobpentoxid (Nb2O5): Nb2O5 entsteht durch reaktives Sputtern mit Sauerstoff und wird aufgrund seiner hohen Dielektrizitätskonstante und optischen Transparenz in optischen Beschichtungen, Dielektrika und Kondensatoren verwendet.Niobnitrid (NbN): NbN-Filme werden in supraleitenden Anwendungen sowie in harten Beschichtungen für Schneidwerkzeuge und verschleißfeste Oberflächen verwendet.6. Herausforderungen:Zielvergiftung: Beim reaktiven Sputtern kann es zu einer Zielvergiftung kommen, bei der sich nichtmetallische Verbindungen (z. B. Oxide oder Nitride) auf dem Ziel bilden, wodurch die Sputtereffizienz verringert wird.Innere Spannung: Niobfilme können während der Abscheidung innere Spannungen entwickeln, die die mechanischen Eigenschaften und die Haftung des Films beeinträchtigen können.Zusammenfassung:Niob (Nb)-Sputtertargets werden häufig in dünnen Filmen für Anwendungen in den Bereichen Supraleitung, Mikroelektronik, optische Beschichtungen und Schutzschichten verwendet. DC-Sputtern wird häufig zum Aufbringen dünner Niobschichten verwendet, während reaktives Sputtern zum Bilden von Niobverbindungen wie Nb2O5 (optische Beschichtungen, Dielektrika) und NbN (supraleitende Schichten, harte Beschichtungen) verwendet wird. Dünne Niobschichten werden in verschiedenen Branchen wegen ihrer supraleitenden Eigenschaften, Korrosionsbeständigkeit und mechanischen Haltbarkeit geschätzt. Hinweise: Für alle dielektrischen Zielmaterialien wird eine metallische oder elastomere Trägerplattenverbindung empfohlen, da diese Materialien Eigenschaften aufweisen, die sich nicht durch Sputtern bewähren, wie z. B. Sprödigkeit und geringe Wärmeleitfähigkeit. Diese Ziele sind aufgrund ihrer geringen Wärmeleitfähigkeit am anfälligsten für Thermoschocks und erfordern daher möglicherweise spezielle Verfahren zum Hoch- und Herunterfahren der Leistung während der Anlauf- und Herunterfahrschritte.

Kreisförmige Magnetron-Sputtertargets von Ideal Vacuum, SILIZIUM – Si (undotiert) Sputtertarget, 3' Durchmesser x 0,125" Dicke, 99,999 Prozent Reinheit, metallisch mit einer OFHC-Kupferträgerplatte verbunden. Ideal Vacuum Products, LLC. Dieses Produkt ist ein kreisförmiges Magnetron-SILIZIUM – Si (undotiert) Sputtertarget mit einem Durchmesser von 3' x 0,125" Dicke. Es ist 99,999 % rein und metallisch mit einer OFHC-Kupferträgerplatte (Oxygen-Free High Conductivity) verbunden. Wir verwenden eine sehr wettbewerbsfähige Preisstrategie, um sicherzustellen, dass Sie Produkte von höchster Qualität zum bestmöglichen Preis erhalten, sodass Sie bei jedem Kauf sowohl Erschwinglichkeit als auch Exzellenz erhalten. Wir bieten jedem Kunden enorme Rabatte, Kunden, die Großbestellungen aufgeben, können enorme Einsparungen erzielen. Wir haben große Mengen unserer Produkte auf Lager, um unseren Kunden eine garantierte Lieferung am selben Tag nach der Bestellung zu bieten. Diese kurze Vorlaufzeit wird von all unseren Kunden geschätzt, die ihren Cashflow mit schnelleren Durchlaufzeiten verwalten möchten. Unsere Stammkunden können ihre Lagerbestände senken, die Lagerkosten senken und das Risiko der Veralterung minimieren. Wenn ein Kunde bei Ideal Vacuum kauft, erhält er sein Produkt schneller, was die Zufriedenheit erhöht und seine dringendsten Bedürfnisse erfüllt. Dies ermöglicht es unseren Kunden auch, der Konkurrenz einen Schritt voraus zu sein, indem sie sich schnell an neue Trends und Anforderungen anpassen. SILIZIUM – Si (undotiert) SILIZIUM – Si (undotiert): Ein undotiertes Silizium (Si)-Sputtertarget wird in verschiedenen Branchen häufig zur Dünnschichtabscheidung verwendet, insbesondere in Halbleitern, Optoelektronik und Solarzellen. Hier ist eine Zusammenfassung seiner wichtigsten Eigenschaften: 1. Materialeigenschaften: Elektrische Leitfähigkeit: Undotiertes Silizium ist ein Halbleiter mit relativ geringer elektrischer Leitfähigkeit bei Raumtemperatur. Es erfordert eine sorgfältige Handhabung bei Anwendungen, bei denen Leitfähigkeit wichtig ist, obwohl es bei erhöhten Temperaturen leitfähig wird. Reinheit: Hochreine undotierte Siliziumtargets werden häufig in Halbleiteranwendungen verwendet, wobei die typische Reinheit bei Materialien in Elektronikqualität 99,99 % oder sogar 99,999 % übersteigt. Kristalline Struktur: Siliziumtargets können entweder amorph, polykristallin oder monokristallin sein. Die Wahl der Struktur beeinflusst die Eigenschaften des Films, wobei monokristallines Silizium für Dünnschichtanwendungen überlegene elektrische Eigenschaften bietet.> 2. Abscheidungsmethoden: HF-Sputtern: Da undotiertes Silizium ein Halbleiter ist, wird HF-Sputtern typischerweise für die Dünnschichtabscheidung verwendet. Dies ist notwendig, da DC-Sputtern zu einer Ladungsbildung auf dem Target führen würde, was es für nichtleitende oder halbleitende Materialien wie undotiertes Silizium ineffizient machen würde. Filmqualität: Filme, die mit undotierten Siliziumtargets abgeschieden werden, können sehr gleichmäßig sein und werden häufig bei der Herstellung von Halbleitern, optischen Beschichtungen und Photovoltaik verwendet.> 3. Anwendungen: Mikroelektronik: Undotierte Silizium-Sputtertargets sind für die Herstellung dünner Filme in integrierten Schaltkreisen, Transistoren und anderen Halbleiterbauelementen unverzichtbar. Solarzellen: Dünne Filme aus undotiertem Silizium (insbesondere amorphes Silizium oder mikrokristallines Silizium) werden in Solarzellen zur Energieumwandlung verwendet. Optoelektronik: Siliziumfilme werden in Infrarotdetektoren, Photodetektoren und MEMS-Geräten eingesetzt. Passivierungsschichten: Bei der Herstellung von Halbleitergeräten werden Siliziumfilme als Passivierungsschichten oder als Basismaterial für eine nachfolgende Dotierung oder Oxidation verwendet.> 4. Filmeigenschaften: Elektrische Eigenschaften: Siliziumfilme aus undotiertem Siliziumtargets sind intrinsische Halbleiter, d. h. sie haben eine geringe Leitfähigkeit, sofern sie nicht dotiert oder externen Faktoren (z. B. Temperatur oder Licht) ausgesetzt werden. Optische Eigenschaften: Undotierte Siliziumdünnfilme sind im sichtbaren Spektrum undurchsichtig, im Infrarotbereich jedoch transparent, wodurch sie für IR-Optik und photonische Anwendungen geeignet sind.> 5. Herausforderungen: Ladungsaufbau: Als Halbleiter kann undotiertes Silizium aufgrund von Ladungsaufbau auf dem Target nicht effizient mit Gleichstrommethoden gesputtert werden, daher ist HF-Sputtern unerlässlich, um eine gleichmäßige Abscheidung zu gewährleisten. Zielqualität: Die Reinheit und die kristalline Struktur des Siliziumziels müssen sorgfältig kontrolliert werden, um Defekte in den abgeschiedenen Dünnfilmen zu vermeiden, insbesondere bei Hochleistungshalbleiter- und optischen Anwendungen.> Zusammenfassung: Ein undotiertes Silizium-Sputterziel wird hauptsächlich in Halbleitern, Solarzellen und der Optoelektronik verwendet. Aufgrund seiner halbleitenden Natur wird typischerweise HF-Sputtern eingesetzt, um eine Ladungsbildung auf dem Ziel zu vermeiden. Aus undotiertem Silizium hergestellte Filme werden aufgrund ihrer elektrischen, optischen und mechanischen Eigenschaften verwendet, wobei die Anwendungsgebiete von integrierten Schaltkreisen bis hin zur Infrarotoptik reichen. Hinweise: Für alle dielektrischen Zielmaterialien wird eine metallische oder elastomere Trägerplattenverbindung empfohlen, da diese Materialien Eigenschaften aufweisen, die sich nicht durch Sputtern bewähren, wie z. B. Sprödigkeit und geringe Wärmeleitfähigkeit. Diese Ziele sind aufgrund ihrer geringen Wärmeleitfähigkeit am anfälligsten für Thermoschocks und erfordern daher möglicherweise spezielle Verfahren zum Hoch- und Herunterfahren der Leistung während der Start- und Herunterfahrschritte.

Kreisförmige Magnetron-Sputtertargets von Ideal Vacuum, NICKEL - Ni-Sputtertarget, 3' Durchmesser x 0,02" Dicke, 99,99 Prozent Reinheit. Ideal Vacuum Products, LLC. Dieses Produkt ist ein kreisförmiges Magnetron-Sputtertarget aus NICKEL - Ni mit einem Durchmesser von 3' x 0,02" Dicke. Es ist 99,99 % rein. Wir verwenden eine sehr wettbewerbsfähige Preisstrategie, um sicherzustellen, dass Sie Produkte von höchster Qualität zum bestmöglichen Preis erhalten, sodass Sie bei jedem Kauf sowohl Erschwinglichkeit als auch Exzellenz erhalten. Wir bieten jedem Kunden enorme Rabatte, Kunden, die Großbestellungen aufgeben, können enorme Einsparungen erzielen. Wir haben große Mengen unserer Produkte auf Lager, um unseren Kunden eine garantierte Lieferung am selben Tag nach der Bestellung zu bieten. Diese kurze Vorlaufzeit wird von all unseren Kunden geschätzt, die ihren Cashflow mit schnelleren Durchlaufzeiten verwalten möchten. Unsere Stammkunden können niedrigere Lagerbestände aufrechterhalten, die Lagerkosten senken und das Risiko der Veralterung minimieren. Der Kauf bei Ideal Vacuum bedeutet, dass ein Kunde sein Produkt schneller erhält, was die Zufriedenheit erhöht und seine dringendsten Bedürfnisse erfüllt. Dies ermöglicht es unseren Kunden auch, ihrer Konkurrenz einen Schritt voraus zu sein, indem sie sich schnell an neue Trends und Anforderungen anpassen. NICKEL – Ni Nickel (Ni)-Sputtertargets werden aufgrund der mechanischen, magnetischen und chemischen Eigenschaften von Nickel häufig für die Dünnschichtabscheidung in verschiedenen industriellen und technologischen Anwendungen verwendet. Hier ist eine kurze Zusammenfassung von Nickel-Sputtertargets in Dünnschichten: 1. Materialeigenschaften: Magnetische Eigenschaften: Nickel ist ein ferromagnetisches Material, was es für magnetische Dünnschichtanwendungen wie Datenspeicherung und Sensoren nützlich macht. Elektrische Leitfähigkeit: Nickel ist ein guter Leiter und daher für elektrische und mikroelektronische Anwendungen geeignet. Korrosionsbeständigkeit: Nickel hat eine ausgezeichnete Korrosionsbeständigkeit, insbesondere in leicht korrosiven Umgebungen, was es ideal für Schutzbeschichtungen macht. 2. Abscheidungsmethoden: DC-Sputtern: Nickel ist ein leitfähiges Material und wird normalerweise mit DC-Magnetronsputtern gesputtert, was eine effiziente Abscheidung und höhere Sputterraten ermöglicht. HF-Sputtern: Obwohl es bei Nickel weniger üblich ist, kann HF-Sputtern bei Bedarf in speziellen Anwendungen eingesetzt werden. Reaktives Sputtern: Nickel kann in reaktiven Umgebungen gesputtert werden, um Nickeloxid (NiO) oder andere Verbindungen für bestimmte Anwendungen zu bilden. 3. Anwendungen: Mikroelektronik: Nickel wird aufgrund seiner elektrischen Leitfähigkeit und thermischen Stabilität in Dünnschichtwiderständen, Verbindungen und Kontakten in Halbleitergeräten verwendet. Magnetische Speichergeräte: Nickel ist ein Schlüsselmaterial in magnetischen Dünnschichten für den Einsatz in Festplatten, Magnetsensoren und Spintronikgeräten. Schutzbeschichtungen: Nickeldünnschichten werden häufig als korrosionsbeständige Beschichtungen in industriellen und chemischen Verarbeitungsumgebungen aufgetragen. Katalysatoren: Nickeldünnschichten werden als Katalysatoren in bestimmten chemischen Reaktionen verwendet, insbesondere bei der Wasserstoffproduktion und in Brennstoffzellen. 4. Filmeigenschaften: Mechanische Festigkeit: Dünne Nickelfilme weisen eine hohe Festigkeit und gute Haftung auf verschiedenen Substraten auf, wodurch sie sich für Schutzbeschichtungen eignen. Magnetische Eigenschaften: Dünne Nickelfilme behalten ihre magnetischen Eigenschaften, wodurch sie sich ideal für magnetische Geräte und Sensoren eignen. Korrosionsbeständigkeit: Nickelfilme bieten einen wirksamen Schutz gegen Korrosion und Oxidation in verschiedenen Umgebungen. Elektrische Leitfähigkeit: Dünne Nickelfilme haben eine gute Leitfähigkeit, wodurch sie in der Elektronik und bei elektrischen Kontakten wertvoll sind. 5. Reaktive Abscheidung: Nickeloxid (NiO): Nickeltargets können in einer sauerstoffreichen Umgebung gesputtert werden, um Nickeloxidfilme zu bilden, die in elektrochromen Geräten, Batterien und Gassensoren Anwendung finden. 6. Herausforderungen: Magnetische Interferenz: Da Nickel ein ferromagnetisches Material ist, müssen bei Sputtersystemen besondere Überlegungen angestellt werden, um Interferenzen mit dem Magnetfeld der Sputteranlage zu vermeiden, insbesondere beim Magnetronsputtern. Spannung in dünnen Filmen: Nickelfilme können während der Abscheidung innere Spannungen entwickeln, die die Haftung und die mechanischen Eigenschaften des Films beeinträchtigen können. Zusammenfassung: Nickel-Sputtertargets (Ni) werden aufgrund der magnetischen, leitfähigen und korrosionsbeständigen Eigenschaften von Nickel häufig für die Abscheidung dünner Filme in der Mikroelektronik, in magnetischen Geräten und für Schutzbeschichtungen verwendet. Nickeldünnfilme werden üblicherweise durch Gleichstromsputtern aufgebracht und finden Verwendung in elektronischen Bauteilen, magnetischen Speichermedien, Schutzschichten und in der Katalyse. Nickeloxidfilme (NiO) können auch durch reaktives Sputtern für bestimmte Funktionsanwendungen erzeugt werden. Hinweise: Für alle dielektrischen Targetmaterialien wird eine metallische oder elastomere Trägerplattenbindung empfohlen, da diese Materialien Eigenschaften aufweisen, die sich nicht durch Sputtern eignen, wie z. B. Sprödigkeit und geringe Wärmeleitfähigkeit. Diese Ziele sind aufgrund ihrer geringen Wärmeleitfähigkeit besonders anfällig für einen Thermoschock und erfordern daher während der Start- und Herunterfahrschritte möglicherweise spezielle Verfahren zum Hoch- und Herunterfahren der Leistung.

Kreisförmige Magnetron-Sputtertargets von Ideal Vacuum, TANTAL - Ta-Sputtertarget, 3' Durchmesser x 0,25" Dicke, 99,95 Prozent Reinheit. Ideal Vacuum Products, LLC. Dieses Produkt ist ein kreisförmiges Magnetron-TANTAL -Ta-Sputtertarget mit einem Durchmesser von 3' x 0,25" Dicke. Es ist zu 99,95 % rein. Wir verwenden eine sehr wettbewerbsfähige Preisstrategie, um sicherzustellen, dass Sie Produkte von höchster Qualität zum bestmöglichen Preis erhalten, sodass Sie bei jedem Kauf sowohl Erschwinglichkeit als auch Exzellenz erhalten. Wir bieten jedem Kunden enorme Rabatte, Kunden, die Großbestellungen aufgeben, profitieren von enormen Einsparungen. Wir haben große Mengen unserer Produkte auf Lager, um unseren Kunden eine garantierte Lieferung am selben Tag nach der Bestellung zu bieten. Diese kurze Vorlaufzeit wird von all unseren Kunden geschätzt, die ihren Cashflow mit schnelleren Durchlaufzeiten verwalten möchten. Unsere Stammkunden können niedrigere Lagerbestände aufrechterhalten, die Lagerkosten senken und das Risiko der Veralterung minimieren. Der Kauf bei Ideal Vacuum bedeutet, dass ein Kunde sein Produkt schneller erhält, was die Zufriedenheit erhöht und seine dringendsten Bedürfnisse erfüllt. Dies ermöglicht es unseren Kunden auch, ihrer Konkurrenz einen Schritt voraus zu sein, indem sie sich schnell an neue Trends und Anforderungen anpassen.TANTAL -Ta Tantal (Ta)-Sputtertargets werden aufgrund der hervorragenden mechanischen, chemischen und elektrischen Eigenschaften von Tantal häufig für die Dünnschichtabscheidung in verschiedenen Hightech-Branchen verwendet. Hier ist eine kurze Zusammenfassung von Tantal-Sputtertargets in Dünnschichten:1. Materialeigenschaften:Hoher Schmelzpunkt: Tantal hat einen außergewöhnlich hohen Schmelzpunkt (~3017 °C), wodurch es unter Hochtemperaturbedingungen stabil ist.Korrosionsbeständigkeit: Tantal ist chemisch inert und äußerst beständig gegen Korrosion durch Säuren, was es ideal für Schutz- und Barriereschichten macht.Dehnbarkeit und Festigkeit: Tantal ist sowohl stark als auch dehnbar, wodurch die Bildung haltbarer Dünnschichten möglich ist.Elektrische Leitfähigkeit: Tantal ist ein leitfähiges Material, wodurch es für den Einsatz in elektrischen und mikroelektronischen Anwendungen geeignet ist.2. Abscheidungsmethoden: Gleichstromsputtern: Da Tantal leitfähig ist, wird für die Dünnschichtabscheidung häufig Gleichstromsputtern verwendet, das im Vergleich zum HF-Sputtern eine höhere Abscheidungsrate ermöglicht. HF-Sputtern: Bei Bedarf kann auch HF-Sputtern verwendet werden, insbesondere bei komplexen Abscheidungsaufbauten, aber Gleichstromsputtern wird für Tantal häufiger verwendet. Reaktives Sputtern: Tantal wird beim reaktiven Sputtern häufig verwendet, um Tantalverbindungen wie Tantalpentoxid (Ta2O5) für bestimmte Anwendungen herzustellen. 3. Anwendungen: Mikroelektronik: Tantal wird häufig bei der Herstellung von Halbleitern und integrierten Schaltkreisen verwendet. Dünne Tantalfilme werden als Barriereschichten in Kupferverbindungen eingesetzt, um die Diffusion von Kupfer in Silizium oder andere Schichten zu verhindern. Kondensatoren: Dünne Tantalfilme werden in Tantalkondensatoren verwendet, wo sie für hohe Kapazität und Zuverlässigkeit sorgen, insbesondere in kleinen Geräten. Schutzbeschichtungen: Aufgrund seiner hervorragenden Korrosionsbeständigkeit wird Tantal als Schutzbeschichtung in aggressiven chemischen Umgebungen verwendet, unter anderem in der chemischen Verarbeitungsindustrie und bei biomedizinischen Implantaten. Optische Beschichtungen: Tantal wird aufgrund seiner mechanischen Festigkeit und Haltbarkeit in einigen optischen Beschichtungen verwendet, obwohl es in der Optik hauptsächlich in Verbindungen wie Ta2O5.4 verwendet wird. Filmeigenschaften: Mechanische Festigkeit: Tantaldünnfilme ergeben starke, verschleißfeste Beschichtungen, die für Schutzanwendungen nützlich sind. Korrosions- und Oxidationsbeständigkeit: Tantalfilme widerstehen Oxidation und Korrosion und sind daher für Hochleistungsumgebungen geeignet. Barriereschichten: Tantal wird häufig als Diffusionsbarriere in der Mikroelektronik verwendet, um die Migration von Metallen (z. B. Kupfer) zu verhindern und die Lebensdauer von Geräten zu verlängern. Elektrische Leitfähigkeit: Aufgrund seiner Leitfähigkeit eignet sich Tantal ideal für den Einsatz in elektronischen Schaltkreisen und Komponenten wie Widerständen, Elektroden und Dünnschichttransistoren. 5. Reaktive Abscheidung: Tantalpentoxid (Ta2O5): Tantal wird häufig in einer reaktiven Umgebung mit Sauerstoff gesputtert, um Ta2O5-Dünnfilme zu bilden, die aufgrund ihrer hohen Dielektrizitätskonstante und optischen Transparenz in optischen Beschichtungen und dielektrischen Schichten verwendet werden. 6. Herausforderungen: Targetvergiftung: Bei reaktiven Sputterprozessen kann es zu Targetvergiftungen kommen, wenn sich auf dem Tantaltarget nichtmetallische Verbindungen (z. B. Oxide) bilden, die die Sputtereffizienz verringern. Spannungen in Filmen: Tantalfilme können während der Abscheidung innere Spannungen entwickeln, die die Filmhaftung und -leistung beeinträchtigen können. Zusammenfassung: Tantal-Sputtertargets (Ta) werden aufgrund ihrer hohen Korrosionsbeständigkeit, Leitfähigkeit und mechanischen Haltbarkeit hauptsächlich in der Mikroelektronik, bei Schutzbeschichtungen und Kondensatoren verwendet. Tantaldünnfilme sind entscheidend für Barriereschichten in integrierten Schaltkreisen, Diffusionsbarrieren in Kupferverbindungen und in Kondensatorelektroden. DC-Sputtern wird normalerweise für eine effiziente Abscheidung verwendet, während reaktives Sputtern Tantalverbindungen wie Ta2O5 bilden kann, die häufig in optischen Beschichtungen und Dielektrika verwendet werden. Hinweise: Für alle dielektrischen Targetmaterialien wird eine metallische oder elastomere Trägerplattenbindung empfohlen, da diese Materialien Eigenschaften aufweisen, die sich nicht für das Sputtern eignen, wie z. B. Sprödigkeit und geringe Wärmeleitfähigkeit. Diese Ziele sind aufgrund ihrer geringen Wärmeleitfähigkeit besonders anfällig für einen Thermoschock und erfordern daher während der Start- und Herunterfahrschritte möglicherweise spezielle Verfahren zum Hoch- und Herunterfahren der Leistung.

Kreisförmige Magnetron-Sputtertargets von Ideal Vacuum, MAGNESIUMFLUORID - MgF2-Sputtertarget, 3' Durchmesser x 0,125" Dicke, 99,995 Prozent Reinheit, metallisch gebunden an eine OFHC-Kupferträgerplatte Ideal Vacuum Products, LLC. Dieses Produkt ist ein kreisförmiges Magnetron-Magnesiumfluorid - MgF2-Sputtertarget mit einem Durchmesser von 3' x 0,125" Dicke. Es ist 99,995 % rein und metallisch gebunden an eine OFHC-Kupferträgerplatte (Oxygen-Free High Conductivity). Wir verwenden eine sehr wettbewerbsfähige Preisstrategie, um sicherzustellen, dass Sie Produkte von höchster Qualität zum bestmöglichen Preis erhalten, sodass Sie bei jedem Kauf sowohl Erschwinglichkeit als auch Exzellenz genießen können. Wir bieten jedem Kunden riesige Rabatte, Kunden, die Großbestellungen aufgeben, können sich über enorme Einsparungen freuen. Wir haben große Mengen unserer Produkte auf Lager, um unseren Kunden eine garantierte Lieferung noch am selben Tag nach der Bestellung zu bieten. Diese kurze Vorlaufzeit wird von all unseren Kunden geschätzt, die ihren Cashflow mit schnelleren Durchlaufzeiten verwalten möchten. Unsere Stammkunden können niedrigere Lagerbestände aufrechterhalten, wodurch die Lagerkosten sinken und das Risiko der Veralterung minimiert wird. Der Kauf bei Ideal Vacuum bedeutet, dass ein Kunde sein Produkt schneller erhält, was die Zufriedenheit erhöht und seine dringendsten Bedürfnisse erfüllt. Dies ermöglicht es unseren Kunden auch, ihrer Konkurrenz einen Schritt voraus zu sein, indem sie sich schnell an neue Trends und Anforderungen anpassen. MAGNESIUMFLUORID – MgF2 MAGNESIUMFLUORID – MgF2 ist aufgrund seiner hervorragenden Übertragungseigenschaften und Haltbarkeit ein weit verbreitetes Material in optischen Anwendungen. Hier ist eine Zusammenfassung seiner wichtigsten Eigenschaften: Brechungsindex: ~1,38 (bei 550 nm), was es zu einem Material mit niedrigem Brechungsindex macht. Transparenzbereich: MgF2 hat ein breites Übertragungsfenster, das vom tiefen UV (~120 nm) bis zum mittleren IR (~7 µm) durchdringt, was es für UV-, sichtbare und IR-Anwendungen geeignet macht. Optische Beschichtungen: Wird häufig in Antireflexbeschichtungen und mehrschichtigen optischen Beschichtungen für Linsen, Filter und andere optische Komponenten verwendet. Haltbarkeit: MgF2 ist hart und chemisch stabil, beständig gegen Umwelteinflüsse und für den Einsatz unter rauen Bedingungen geeignet. Abscheidungsmethode: Wird aufgrund seiner isolierenden Eigenschaften normalerweise durch HF-Sputtern abgeschieden. MgF2 wird häufig aufgrund seiner breiten optischen Transparenz und seines niedrigen Brechungsindex gewählt, was es ideal zur Reduzierung der Reflexion in verschiedenen optischen Systemen macht. HF- vs. DC-Sputtern: HF-Sputtern ist häufig die bevorzugte Methode zum Sputtern reiner Metalloxide, da diese Isolatoren sind und HF ein alternierendes elektrisches Feld hat, das eine Ladungsbildung auf der Zieloberfläche verhindert. Dieses Wechselfeld reduziert die Ladungsansammlung, die sonst beim DC-Sputtern zu Lichtbögen führen würde.Abscheidungsrate: Niedrigere Abscheidungsrate: Beim RF-Sputtern ist die Leistungsübertragung auf das Plasma im Vergleich zu DC weniger effizient, was hauptsächlich an der Wechselnatur des elektrischen Felds liegt. Dies führt zu einer niedrigeren Abscheidungsrate im Vergleich zum DC-Sputtern unter gleichwertigen Leistungsbedingungen.Zielmaterial: Bei leitfähigen Zielen (wie Titan beim reaktiven Sputtern) weist das DC-Sputtern eine höhere Abscheidungsrate auf. Bei isolierenden Zielen wie reinen Metalloxiden muss RF-Sputtern verwendet werden, und die Abscheidungsraten sind typischerweise niedriger.Leistungsstufen: Eine Leistungssteigerung kann die Abscheidungsraten sowohl beim RF- als auch beim DC-Sputtern erhöhen, aber die Abscheidungsraten sind bei leitfähigen Materialien bei DC immer noch tendenziell höher. Druck und Gasfluss: Höhere Abscheidungsraten können durch Optimierung des Gasdrucks und -flusses mit unterschiedlichen optimalen Bedingungen für RF gegenüber DC erreicht werden. Hinweise: Für alle dielektrischen Targetmaterialien wird eine metallische oder elastomere Trägerplattenverbindung empfohlen, da diese Materialien Eigenschaften aufweisen, die sich nicht zum Sputtern eignen, wie z. B. Sprödigkeit und geringe Wärmeleitfähigkeit. Diese Targets sind aufgrund ihrer geringen Wärmeleitfähigkeit am anfälligsten für Thermoschocks und erfordern daher möglicherweise spezielle Verfahren zum Hoch- und Herunterfahren der Leistung während der Start- und Herunterfahrschritte.

Kreisförmige Magnetron-Sputtertargets von Ideal Vacuum, Siliziumnitrid-Si3N4-Sputtertarget, 3' Durchmesser x 0,125" Dicke, 99,5 % Reinheit, metallisch gebunden an eine OFHC-Kupferträgerplatte Ideal Vacuum Products, LLC. Dieses Produkt ist ein kreisförmiges Magnetron-Siliziumnitrid-Si3N4-Sputtertarget mit einem Durchmesser von 3' x 0,125" Dicke. Es ist 99,5 % rein und metallisch gebunden an eine OFHC-Kupferträgerplatte (Oxygen-Free High Conductivity). Wir verwenden eine sehr wettbewerbsfähige Preisstrategie, um sicherzustellen, dass Sie Produkte von höchster Qualität zum bestmöglichen Preis erhalten, sodass Sie bei jedem Kauf sowohl Erschwinglichkeit als auch Exzellenz erhalten. Wir bieten jedem Kunden enorme Rabatte, Kunden, die Großbestellungen aufgeben, können enorme Einsparungen erzielen. Wir haben große Mengen unserer Produkte auf Lager, um unseren Kunden eine garantierte Lieferung am selben Tag nach der Bestellung zu bieten. Diese kurze Vorlaufzeit wird von all unseren Kunden geschätzt, die ihren Cashflow mit schnelleren Durchlaufzeiten verwalten möchten. Unsere Stammkunden können ihre Lagerbestände senken, die Lagerkosten senken und das Risiko der Veralterung minimieren. Wenn ein Kunde bei Ideal Vacuum kauft, erhält er sein Produkt schneller, was die Zufriedenheit erhöht und seine dringendsten Bedürfnisse erfüllt. Dies ermöglicht es unseren Kunden auch, ihrer Konkurrenz einen Schritt voraus zu sein, indem sie sich schnell an neue Trends und Anforderungen anpassen. SILIZIUMNITRID – Si3N4 SILIZIUMNITRID – Si3N4 ist aufgrund seiner mechanischen, chemischen und optischen Eigenschaften ein vielseitiges Material, das in Dünnschichtbeschichtungen für verschiedene Anwendungen verwendet wird. Hier ist eine Zusammenfassung seiner wichtigsten Eigenschaften im Zusammenhang mit dünnen Filmen: Brechungsindex: ~1,9 bis 2,0 (bei 550 nm), was es zu einem Material mit mittlerem Brechungsindex macht, das häufig in mehrschichtigen optischen Beschichtungen verwendet wird. Optische Eigenschaften: Si3N4 hat eine ausgezeichnete Transparenz vom sichtbaren bis zum Infrarotbereich (~250 nm bis 8 µm), was es für Antireflexbeschichtungen, Wellenleiter und Photonik geeignet macht. Mechanische Eigenschaften: Es ist hart, verschleißfest und hat eine hohe thermische Stabilität, was es ideal für Beschichtungen macht, die Haltbarkeit und Umweltbeständigkeit erfordern. Chemische Stabilität: Si3N4 ist chemisch inert und bietet eine gute Korrosionsbeständigkeit, die für Schutzbeschichtungen nützlich ist. Abscheidungsmethoden: Si3N4 kann durch HF oder reaktives Sputtern (unter Verwendung eines Siliziumtargets mit Stickstoff) sowie durch PECVD (plasmaverstärkte chemische Gasphasenabscheidung) abgeschieden werden. Anwendungen: Es wird häufig in optischen Beschichtungen, Halbleiterbauelementen, Schutzbeschichtungen und Mikroelektronik aufgrund seiner isolierenden Eigenschaften und Fähigkeit, als Diffusionsbarriere zu wirken.Si3N4 wird für seine Kombination aus optischer Leistung und mechanischer Festigkeit geschätzt, was es sowohl für funktionale als auch für schützende Dünnschichtbeschichtungen nützlich macht.RF- vs. DC-Sputtern: RF-Sputtern ist oft die bevorzugte Methode zum Sputtern reiner Metalloxide, da diese Isolatoren sind und RF ein alternierendes elektrisches Feld hat, das Ladungsaufbau auf der Zieloberfläche verhindert. Dieses alternierende Feld reduziert die Ladungsansammlung, die sonst beim DC-Sputtern zu Lichtbögen führen würde.Abscheidungsrate: Niedrigere Abscheidungsrate: Beim RF-Sputtern ist die Leistungsübertragung auf das Plasma im Vergleich zum DC-Sputtern weniger effizient, hauptsächlich aufgrund der alternierenden Natur des elektrischen Felds. Dies führt zu einer niedrigeren Abscheidungsrate im Vergleich zum DC-Sputtern unter gleichwertigen Leistungsbedingungen.Zielmaterial: Bei leitfähigen Zielen (wie Titan beim reaktiven Sputtern) hat das DC-Sputtern eine höhere Abscheidungsrate. Für isolierende Ziele wie reine Metalloxide muss HF-Sputtern verwendet werden, und die Abscheidungsraten sind typischerweise niedriger. Leistungsstufen: Eine Erhöhung der Leistung kann die Abscheidungsraten sowohl beim HF- als auch beim Gleichstrom-Sputtern erhöhen, aber die Abscheidungsraten sind bei leitfähigen Materialien bei Gleichstrom tendenziell immer noch höher. Druck und Gasfluss: Höhere Abscheidungsraten können durch Optimierung des Gasdrucks und -flusses erzielt werden, wobei unterschiedliche optimale Bedingungen für HF gegenüber Gleichstrom gelten. Hinweise: Für alle dielektrischen Zielmaterialien wird die Verbindung einer metallischen oder elastomeren Trägerplatte empfohlen, da diese Materialien Eigenschaften aufweisen, die sich nicht zum Sputtern eignen, wie z. B. Sprödigkeit und geringe Wärmeleitfähigkeit. Diese Ziele sind aufgrund ihrer geringen Wärmeleitfähigkeit am anfälligsten für Thermoschocks und erfordern daher möglicherweise spezielle Verfahren zum Hoch- und Herunterfahren der Leistung während der An- und Abschaltschritte.

Kreisförmige Magnetron-Sputtertargets von Ideal Vacuum, TANTALOXID-Ta2O5-Sputtertarget, 3' Durchmesser x 0,125" Dicke, 99,995 Prozent Reinheit, metallisch mit einer OFHC-Kupferträgerplatte verbunden. Ideal Vacuum Products, LLC. Dieses Produkt ist ein kreisförmiges Magnetron-TANTALOXID-Ta2O5-Sputtertarget mit einem Durchmesser von 3' x 0,125" Dicke. Es ist 99,995 % rein und metallisch mit einer OFHC-Kupferträgerplatte (Oxygen-Free High Conductivity) verbunden. Wir verwenden eine sehr wettbewerbsfähige Preisstrategie, um sicherzustellen, dass Sie Produkte von höchster Qualität zum bestmöglichen Preis erhalten, sodass Sie bei jedem Kauf sowohl Erschwinglichkeit als auch Exzellenz erhalten. Wir bieten jedem Kunden enorme Rabatte, Kunden, die Großbestellungen aufgeben, können enorme Einsparungen erzielen. Wir haben große Mengen unserer Produkte auf Lager, um unseren Kunden eine garantierte Lieferung am selben Tag nach der Bestellung zu bieten. Diese kurze Vorlaufzeit wird von all unseren Kunden geschätzt, die ihren Cashflow mit schnelleren Durchlaufzeiten verwalten möchten. Unsere Stammkunden können ihre Lagerbestände senken, die Lagerkosten senken und das Risiko der Veralterung minimieren. Wenn ein Kunde bei Ideal Vacuum kauft, erhält er sein Produkt schneller, was die Zufriedenheit erhöht und seine dringendsten Bedürfnisse erfüllt. Dies ermöglicht es unseren Kunden auch, ihrer Konkurrenz einen Schritt voraus zu sein, indem sie sich schnell an neue Trends und Anforderungen anpassen. TANTALOXID – Ta2 O5 Tantalpentoxid Tantalpentoxid (Ta2O5) ist eine anorganische Verbindung aus Tantal und Sauerstoff. Es ist ein weißes, kristallines Pulver, das für seinen hohen Brechungsindex, seine hervorragende chemische Stabilität und seine dielektrischen Eigenschaften bekannt ist. Ta2O5 wird aufgrund seiner einzigartigen Kombination von Eigenschaften häufig in optischen und elektronischen Anwendungen verwendet. Tantalpentoxid (Ta2O5) wird aufgrund seiner außergewöhnlichen optischen, elektronischen und dielektrischen Eigenschaften häufig in Dünnschichtbeschichtungen verwendet. Seine Vielseitigkeit und Fähigkeit, stabile, hochwertige Filme zu bilden, machen es ideal für eine Vielzahl von Hochleistungsanwendungen: 1. Beschichtungen mit hohem Brechungsindex: Ta2O5 wird in mehrschichtigen optischen Beschichtungen für Linsen, Spiegel und Filter verwendet. Sein hoher Brechungsindex hilft bei der Herstellung präziser Antireflex- und Hochreflexbeschichtungen.2. Antireflexbeschichtungen: Werden in Kombination mit Materialien mit niedrigerem Brechungsindex verwendet, um Antireflexbeschichtungen zur Verbesserung der Lichtdurchlässigkeit in Linsen und Displays herzustellen.3. Barriereschichten: Werden als Schutzschicht gegen Oxidation und Korrosion in Mehrschichtstrukturen verwendet.4. Elektrooptische und photonische Geräte:Die einzigartige Kombination aus hohem Brechungsindex (~2,1 bis 2,2 bei 550 nm), dielektrischer Festigkeit und chemischer Stabilität macht Tantalpentoxid zu einem unverzichtbaren Material in Dünnschichtbeschichtungen für Optik, Elektronik und Photonik und ermöglicht die Entwicklung von Hochleistungsgeräten und -systemen. Abscheidungsmethoden:Ta2O5-Dünnschichten können mittels HF-Sputtern, reaktivem Sputtern (mit Tantal und Sauerstoffgas) und Elektronenstrahlverdampfung abgeschieden werden. Es wird auch mittels Atomlagenabscheidung (ALD) für präzise, konforme Beschichtungen in der Mikroelektronik abgeschieden. Hinweise: Für alle dielektrischen Targetmaterialien wird eine metallische oder elastomere Trägerplattenverbindung empfohlen, da diese Materialien Eigenschaften aufweisen, die sich nicht zum Sputtern eignen, wie z. B. Sprödigkeit und geringe Wärmeleitfähigkeit. Diese Targets sind aufgrund ihrer geringen Wärmeleitfähigkeit am anfälligsten für Thermoschocks und erfordern daher möglicherweise spezielle Verfahren zum Hoch- und Herunterfahren der Leistung während der Start- und Herunterfahrschritte.

Kreisförmige Magnetron-Sputtertargets von Ideal Vacuum, Aluminiumoxid-Al2O3-Sputtertarget, 3' Durchmesser x 0,125" Dicke, 99,99 Prozent Reinheit, metallisch mit einer OFHC-Kupferträgerplatte verbunden. Ideal Vacuum Products, LLC. Dieses Produkt ist ein kreisförmiges Magnetron-Aluminiumoxid-Al2O3-Sputtertarget mit einem Durchmesser von 3' x 0,125" Dicke. Es ist 99,99 % rein und metallisch mit einer OFHC-Kupferträgerplatte (Oxygen-Free High Conductivity) verbunden. Wir verwenden eine sehr wettbewerbsfähige Preisstrategie, um sicherzustellen, dass Sie Produkte von höchster Qualität zum bestmöglichen Preis erhalten, sodass Sie bei jedem Kauf sowohl Erschwinglichkeit als auch Exzellenz erhalten. Wir bieten jedem Kunden enorme Rabatte, Kunden, die Großbestellungen aufgeben, können enorme Einsparungen erzielen. Wir haben große Mengen unserer Produkte auf Lager, um unseren Kunden eine garantierte Lieferung am selben Tag nach der Bestellung zu bieten. Diese kurze Vorlaufzeit wird von all unseren Kunden geschätzt, die ihren Cashflow mit schnelleren Durchlaufzeiten verwalten möchten. Unsere Stammkunden können ihre Lagerbestände senken, die Lagerkosten senken und das Risiko der Veralterung minimieren. Wenn ein Kunde bei Ideal Vacuum kauft, erhält er sein Produkt schneller, was die Zufriedenheit erhöht und seine dringendsten Bedürfnisse erfüllt. Dies ermöglicht es unseren Kunden auch, ihrer Konkurrenz einen Schritt voraus zu sein, indem sie sich schnell an neue Trends und Anforderungen anpassen.ALUMINIUMOXID – Al2O31. Brechungsindex: Brechungsindex: ~1,63 (bei 550 nm), was es zu einem Material mit niedrigem bis mittlerem Brechungsindex macht. Diese Eigenschaft macht es für den Einsatz in mehrschichtigen optischen Beschichtungen wie Antireflexbeschichtungen, dielektrischen Spiegeln und Filtern geeignet.2. Optische Transparenz: Transmissionsfenster: Al2O3 ist vom ultravioletten (UV) bis zum infraroten (IR) Bereich, von ~200 nm bis ~5 µm, hochtransparent. Dies macht es für eine Vielzahl optischer Anwendungen in UV-, sichtbaren und IR-Wellenlängen geeignet.3. Mechanische Eigenschaften: Al2O3 ist extrem hart und verschleißfest, was es zu einer ausgezeichneten Wahl für Schutzbeschichtungen und abriebfeste Schichten auf Oberflächen macht, die mechanischer Beanspruchung ausgesetzt sind. Seine hohe mechanische Festigkeit macht es auch für mikroelektronische und Schutzbeschichtungen in rauen Umgebungen geeignet.4. Chemische und thermische Stabilität: Al2O3 ist chemisch hochgradig inert und korrosions- und oxidationsbeständig, was es für den Einsatz in chemisch rauen Umgebungen geeignet macht. Es hat eine hohe thermische Stabilität, was es für Hochtemperaturanwendungen nützlich macht.5. Dielektrische Eigenschaften: Hohe Dielektrizitätskonstante: Al2O3 hat eine relativ hohe Dielektrizitätskonstante (~9), was es als Gate-Dielektrikum und in Kondensatoren für elektronische Anwendungen nützlich macht. Es dient als ausgezeichnete Isolierschicht in Halbleiterbauelementen und bietet gute elektrische Isolierung und thermische Stabilität.6. Abscheidungsmethoden: Al2O3-Dünnschichten können mit einer Vielzahl von Methoden abgeschieden werden, darunter HF-Sputtern, reaktives Sputtern, Atomlagenabscheidung (ALD) und thermische Verdampfung. ALD wird besonders für ultradünne, konforme Beschichtungen in Halbleiter- und Nanotechnologieanwendungen bevorzugt.7. Anwendungen: Optische Beschichtungen: Al2O3 wird häufig in Antireflexbeschichtungen, Schutzbeschichtungen für optische Geräte und als Teil von mehrschichtigen dielektrischen Spiegeln verwendet. Mikroelektronik: Al2O3 wird häufig in MOSFETs als Gate-Isolator, in Kondensatoren und als Passivierungsschicht in Halbleiterbauelementen verwendet. Schutzbeschichtungen: Aufgrund seiner Härte und Verschleiß- und Chemikalienbeständigkeit wird es zum Schutz von Oberflächen in industriellen Anwendungen verwendet. Barrierebeschichtungen: Al2O3 bietet eine hervorragende Diffusionsbarriere und wird in Verpackungs- und Feuchtigkeitsschutzschichten verwendet. Zusammenfassung: Aluminiumoxid (Al2O3) ist ein vielseitiges Material in dünnen Filmen, das optische Transparenz, mechanische Haltbarkeit, chemische Inertheit und dielektrische Eigenschaften bietet. Es wird häufig in optischen Beschichtungen, Mikroelektronik, Schutzschichten und Barrierebeschichtungen verwendet, wobei die Anwendungen von Halbleiterbauelementen bis hin zu abriebfesten Beschichtungen und optischen Elementen reichen. Seine Kombination aus Transparenz und Stabilität macht es zu einem wichtigen Material für Hochleistungsbeschichtungen in verschiedenen Branchen. Hinweise: Für alle dielektrischen Targetmaterialien wird eine metallische oder elastomere Trägerplattenverbindung empfohlen, da diese Materialien Eigenschaften aufweisen, die sich nicht zum Sputtern eignen, wie z. B. Sprödigkeit und geringe Wärmeleitfähigkeit. Diese Targets sind aufgrund ihrer geringen Wärmeleitfähigkeit am anfälligsten für Thermoschocks und erfordern daher möglicherweise spezielle Verfahren zum Hoch- und Herunterfahren der Leistung während der Start- und Herunterfahrschritte.

Kreisförmige Magnetron-Sputtertargets von Ideal Vacuum, SILIZIUMDIOXID-SiO2-Sputtertarget, 3' Durchmesser x 0,125" Dicke, 99,995 Prozent Reinheit, metallisch mit einer OFHC-Kupferträgerplatte verbunden. Ideal Vacuum Products, LLC. Dieses Produkt ist ein kreisförmiges Magnetron-SILIZIUMDIOXID-SiO2-Sputtertarget mit einem Durchmesser von 3' x 0,125" Dicke. Es ist 99,995 % rein und metallisch mit einer OFHC-Kupferträgerplatte (Oxygen-Free High Conductivity) verbunden. Wir verwenden eine sehr wettbewerbsfähige Preisstrategie, um sicherzustellen, dass Sie Produkte von höchster Qualität zum bestmöglichen Preis erhalten, sodass Sie bei jedem Kauf sowohl Erschwinglichkeit als auch Exzellenz erhalten. Wir bieten jedem Kunden enorme Rabatte, Kunden, die Großbestellungen aufgeben, können enorme Einsparungen erzielen. Wir haben große Mengen unserer Produkte auf Lager, um unseren Kunden eine garantierte Lieferung am selben Tag nach der Bestellung zu bieten. Diese kurze Vorlaufzeit wird von all unseren Kunden geschätzt, die ihren Cashflow mit schnelleren Durchlaufzeiten verwalten möchten. Unsere Stammkunden können niedrigere Lagerbestände aufrechterhalten, was die Lagerkosten senkt und das Risiko der Veralterung minimiert. Wenn ein Kunde bei Ideal Vacuum kauft, erhält er sein Produkt schneller, was die Zufriedenheit erhöht und seine dringendsten Bedürfnisse erfüllt. Dies ermöglicht es unseren Kunden auch, ihrer Konkurrenz einen Schritt voraus zu sein, indem sie sich schnell an neue Trends und Anforderungen anpassen. SILIZIUMDIOXID – SiO2 Siliziumdioxid (SiO2) ist aufgrund seiner hervorragenden optischen, dielektrischen und schützenden Eigenschaften eines der am häufigsten verwendeten Materialien in Dünnschichtbeschichtungen. Hier eine kurze Zusammenfassung von SiO2 in Dünnschichtbeschichtungen: 1. Brechungsindex: Brechungsindex: ~1,45 (bei 550 nm), was es zu einem Material mit niedrigem Brechungsindex macht. Es wird häufig in optischen Beschichtungen wie Antireflexbeschichtungen und dielektrischen Spiegeln verwendet, bei denen eine Schicht mit niedrigem Brechungsindex erforderlich ist. 2. Optische Transparenz: Übertragungsfenster: SiO2 hat einen breiten Transparenzbereich, vom Ultravioletten (UV) (~160 nm) bis zum Infraroten (IR) (~2,5 µm). Dies macht es zu einem idealen Material für Beschichtungen im sichtbaren, UV- und IR-Spektralbereich.3. Dielektrische Eigenschaften: Niedrige Dielektrizitätskonstante: SiO2 hat eine relativ niedrige Dielektrizitätskonstante (~3,9), was es als Isolierschicht in der Mikroelektronik und bei Halbleitern nützlich macht. Es dient als wirksame dielektrische Barriere in Geräten wie MOSFETs.4. Chemische und thermische Stabilität: SiO2 ist chemisch inert, was es sehr korrosions- und oxidationsbeständig macht. Es hat eine ausgezeichnete thermische Stabilität, wodurch es in verschiedenen Anwendungen hohen Temperaturen standhalten kann.5. Mechanische Eigenschaften: SiO2 ist hart und bietet eine gute Abriebfestigkeit, was es zu einem Schutzmaterial in Dünnschichtbeschichtungen macht. Es ist jedoch spröde und bei Anwendungen mit mechanischer Beanspruchung ist Vorsicht geboten.6. Abscheidungsmethoden: SiO2-Dünnschichten können mit verschiedenen Techniken abgeschieden werden, darunter HF-Sputtern, chemische Gasphasenabscheidung (CVD), thermische Verdampfung und Elektronenstrahlabscheidung. HF-Sputtern wird häufig für dünne, gleichmäßige SiO2-Beschichtungen verwendet.7. Anwendungen: Optische Beschichtungen: SiO2 wird häufig in Antireflexbeschichtungen, Mehrschichtbeschichtungen mit hohem/niedrigem Brechungsindex und als Schutzbeschichtung für die Optik verwendet. Mikroelektronik: SiO2 dient als Isolierschicht in integrierten Schaltkreisen, Passivierungsschichten und als Gateoxid in MOSFETs. Schutzbeschichtungen: Aufgrund seiner chemischen Stabilität und Härte wird SiO2 in Schutz- und verschleißfesten Beschichtungen verwendet. Barriereschichten: SiO2 ist in verschiedenen Anwendungen als Diffusionsbarriere und Feuchtigkeitsschutzschicht wirksam. Zusammenfassung: SiO2 ist ein Material mit niedrigem Brechungsindex, breiter optischer Transparenz, hervorragenden dielektrischen Eigenschaften und starker chemischer Stabilität, was es für optische Beschichtungen, Elektronik und Schutzschichten äußerst vielseitig macht. Seine Haltbarkeit und sein großer Übertragungsbereich sind Schlüsselfaktoren für seine breite Verwendung in dünnen Filmen in verschiedenen Branchen. Hinweise: Für alle dielektrischen Zielmaterialien wird das Verkleben einer metallischen oder elastomeren Trägerplatte empfohlen, da diese Materialien Eigenschaften aufweisen, die sich nicht durch Sputtern bewerkstelligen lassen, wie z. B. Sprödigkeit und geringe Wärmeleitfähigkeit. Diese Ziele sind aufgrund ihrer geringen Wärmeleitfähigkeit besonders anfällig für einen Thermoschock und erfordern daher während der Start- und Herunterfahrschritte möglicherweise spezielle Verfahren zum Hoch- und Herunterfahren der Leistung.

Kreisförmige Magnetron-Sputtertargets von Ideal Vacuum, Nioboxid-Nb2O5-Sputtertarget, 3' Durchmesser x 0,125" Dicke, 99,995 Prozent Reinheit, metallisch mit einer OFHC-Kupferträgerplatte verbunden. Ideal Vacuum Products, LLC. Dieses Produkt ist ein kreisförmiges Magnetron-Nioboxid-Nb2O5-Sputtertarget mit 3' Durchmesser x 0,125" Dicke. Es ist 99,995 % rein und metallisch mit einer OFHC-Kupferträgerplatte (Oxygen-Free High Conductivity) verbunden. Wir verwenden eine sehr wettbewerbsfähige Preisstrategie, um sicherzustellen, dass Sie Produkte von höchster Qualität zum bestmöglichen Preis erhalten, sodass Sie bei jedem Kauf sowohl Erschwinglichkeit als auch Exzellenz genießen können. Wir bieten jedem Kunden riesige Rabatte, Kunden, die Großbestellungen aufgeben, können sich über enorme Einsparungen freuen. Wir lagern riesige Mengen unserer Produkte, um unseren Kunden eine garantierte Lieferung noch am selben Tag nach der Bestellung zu bieten. Diese kurze Vorlaufzeit wird von all unseren Kunden geschätzt, die ihren Cashflow mit schnelleren Durchlaufzeiten verwalten möchten. Unsere Stammkunden können niedrigere Lagerbestände aufrechterhalten, wodurch die Lagerkosten sinken und das Risiko der Veralterung minimiert wird. Der Kauf bei Ideal Vacuum bedeutet, dass ein Kunde sein Produkt schneller erhält, was die Zufriedenheit erhöht und seine dringendsten Bedürfnisse erfüllt. Dies ermöglicht es unseren Kunden auch, ihrer Konkurrenz einen Schritt voraus zu sein, indem sie sich schnell an neue Trends und Anforderungen anpassen.NIOBOXID – Nb2O5Nioboxid (Nb2O5) ist aufgrund seiner hervorragenden optischen, dielektrischen und katalytischen Eigenschaften ein wertvolles Material für Dünnfilme. Hier ist eine Zusammenfassung seiner wichtigsten Eigenschaften: 1. Brechungsindex: Brechungsindex: ~2,2 bis 2,4 (bei 550 nm), was es zu einem Material mit hohem Brechungsindex macht. Sein hoher Brechungsindex macht es ideal für optische Beschichtungen, insbesondere in Mehrschichtstrukturen wie Antireflexbeschichtungen, optischen Filtern und Wellenleitern.2. Optische Transparenz: Transmissionsfenster: Nb2O5 ist vom sichtbaren bis zum Infrarotbereich (~400 nm bis 5 µm) transparent und eignet sich daher für eine Vielzahl optischer Anwendungen. Es wird häufig in optischen Beschichtungen für Linsen, Spiegel und photonische Geräte verwendet.3. Dielektrische Eigenschaften: Hohe Dielektrizitätskonstante: Nb2O5 hat eine hohe Dielektrizitätskonstante (20-40), was es für Kondensatoren, Speichergeräte und andere elektronische Komponenten mit hoher Kapazität nützlich macht. Es wird auch als Gate-Dielektrikum in Dünnschichttransistoren verwendet.4. Chemische und thermische Stabilität: Nb2O5 ist chemisch stabil und korrosionsbeständig. Es bietet eine ausgezeichnete Stabilität bei hohen Temperaturen und ist daher ein zuverlässiges Material für Dünnschichten, die in anspruchsvollen Umgebungen verwendet werden. Seine thermische Stabilität gewährleistet seine Leistung bei Anwendungen, die hohen Temperaturen ausgesetzt sind.5. Mechanische Eigenschaften: Nb2O5 ist hart und langlebig und verleiht Dünnschichtbeschichtungen eine ausgezeichnete mechanische Festigkeit, was es für Schutzbeschichtungen und abriebfeste Schichten nützlich macht.6. Abscheidungsmethoden: Nb2O5-Dünnschichten können mithilfe verschiedener Techniken abgeschieden werden, darunter HF-Sputtern, reaktives Sputtern (unter Verwendung von Niobmetall mit Sauerstoffgas), thermische Verdampfung und Elektronenstrahlverdampfung. Es kann auch durch Atomlagenabscheidung (ALD) für hochpräzise Dünnschichten abgeschieden werden.7. Anwendungen: Optische Beschichtungen: Wird aufgrund seines hohen Brechungsindex und seiner Transparenz in Antireflexbeschichtungen, optischen Filtern und Wellenleitern verwendet. Mikroelektronik: Nb2O5 wird in Kondensatoren, Dünnschichttransistoren und als High-k-Dielektrikum in Halbleiterbauelementen eingesetzt.Katalyse: Nb2O5 ist auch für seine katalytischen Eigenschaften bekannt und wird in Anwendungen wie Photokatalyse und Brennstoffzellen eingesetzt.Schutzbeschichtungen: Bietet hervorragende Verschleißfestigkeit und Korrosionsschutz in industriellen Anwendungen.Zusammenfassung: Niobpentoxid (Nb2O5) ist ein Material mit hohem Brechungsindex und hervorragenden optischen und dielektrischen Eigenschaften, was es zu einer beliebten Wahl für optische Beschichtungen und elektronische Anwendungen macht. Seine chemische Stabilität, Dielektrizitätskonstante und hohe Transparenz machen es für eine Vielzahl von Dünnschichtanwendungen geeignet, darunter Kondensatoren, Antireflexbeschichtungen und photonische Geräte. Hinweise: Für alle dielektrischen Zielmaterialien wird die Bindung einer metallischen oder elastomeren Trägerplatte empfohlen, da diese Materialien Eigenschaften aufweisen, die sich nicht durch Sputtern bewerkstelligen lassen, wie z. B. Sprödigkeit und geringe Wärmeleitfähigkeit. Diese Ziele sind aufgrund ihrer geringen Wärmeleitfähigkeit besonders anfällig für einen Thermoschock und erfordern daher während der Start- und Herunterfahrschritte möglicherweise spezielle Verfahren zum Hoch- und Herunterfahren der Leistung.

Kreisförmige Magnetron-Sputtertargets von Ideal Vacuum, TITAN - Ti-Sputtertarget, 3' Durchmesser x 0,25" Dicke, 99,995 Prozent Reinheit Ideal Vacuum Products, LLC. Dieses Produkt ist ein kreisförmiges Magnetron-Sputtertarget aus TITAN - Ti mit einem Durchmesser von 3' x 0,25" Dicke. Es ist 99,995 % rein. Wir verwenden eine sehr wettbewerbsfähige Preisstrategie, um sicherzustellen, dass Sie Produkte von höchster Qualität zum bestmöglichen Preis erhalten, sodass Sie bei jedem Kauf sowohl Erschwinglichkeit als auch Exzellenz erhalten. Wir bieten jedem Kunden enorme Rabatte, Kunden, die Großbestellungen aufgeben, können enorme Einsparungen erzielen. Wir haben große Mengen unserer Produkte auf Lager, um unseren Kunden eine garantierte Lieferung am selben Tag nach der Bestellung zu bieten. Diese kurze Vorlaufzeit wird von all unseren Kunden geschätzt, die ihren Cashflow mit schnelleren Durchlaufzeiten verwalten möchten. Unsere Stammkunden können niedrigere Lagerbestände aufrechterhalten, die Lagerkosten senken und das Risiko der Veralterung minimieren. Der Kauf bei Ideal Vacuum bedeutet, dass ein Kunde sein Produkt schneller erhält, was die Zufriedenheit erhöht und seine dringendsten Bedürfnisse erfüllt. Dies ermöglicht es unseren Kunden auch, ihrer Konkurrenz einen Schritt voraus zu sein, indem sie sich schnell an neue Trends und Anforderungen anpassen.TITAN - Ti Titan-Sputtertargets (Ti) werden aufgrund der hervorragenden mechanischen, chemischen und physikalischen Eigenschaften von Titan häufig bei der Dünnschichtabscheidung verwendet. Hier ist eine Zusammenfassung der Titan-Sputtertargets für Dünnschichten:1. Materialeigenschaften:Hohes Verhältnis von Festigkeit zu Gewicht: Titan ist für sein geringes Gewicht und seine hohe mechanische Festigkeit bekannt, was es ideal für Dünnschichten macht, die Haltbarkeit erfordern, ohne nennenswerte Masse hinzuzufügen.Korrosionsbeständigkeit: Titan ist äußerst korrosionsbeständig, insbesondere in rauen Umgebungen wie Meerwasser und sauren Bedingungen.Biokompatibilität: Titan ist biokompatibel, was es für den Einsatz in medizinischen Geräten und biomedizinischen Beschichtungen geeignet macht.2. Abscheidungsmethoden: DC-Sputtern: Titan ist ein leitfähiges Material, daher wird DC-Magnetronsputtern häufig für eine effiziente Dünnschichtabscheidung verwendet. HF-Sputtern: HF-Sputtern kann in Fällen verwendet werden, in denen reaktives Sputtern oder komplexere Dünnschichtstrukturen erforderlich sind. Reaktives Sputtern: Titan wird häufig in Gegenwart reaktiver Gase (wie Sauerstoff oder Stickstoff) gesputtert, um Titanverbindungen wie Titandioxid (TiO2) und Titannitrid (TiN) zu bilden. 3. Anwendungen: Mikroelektronik: Titan wird in Diffusionsbarrieren, Haftschichten und elektrischen Kontakten in Halbleiterbauelementen verwendet. Es bildet dünne Filme, die dazu beitragen, die Metalldiffusion in integrierten Schaltkreisen zu verhindern. Optische Beschichtungen: Titan wird in optischen Beschichtungen, insbesondere in Antireflexbeschichtungen, als dauerhafte Schutzschicht verwendet. Titandioxid (TiO2) ist ein Material mit hohem Brechungsindex, das häufig in mehrschichtigen optischen Beschichtungen verwendet wird.Schutzbeschichtungen: Dünne Titanfilme werden häufig für korrosionsbeständige und verschleißfeste Beschichtungen in der Luft- und Raumfahrt, der Automobilindustrie und der chemischen Industrie verwendet.Medizinische Anwendungen: Aufgrund seiner Biokompatibilität wird Titan in dünnen Filmen für Implantate, Prothesen und medizinische Geräte verwendet, um deren Haltbarkeit und Interaktion mit biologischem Gewebe zu verbessern.Katalyse: Dünne Filme auf Titanbasis (wie TiO2) werden in der Photokatalyse verwendet, insbesondere in Umweltanwendungen wie der Luft- und Wasserreinigung.4. Filmeigenschaften: Mechanische Festigkeit: Titanfilme sind für ihre Haltbarkeit und Festigkeit bekannt und bieten Verschleißfestigkeit und mechanischen Schutz. Korrosionsbeständigkeit: Dünne Titanfilme sind äußerst korrosionsbeständig und daher ideal für den Einsatz in Meeresumgebungen und anderen aggressiven chemischen Bedingungen. Haftung: Dünne Titanfilme dienen häufig als Haftschichten, um die Bindung anderer Beschichtungen zu verbessern, insbesondere auf Materialien, die von Natur aus nicht gut haften. Optische Eigenschaften: Durch reaktives Sputtern gebildete Titandioxidfilme (TiO2) sind im sichtbaren Bereich hochtransparent und haben einen hohen Brechungsindex (~2,5), wodurch sie für optische Beschichtungen geeignet sind. 5. Reaktive Abscheidung: Titandioxid (TiO2): Durch reaktives Sputtern in einer Sauerstoffumgebung gebildet, wird TiO2 aufgrund seiner Transparenz und seines hohen Brechungsindex in optischen Beschichtungen, Solarzellen und Photokatalysatoren verwendet. Titannitrid (TiN): Durch Sputtern von Titan in einer Stickstoffatmosphäre gebildet, wird TiN in harten Beschichtungen, verschleißfesten Oberflächen und leitfähigen Filmen in der Mikroelektronik verwendet. 6. Herausforderungen: Oxidation: Titan ist reaktiv und der Oxidationszustand muss sorgfältig kontrolliert werden, insbesondere während der Abscheidung in reaktiven Umgebungen (z. B. Bildung von TiO2 ohne Überoxidation des Films). Spannung in Filmen: Dünne Titanfilme können während der Abscheidung innere Spannungen entwickeln, die die Filmhaftung und die mechanischen Eigenschaften beeinträchtigen können. Zusammenfassung: Sputtertargets aus Titan (Ti) werden aufgrund der hohen Festigkeit, Korrosionsbeständigkeit und Biokompatibilität von Titan häufig in der Mikroelektronik, optischen Beschichtungen, Schutzschichten und medizinischen Geräten verwendet. DC-Sputtern wird häufig für die Titanabscheidung verwendet, während reaktives Sputtern die Bildung von Titanverbindungen wie TiO2 und TiN ermöglicht, die in der Optik, Photokatalyse und bei Hartbeschichtungen Anwendung finden. Dünne Titanfilme bieten hervorragende mechanische Festigkeit, Korrosionsbeständigkeit und Hafteigenschaften in einer breiten Palette von Branchen. Hinweise: Für alle dielektrischen Targetmaterialien wird die Verbindung einer metallischen oder elastomeren Trägerplatte empfohlen, da diese Materialien Eigenschaften aufweisen, die sich nicht durch Sputtern bewähren, wie z. B. Sprödigkeit und geringe Wärmeleitfähigkeit. Diese Ziele sind aufgrund ihrer geringen Wärmeleitfähigkeit besonders anfällig für einen Thermoschock und erfordern daher während der Start- und Herunterfahrschritte möglicherweise spezielle Verfahren zum Hoch- und Herunterfahren der Leistung.

Kreisförmige Magnetron-Sputtertargets von Ideal Vacuum, Kupfer – Cu-Sputtertarget oder Cu-Trägerplatte, 3' Durchmesser x 0,25" dick, 99,99 Prozent Reinheit Ideal Vacuum Products, LLC. Dieses Produkt ist ein kreisförmiges Magnetron-Kupfer – Cu-Sputtertarget oder Cu-Trägerplatte mit einem Durchmesser von 3' x 0,25" dick. Es ist 99,99 % rein. Wir verwenden eine sehr wettbewerbsfähige Preisstrategie, um sicherzustellen, dass Sie Produkte von höchster Qualität zum bestmöglichen Preis erhalten, sodass Sie bei jedem Kauf sowohl Erschwinglichkeit als auch Exzellenz erhalten. Wir bieten jedem Kunden enorme Rabatte, Kunden, die Großbestellungen aufgeben, können enorme Einsparungen genießen. Wir haben riesige Mengen unserer Produkte auf Lager, um unseren Kunden eine garantierte Lieferung am selben Tag nach der Bestellung zu bieten. Diese kurze Vorlaufzeit wird von all unseren Kunden geschätzt, die ihren Cashflow mit schnelleren Durchlaufzeiten verwalten möchten. Unsere Stammkunden können niedrigere Lagerbestände aufrechterhalten, die Lagerkosten senken und das Risiko der Veralterung minimieren. Der Kauf bei Ideal Vacuum bedeutet, dass ein Kunde sein Produkt schneller erhält, was die Zufriedenheit erhöht und seine dringendsten Bedürfnisse erfüllt. Dies ermöglicht es unseren Kunden auch, ihrer Konkurrenz einen Schritt voraus zu sein, indem sie sich schnell an neue Trends und Anforderungen anpassen.KUPFER - Cu Kupfer-Sputtertargets (Cu) werden aufgrund der hervorragenden elektrischen und thermischen Eigenschaften von Kupfer häufig bei der Dünnschichtabscheidung verwendet. Hier ist eine kurze Zusammenfassung von Kupfer-Sputtertargets für Dünnschichten:1. Materialeigenschaften:Hohe elektrische Leitfähigkeit: Kupfer ist einer der besten Stromleiter und daher ideal für Dünnschichten in der Mikroelektronik und bei elektrischen Anwendungen.Wärmeleitfähigkeit: Kupfer hat eine hohe Wärmeleitfähigkeit und ist daher für Dünnschichten wertvoll, bei denen die Wärmeableitung entscheidend ist.Duktilität: Kupfer ist ein dehnbares Material, d. h. es kann dünne Schichten bilden, die mechanisch stabil und flexibel sind.2. Abscheidungsmethoden: Gleichstromsputtern: Da Kupfer ein leitfähiges Material ist, wird zur effizienten Dünnschichtabscheidung häufig Gleichstrom-Magnetronsputtern verwendet. HF-Sputtern: Obwohl Gleichstromsputtern bevorzugt wird, kann HF-Sputtern auch für bestimmte Anwendungen verwendet werden, bei denen Wechselfelder erforderlich sind. Reaktives Sputtern: Kupfer kann in reaktiven Umgebungen mit Gasen wie Sauerstoff gesputtert werden, um für bestimmte Anwendungen Kupferoxide (z. B. CuO, Cu2O) zu bilden.3. Anwendungen: Mikroelektronik: Aufgrund seiner hervorragenden elektrischen Leitfähigkeit wird Kupfer häufig in integrierten Schaltkreisen, Halbleiterbauelementen und Dünnschichttransistoren als Verbindungselement und elektrischer Kontakt verwendet. Leiterplatten (PCBs): Dünne Kupferschichten sind bei der Herstellung von PCBs von entscheidender Bedeutung, da sie Leiterbahnen für elektronische Komponenten bilden. Solarzellen: Kupfer wird in einigen Dünnschichtsolarzellen für elektrische Kontakte und als Bestandteil von Verbindungen wie CIGS (Kupfer-Indium-Gallium-Diselenid) verwendet. Optische Beschichtungen: Aufgrund seiner hohen Reflektivität im sichtbaren und infraroten Bereich wird Kupfer gelegentlich in reflektierenden Beschichtungen und Spiegeln verwendet. Kühlkörper und Wärmemanagement: Kupferdünnschichten werden in Anwendungen eingesetzt, bei denen die Wärmeleitfähigkeit von entscheidender Bedeutung ist, wie z. B. Kühlkörper und Wärmemanagementschichten in der Mikroelektronik.4. Filmeigenschaften:Hohe elektrische Leitfähigkeit: Dünne Kupferfilme haben ausgezeichnete elektrische Eigenschaften, was sie ideal für leitfähige Schichten in der Elektronik macht.Wärmeleitfähigkeit: Kupferfilme leiten Wärme effizient ab und verbessern so die Gerätezuverlässigkeit und Langlebigkeit in elektronischen Hochleistungsanwendungen.Korrosionsbeständigkeit: Kupferfilme können anfällig für Oxidation sein, daher werden häufig Schutzschichten (wie Nickel oder Chrom) hinzugefügt, um Korrosion zu verhindern.Haftung: Kupfer hat eine gute Haftung auf einer Vielzahl von Substraten, aber manchmal werden Haftschichten (wie Titan oder Chrom) verwendet, um die Bindung mit bestimmten Materialien zu verbessern.5. Reaktive Abscheidung:Kupferoxide (CuO, Cu2O): Kupfer kann in einer sauerstoffreichen Umgebung gesputtert werden, um Kupferoxide zu bilden, die aufgrund ihrer halbleitenden Eigenschaften in der Elektronik, in Sensoren und in der Photovoltaik Anwendung finden.6. Herausforderungen:Oxidation: Kupfer neigt zur Oxidation, insbesondere in Gegenwart von Luft oder Feuchtigkeit. Um dies zu vermeiden, wird die Abscheidung häufig in einer kontrollierten Umgebung durchgeführt und es können zusätzliche Schutzschichten aufgebracht werden.Elektromigration: In der Mikroelektronik können dünne Kupferfilme Elektromigration erfahren, bei der sich Atome unter dem Einfluss eines elektrischen Stroms bewegen, was möglicherweise zu Geräteausfällen führt. Barriereschichten (z. B. Tantal oder Titan) werden verwendet, um diesen Effekt abzuschwächen.Diffusion: Kupfer kann in andere Materialien, insbesondere Silizium, diffundieren, was die Geräteleistung beeinträchtigen kann. Diffusionsbarrieren (wie Tantal) werden verwendet, um dies zu verhindern.Zusammenfassung: Kupfer-(Cu)-Sputtertargets sind aufgrund der hohen elektrischen Leitfähigkeit, Wärmeleitfähigkeit und Duktilität von Kupfer für Dünnschichtanwendungen in der Mikroelektronik, Solarzellen, optischen Beschichtungen und im Wärmemanagement unverzichtbar. DC-Sputtern wird häufig für die Kupferabscheidung verwendet, und reaktives Sputtern kann Kupferoxide für spezielle Anwendungen erzeugen. Kupferdünnfilme werden häufig für Verbindungselemente, elektrische Kontakte und Wärmeableitung verwendet, obwohl bei empfindlichen Anwendungen darauf geachtet werden muss, Oxidation und Diffusion zu verhindern. Hinweise: Für alle dielektrischen Targetmaterialien wird eine metallische oder elastomere Trägerplattenverbindung empfohlen, da diese Materialien Eigenschaften aufweisen, die sich nicht zum Sputtern eignen, wie z. B. Sprödigkeit und geringe Wärmeleitfähigkeit. Diese Targets sind aufgrund ihrer geringen Wärmeleitfähigkeit am anfälligsten für Thermoschocks und erfordern daher möglicherweise spezielle Verfahren zum Hoch- und Herunterfahren der Leistung während der Start- und Herunterfahrschritte.