Ideale kreisförmige Vakuum-Magnetron-Sputtertargets, MAGNESIUMFLUORID - MgF 2 -Sputtertarget, 3 Zoll Durchmesser x 0,125 Zoll Dicke, 99,995 Prozent Reinheit, metallisch verbunden mit einer OFHC-Kupfer-Trägerplatte
Ideal Vacuum Products, LLC. Bei diesem Produkt handelt es sich um ein kreisförmiges Magnetron-Magnesiumfluorid- MgF2 -Sputtertarget mit 3 Zoll Durchmesser und 0,125 Zoll Dicke. Es hat eine Reinheit von 99,995 % und ist metallisch mit einer OFHC-Kupferträgerplatte (Oxygen-Free High Conductivity, hohe sauerstofffreie Leitfähigkeit) verbunden.
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MAGNESIUMFLUORID – MgF 2
MAGNESIUMFLUORID ( MgF2 ) ist aufgrund seiner hervorragenden Übertragungseigenschaften und Haltbarkeit ein in optischen Anwendungen weit verbreitetes Material. Hier ist eine Zusammenfassung seiner wichtigsten Eigenschaften:
Brechungsindex: ~1,38 (bei 550 nm), wodurch es sich um ein Material mit niedrigem Brechungsindex handelt.
Transparenzbereich: MgF 2 verfügt über ein breites Transmissionsfenster, das vom tiefen UV (~120 nm) bis zum mittleren Infrarot (~7 µm) reicht, und ist daher für UV-, sichtbare und IR-Anwendungen geeignet.
Optische Beschichtungen: Werden häufig in Antireflexbeschichtungen und mehrschichtigen optischen Beschichtungen für Linsen, Filter und andere optische Komponenten verwendet.
Haltbarkeit: MgF 2 ist hart und chemisch stabil, widerstandsfähig gegen Umwelteinflüsse und für den Einsatz unter rauen Bedingungen geeignet.
Ablagerungsmethode: Aufgrund der isolierenden Eigenschaften normalerweise durch HF-Sputtern abgelagert.
MgF 2 wird häufig aufgrund seiner hohen optischen Transparenz und seines niedrigen Brechungsindex gewählt, was es ideal zur Reduzierung der Reflexion in verschiedenen optischen Systemen macht.
HF-Sputtern im Vergleich zu DC-Sputtern: Das HF-Sputtern ist häufig die bevorzugte Methode zum Sputtern reiner Metalloxide, da diese Isolatoren sind und HF ein alternierendes elektrisches Feld erzeugt, das Ladungsaufbau auf der Zieloberfläche verhindert. Dieses alternierende Feld reduziert die Ladungsansammlung, die sonst beim DC-Sputtern zu Lichtbögen führen würde.
Abscheidungsleistung: Niedrigere Abscheidungsrate: Beim HF-Sputtern ist die Leistungsübertragung auf das Plasma im Vergleich zum Gleichstrom weniger effizient, was hauptsächlich an der Wechselwirkung des elektrischen Felds liegt. Dies führt zu einer niedrigeren Abscheidungsrate im Vergleich zum Gleichstrom-Sputtern unter gleichwertigen Leistungsbedingungen.
Zielmaterial: Bei leitfähigen Zielen (wie Titan beim reaktiven Sputtern) ist die Abscheidungsrate beim DC-Sputtern höher. Bei isolierenden Zielen wie reinen Metalloxiden muss RF-Sputtern verwendet werden, und die Abscheidungsraten sind normalerweise niedriger.
Leistungsstufen: Durch Erhöhen der Leistung können die Abscheidungsraten sowohl beim HF- als auch beim Gleichstrom-Sputtern gesteigert werden. Bei leitfähigen Materialien sind die Abscheidungsraten bei Gleichstrom jedoch immer noch höher.
Druck und Gasfluss: Durch Optimierung des Gasdrucks und -flusses können höhere Abscheidungsraten erzielt werden, wobei für HF und Gleichstrom unterschiedliche optimale Bedingungen gelten.
Hinweise: Für alle dielektrischen Targetmaterialien wird eine metallische oder elastomere Trägerplattenverbindung empfohlen, da diese Materialien Eigenschaften aufweisen, die sich nicht zum Sputtern eignen, wie z. B. Sprödigkeit und geringe Wärmeleitfähigkeit. Diese Targets sind aufgrund ihrer geringen Wärmeleitfähigkeit am anfälligsten für Thermoschocks und erfordern daher während der Start- und Abschaltschritte möglicherweise spezielle Verfahren zum Hoch- und Herunterfahren der Leistung.