Ideale kreisförmige Vakuum-Magnetron-Sputtertargets, TITANOXID - TiO 2 -Sputtertarget, 3 Zoll Durchmesser x 0,125 Zoll Dicke, 99,99 Prozent Reinheit - Weiß, metallisch verbunden mit einer OFHC-Kupfer-Trägerplatte
Ideal Vacuum Products, LLC. Bei diesem Produkt handelt es sich um ein kreisförmiges Magnetron-TiO 2 -Sputtertarget (weiß) mit einem Durchmesser von 3 Zoll und einer Dicke von 0,125 Zoll. Es ist zu 99,99 % rein und metallisch mit einer OFHC-Kupferträgerplatte (Oxygen-Free High Conductivity) verbunden.
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Titandioxid
Titandioxid (TiO 2 ) ist eine weiße, kristalline chemische Verbindung, die aufgrund ihres hohen Brechungsindex und ihrer Stabilität häufig verwendet wird. Es kommt in drei Hauptformen vor: Rutil, Anatas und Brookit. Aufgrund seiner hervorragenden Opazität und Helligkeit wird TiO 2 hauptsächlich als Pigment in Farben, Beschichtungen und Kunststoffen verwendet.
Titandioxid (weiß) wird in optischen Beschichtungen hauptsächlich aufgrund seines hohen Brechungsindex verwendet, was es ideal für Antireflex-, Interferenz- und hochreflektierende Beschichtungen macht. Es wird in mehrschichtigen optischen Designs wie dielektrischen Spiegeln und Filtern verwendet, um die Reflexion oder Transmission in bestimmten Wellenlängenbereichen zu verbessern. Aufgrund seiner Stabilität und Transparenz im sichtbaren bis nahen Infrarotspektrum eignet es sich auch für Linsen, Strahlteiler und Schutzbeschichtungen, bei denen eine präzise Lichtsteuerung und hohe optische Qualität erforderlich sind.
HF-Sputtern im Vergleich zu DC-Sputtern: Das HF-Sputtern ist häufig die bevorzugte Methode zum Sputtern reiner Metalloxide, da diese Isolatoren sind und HF ein alternierendes elektrisches Feld erzeugt, das Ladungsaufbau auf der Zieloberfläche verhindert. Dieses alternierende Feld reduziert die Ladungsansammlung, die sonst beim DC-Sputtern zu Lichtbögen führen würde.
Abscheidungsleistung: Niedrigere Abscheidungsrate: Beim HF-Sputtern ist die Leistungsübertragung auf das Plasma im Vergleich zum Gleichstrom weniger effizient, was hauptsächlich an der Wechselwirkung des elektrischen Felds liegt. Dies führt zu einer niedrigeren Abscheidungsrate im Vergleich zum Gleichstrom-Sputtern unter gleichwertigen Leistungsbedingungen.
Zielmaterial: Bei leitfähigen Zielen (wie Titan beim reaktiven Sputtern) hat das DC-Sputtern eine höhere Abscheidungsrate. Bei isolierenden Zielen wie reinen Metalloxiden muss RF-Sputtern verwendet werden, und die Abscheidungsraten sind normalerweise niedriger.
Leistungsstufen: Durch Erhöhen der Leistung können die Abscheidungsraten sowohl beim HF- als auch beim Gleichstrom-Sputtern gesteigert werden. Bei leitfähigen Materialien sind die Abscheidungsraten bei Gleichstrom jedoch immer noch höher.
Druck und Gasfluss: Durch Optimierung des Gasdrucks und -flusses können höhere Abscheidungsraten erzielt werden, wobei für HF und Gleichstrom unterschiedliche optimale Bedingungen gelten.
Hinweise: Für alle dielektrischen Targetmaterialien wird eine metallische oder elastomere Trägerplattenverbindung empfohlen, da diese Materialien Eigenschaften aufweisen, die sich nicht zum Sputtern eignen, wie z. B. Sprödigkeit und geringe Wärmeleitfähigkeit. Diese Targets sind aufgrund ihrer geringen Wärmeleitfähigkeit am anfälligsten für Thermoschocks und erfordern daher während der Start- und Abschaltschritte möglicherweise spezielle Verfahren zum Hoch- und Herunterfahren der Leistung.