Ideale Vakuum-SILIZIUM-Stücke (P-Typ) - Si, 100 Gramm, 99,999 Prozent rein, Bor dotiert, Schmelzpunkt 1.410 °C, 1 - 10 mm große Stücke, PVD-Aufdampfmaterialien, dünne Silizium-Halbleiterfilme

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Bei diesem Produkt handelt es sich um eine Flasche mit 100 Gramm hochreinem Silizium (P-Typ) (99,999 %) mit einer Größe von 1 bis 10 mm und wird in PET-Plastikflaschen geliefert. Diese Stücke haben eine Dichte von 2,32 g/cm³, einen Schmelzpunkt von 1.410 °C und einen Dampfdruck von 10-4 Torr bei 1.337 °C. Ihr Wärmeausdehnungskoeffizient beträgt 2,6 x 10-6/K und ihr Z-Verhältnis beträgt 0,437.

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Silizium (P-Typ)
P-Typ-Silizium ist aufgrund seiner Halbleitereigenschaften ein Schlüsselmaterial für physikalische Gasphasenabscheidung (PVD). Die Kombination physikalischer, chemischer, elektrischer und thermischer Eigenschaften von Silizium macht es zu einem unverzichtbaren Material in der modernen Technologie und Industrie.
P-Typ-Silizium ist ein Halbleitermaterial, das mit Elementen dotiert wurde, die ihm positive Ladungsträger (Löcher) verleihen. Aufgrund seiner Fähigkeit, Elektrizität zu leiten, ist dieser Siliziumtyp für verschiedene elektronische und Photovoltaikanwendungen von entscheidender Bedeutung. Bei Dünnschichtanwendungen spielt P-Typ-Silizium eine zentrale Rolle, insbesondere bei Solarzellen und Transistoren.

Dotierungselemente: P-Typ-Silizium wird typischerweise mit Elementen aus der Gruppe III des Periodensystems dotiert, wie etwa Bor, Aluminium oder Gallium. Bor ist das am häufigsten verwendete Dotiermittel.