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Das Plasmareinigungs- und Dekontaminationssystem PlasmaVAC P50W von Ideal Vacuum mit entfernter Plasmaquelle wird häufig für die Proben- und Substratvorbereitung von SEM, TEM, ALD und PVD verwendet.
Produktionszeit - 4 bis 8 Wochen


Ideal Vacuum PlasmaVAC P50W Plasmareinigungs- und Dekontaminationssystem mit Remote-Plasmaquelle. Wird häufig für die Proben- und Substratvorbereitung von SEM, TEM, ALD und PVD verwendet. Unsere Ideal Vacuum PlasmaVAC P50W Plasmareinigungs- und Dekontaminationssysteme sind ideal für die Probenvorbereitung für Rasterelektronenmikroskope (SEM) und Transmissionselektronenmikroskope (TEM). Die Plasmareinigung ist ein wichtiger Schritt, da sie organische Verunreinigungen von Probenoberflächen entfernt und so die Bildqualität und Analysegenauigkeit verbessert. Die Halbleiterindustrie verwendet SEM und TEM, um Fehler in Transistorgeräten zu identifizieren und zu analysieren. In vielen Fällen sind jedoch Hinweise auf den Fehler nur während Tests vor Ort sichtbar, während das Gerät unter normalen Betriebsbedingungen läuft. Um diese Arten von Fehlern zu beobachten, müssen elektrische und Kühlverbindungen an das Transistorgerät angeschlossen werden, während es im Elektronenmikroskop montiert ist. Unter Berücksichtigung dieser Anforderungen hat das P50W eine Kammergröße von 16 x 16 x 16 Zoll mit einem geräumigen Volumen von 2,4 Kubikfuß und großen seitlichen Vakuumzugangsöffnungen. Eine Durchführungsplatte zum Seitenanschluss kann einfach hinzugefügt werden, die alle elektrischen Verbindungen und Kühlleitungen trägt, sodass alle diese Teile in einem Schritt dekontaminiert werden können. Auf diese Weise ist die komplette In-situ-Teststufe, die an einem Vakuum-Seitenanschluss montiert ist, dekontaminiert und bereit zum Anschluss an Ihr SEM oder TEM, wo die elektrischen Geräte unter normalen Bedingungen betrieben und Defekte beobachtet werden können. Das PlasmaVAC P50W eignet sich ideal zum Entfernen von Kohlenwasserstoffverunreinigungen aus Proben und Substraten, die in folgenden Bereichen verwendet werden: Rasterelektronenmikroskopie (SEM) Transmissionselektronenmikroskopie (TEM) Röntgen-Photoelektronenspektroskopie (XPS) Röntgenspektroskopie (EDX) Kryoplasma-fokussierter Ionenstrahl (Cryo-PFIB) Atomlagenabscheidung (ALD) Physikalische Gasphasenabscheidung (PVD) Extrem-Ultraviolett-Lithografie (EUVL) Das PlasmaVAC P50W verfügt über einen entfernten Hohlkathodenplasma-Radikal-Dekontaminator von XEI Scientific, Inc. mit Modell Evactron E50 E-TC. Diese Quelle bietet HF-Leistung zwischen 35 und 75 Watt bei 13,56 MHz und umfasst eine Bibliothek getesteter Rezepte und Optionen zum Ändern von Leistung, Zyklen und Reinigungsdauer. Der Evactron E50 E-TC verfügt über zwei Gaseinlassoptionen: eine Version mit ultrahochreinem Gaseinlassfilter (3 nm Porengröße), um die strengen Anforderungen der Richtlinie SEMI F38-0699 der Halbleiterindustrie zu erfüllen, und die Version mit Präzisionsfilteroption (0,5 µm Porengröße) für allgemeine Laborbedingungen. Diese Inline-Filter verhindern das Eindringen von Partikeln aus Gaszuleitungen in den Plasmastrom. Zu den getesteten alternativen Gasen gehören O2, CDA, Ar/H2, Ar/O2, N2/H2 und N2. Die Verwendung von 100 % H2 wird aus Sicherheitsgründen nicht empfohlen. Spezifikationen für die Oberflächenbehandlung PlasmaVAC P50W: Remote-Plasmaquelle von XEI Scientific, Modell Evactron E50 E-TC, Leistung einstellbar zwischen 35 und 75 Watt, max. 50 Watt Dauerbetrieb, HF-Frequenz bei 13,56 MHz, zwei Gaseinlassfilteroptionen: Porengröße 3 nm und 0,5 µm. Die Porengröße von 3 nm entspricht der Richtlinie SEMI F38-0699 der Halbleiterindustrie, getestet mit den Gasen O2, CDA, Ar/H2, Ar/O2, N2/H2 und N2. Dedizierter Evactron-Benutzeroberflächen-Controller; Speicherung von Benutzereinstellungen; Rezepturen, Leistung, Zyklen und Reinigungsdauer; Vorderes Sichtfenster; Seitlicher Zugang; Vakuumanschlüsse; Turbodrosselung; Beheiztes Regal (60 °C) unter der Plasmaquelle montiert; Abstand des beheizten Regals in 1-Zoll-Schritten einstellbar; 2 zusätzliche geschlitzte HV-Lagerregale; Dieses P50W-System umfasst eine trockene mehrstufige Roots-Vorvakuumpumpe nXR60i von Edwards und eine untermontierte Turbopumpe HiPace 300 von Pfeiffer mit TC400-Controller. Zu seinen Features gehören außerdem atmosphärische Entlüftung und ein integriertes kombiniertes Pirani- und Kaltkathoden-Inverted-Magnetron-Messgerät Inficon MPG400. Kammervakuumdruckmessungen werden über einen an einer Konsole montierten Druckcontroller angezeigt, der es dem Benutzer auch ermöglicht, die Geschwindigkeit der Turbopumpe zu steuern. Im Lieferumfang enthalten ist ein hoch in der Kammer montiertes beheiztes Plattenregal für eine optimale Plasmareinigung von Transistorgeräten oder Wafern, wobei die Temperatur durch einen separaten, an einer Konsole montierten Controller gesteuert und auf maximal 60 °C begrenzt ist, um Verbrennungen des Bedieners zu vermeiden. Das beheizte Regal ist in optimaler Entfernung für die Reinigung von SEM- und TEM-Proben installiert und kann für andere Anwendungen je nach Bedarf in 1-Zoll-Schritten nach oben oder unten eingestellt werden. Zwei weitere Regale befinden sich unterhalb des beheizten Regals und bieten zusätzlichen Hochvakuum-Lagerraum. Das Evactron E50 E-TC-Fernplasmareinigungssystem ist in das Dach der Kammer eingebaut und ein separater dedizierter Evactron-Schnittstellencontroller ermöglicht dem Benutzer, alle wichtigen Reinigungsparameter einfach zu variieren und Benutzerrezepte zu speichern. Die Kammer verfügt über eine Edelstahltür mit Scharnieren und Sichtfenster sowie einen eingebauten Polycarbonatfilter, um den Benutzer vor der vom Plasmalichtbogen erzeugten IR- und UV-Strahlung zu schützen. Dieses PlasmaVAC-Instrument verfügt über eine Verriegelung, die den Betrieb des Plasmareinigungssystems bei über 1 Torr nicht zulässt. Die Softwareoption AutoExplor ermöglicht es dem Benutzer, Geräte von einem Remote-Computer aus zu steuern und gleichzeitig das System zu schützen. AutoExplor ordnet Pumpen richtig zu und betätigt automatisch die richtigen Ventile für eine bestimmte Anforderung. Der Benutzer kann Druck- und Temperatursollwerte, Rampenraten, Einweichzeiten und Entlüftung programmieren. Die Software bietet grafisches Datenstreaming in Echtzeit, sodass der Benutzer das Systemverhalten visualisieren kann. AutoExplor verwaltet einen internen vorbeugenden Wartungsplan und benachrichtigt den Benutzer, wenn eine Systemwartung, wie z. B. eine Pumpenwartung oder eine Sensorkalibrierung, fällig ist. Dies trägt dazu bei, die Betriebsleistung des Systems auf Höchstniveau zu halten. Außerdem werden im Falle eines Geräteausfalls Fehler- und Fehlermeldungen sowie spezifische Informationen zur Fehlerbehebung bereitgestellt, sodass das Problem so schnell wie möglich behoben werden kann. Die Plasmareinigung ist eine in der Mikroskopie, einschließlich der Rasterelektronenmikroskopie (SEM) und der Transmissionselektronenmikroskopie (TEM), weit verbreitete Technik zur Vorbereitung und Dekontamination von Proben. Sie entfernt effektiv organische Verunreinigungen von Probenoberflächen und verbessert so die Bildqualität und Analysegenauigkeit. So funktioniert die Plasmareinigung für SEM- und TEM-Proben:1. Prinzip der PlasmareinigungBei der Plasmareinigung wird Plasma, ein hochionisiertes Gas, zur Entfernung von Verunreinigungen verwendet. Plasma wird erzeugt, indem ein hochfrequentes elektromagnetisches Feld auf ein Niederdruckgas, üblicherweise Sauerstoff, Argon oder Wasserstoff, angewendet wird. Der Prozess erzeugt Ionen, Elektronen und neutrale Spezies, die hochreaktiv sind. 2. Entfernung von VerunreinigungenIm Plasmareinigungsprozess:Physikalische Entfernung: Die energiereichen Ionen im Plasma bombardieren die Probenoberfläche und zerstäuben Verunreinigungen physikalisch weg. Chemische Reaktionen: Reaktive Spezies im Plasma können chemisch mit Verunreinigungen interagieren. Beispielsweise können Sauerstoffradikale organische Materialien oxidieren und sie in flüchtige Verbindungen verwandeln, die leicht entfernt werden können.3. Anwendung in SEM und TEMFür SEM-Proben:Dekontamination: Die Plasmareinigung entfernt organische Rückstände wie Fingerabdrücke, Öle und luftgetragene Partikel, die Details verdecken oder Elektronenstrahlen stören können. Verbesserte Bildgebung: Durch die Reinigung der Oberfläche reduziert die Plasmabehandlung Aufladungseffekte und verbessert die Auflösung und den Kontrast von SEM- und TEM-Bildern. Verbesserte Auflösung und Kontrast: Eine saubere Probenoberfläche ermöglicht eine bessere Interaktion zwischen den Elektronen und der Probe, was für die Erzielung hochauflösender und kontrastreicher Bilder in SEM und TEM entscheidend ist. Vorbereitung für die Beschichtung: Wird oft vor dem Auftragen leitfähiger Beschichtungen auf nicht leitfähige Proben verwendet, um sicherzustellen, dass die Beschichtung gut haftet und gleichmäßig ist. 4. Vorteile der PlasmareinigungSchonend für Proben: Im Gegensatz zu chemischen Reinigungsmethoden ist die Plasmareinigung im Allgemeinen nicht zerstörungsfrei für die Probenoberfläche. Schnell und effizient: Der Vorgang kann je nach Verschmutzungsgrad und Probengröße einige Minuten bis eine Stunde dauern. Vielseitig: Wirksam für eine Vielzahl von Materialien, darunter Metalle, Keramik und biologische Proben. Elektronenmikroskope, insbesondere Rasterelektronenmikroskope (REM) und Transmissionselektronenmikroskope (TEM), sind in der Halbleiterindustrie wichtige Werkzeuge zur Identifizierung und Analyse von Fehlern in Transistorbauelementen. Die Fähigkeit dieser Mikroskope, hochauflösende Bilder im Nanomaßstab zu liefern, ermöglicht eine detaillierte Untersuchung von Halbleitermaterialien, -strukturen und -bauelementen. So werden Elektronenmikroskope in diesem Zusammenhang verwendet:1. Hochauflösende BildgebungREM: REMs werden verwendet, um die Oberflächentopographie und -zusammensetzung von Transistorbauelementen zu visualisieren. Sie können Oberflächendefekte, Schichtdickenvariationen und strukturelle Anomalien identifizieren, die zum Ausfall von Transistoren führen können. Der Rückstreuelektronenmodus (BSE) kann Materialien anhand des Ordnungszahlkontrasts unterscheiden, was für die Prüfung der Zusammensetzung und Verteilung von Materialien im Gerät nützlich ist. TEM: TEM bietet eine noch höhere Auflösung als SEM und kann auf atomarer Ebene abbilden. Dies ist entscheidend für die Betrachtung der inneren Strukturen der Transistoren, wie Kristallgitterdefekte, Versetzungen und Schnittstellenanomalien zwischen verschiedenen Materialien. 2. FehleranalyseFehleranalyse: Elektronenmikroskope können Defekte erkennen und analysieren, die mit weniger leistungsstarken Mikroskopen nicht sichtbar sind. Dazu gehören Hohlräume, Risse und Einschlüsse von Fremdmaterial im Transistor. Materialanalyse: Energiedispersive Röntgenspektroskopie (EDX)-Funktionen in Elektronenmikroskopen können verwendet werden, um Elementanalysen durchzuführen und die chemische Zusammensetzung von Materialien zu bestätigen. Dies hilft beim Verständnis von Problemen wie Kontamination oder Materialabbau. 3. FehlerlokalisierungSchaltkreisbearbeitung und -debugging: Fokussierte Ionenstrahlsysteme (FIB), oft in Kombination mit SEM, werden für die Schaltkreisbearbeitung und Fehleranalyse verwendet. Sie können an bestimmten Stellen Material wegfräsen, um die inneren Abschnitte eines Transistors freizulegen oder um Schaltkreise im Nanometermaßstab zu reparieren und zu modifizieren. Physikalische Sektionierung: Bei inneren Defekten oder Fehlern können mit FIB Querschnitte der Geräte geschnitten werden. Diese Querschnitte können dann unter SEM oder TEM abgebildet werden, um die Schichtstrukturen und die Schnittstellenqualität zu analysieren. 4. Elektrische CharakterisierungSpannungskontrast im SEM: Mit dieser Technik wird elektrische Aktivität in Halbleitergeräten festgestellt. Sie kann zeigen, welche Teile des Transistors elektrisch aktiv sind und welche nicht, und so auf potenzielle Fehlerbereiche hinweisen. 5. Dynamische PrüfungIn-situ-Prüfung: Einige Elektronenmikroskope sind für elektrische In-situ-Tests ausgestattet, bei denen das Gerät unter Betriebsbedingungen beobachtet werden kann. Dies kann bei der Identifizierung dynamischer Fehlermechanismen wie Elektromigration oder thermischer Degradation hilfreich sein.

Zustand: Neu



Artikelnummer: P1013547



Preis: €111,072.68


Regulärer Preis: €138,840.84




Währung: Euro (Euro)

XEI Scientific Evactron E50 E-TC De-Contaminator Remote-Plasmaquelle, häufig verwendet für SEM, TEM, ALD und PVD-Proben- und Substratvorbereitung
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XEI Scientific Evactron E50 E-TC De-Contaminator Remote-Plasmaquelle, häufig verwendet für SEM, TEM, ALD und PVD-Proben- und Substratvorbereitung. Das XEI Scientific Evactron E50 E-TC De-Contaminator-System besteht aus: Evactron E50 E-TC Remote-Plasmaradikalquelle mit Gasspüloption, Evactron E50 E-TC Rack-Mount-Controller, Evactron E50 E-TC Touchpad-Schnittstelle, System-Benutzerhandbuch und Evactron E50-Kabelsatz. Diese sind integrierte Komponenten unserer Ideal Vacuum PlasmaVAC P50W Plasmareinigungs- und Dekontaminationssysteme, die ein ideales Produkt für die Probenvorbereitung für Rasterelektronenmikroskope (SEM) und Transmissionselektronenmikroskope (TEM) sind. Die Plasmareinigung ist ein wichtiger Schritt, da sie organische Verunreinigungen von Probenoberflächen entfernt und so die Bildqualität und Analysegenauigkeit verbessert. Die Plasmareinigung ist unerlässlich zum Entfernen von Kohlenwasserstoffverunreinigungen von Proben und Substraten, die in folgenden Bereichen verwendet werden: Rasterelektronenmikroskopie (SEM) Transmissionselektronenmikroskopie (TEM) Röntgen-Photoelektronenspektroskopie (XPS) Röntgenspektroskopie (EDX) Kryoplasma-fokussierter Ionenstrahl (Cryo-PFIB) Atomlagenabscheidung (ALD) Physikalische Gasphasenabscheidung (PVD) Extrem-Ultraviolett-Lithografie (EUVL) Spezifikationen für die Oberflächenbehandlung des Evactron E50 E-TC: Remote Plasma Source von XEI Scientific Modell Evactron E50 E-TC Leistung einstellbar zwischen 35 und 75 Watt Max. 50 Watt Dauerbetrieb HF-Frequenz bei 13,56 MHz Zwei Gaseinlassfilteroptionen: Porengröße 3 nm und 0,5 µm Die Porengröße von 3 nm entspricht der Richtlinie SEMI F38-0699 der Halbleiterindustrie Getestet mit O2, CDA, Ar/ H2, Ar/O2, N2/H2 und N2-Gase. Spezieller Evactron-Benutzeroberflächen-Controller, Speicherung von Benutzereinstellungen, Rezepten, Leistung, Zyklen und Reinigungsdauer. Plasmareinigung ist eine in der Mikroskopie, einschließlich Rasterelektronenmikroskopie (SEM) und Transmissionselektronenmikroskopie (TEM), weit verbreitete Technik zur Vorbereitung und Dekontaminierung von Proben. Sie entfernt effektiv organische Verunreinigungen von Probenoberflächen und verbessert so die Bildqualität und Analysegenauigkeit. So funktioniert die Plasmareinigung für SEM- und TEM-Proben: 1. Prinzip der Plasmareinigung Bei der Plasmareinigung werden Verunreinigungen mit Plasma, einem hochionisierten Gas, entfernt. Plasma wird erzeugt, indem ein hochfrequentes elektromagnetisches Feld auf ein Niederdruckgas, üblicherweise Sauerstoff, Argon oder Wasserstoff, angewendet wird. Der Prozess erzeugt Ionen, Elektronen und neutrale Spezies, die hochreaktiv sind. 2. Entfernung von Verunreinigungen. Beim Plasmareinigungsprozess: Physikalische Entfernung: Die energiereichen Ionen im Plasma bombardieren die Probenoberfläche und zerstäuben Verunreinigungen physikalisch weg. Chemische Reaktionen: Reaktive Spezies im Plasma können chemisch mit Verunreinigungen interagieren. Sauerstoffradikale können beispielsweise organische Materialien oxidieren und sie in flüchtige Verbindungen verwandeln, die leicht entfernt werden können.3. Anwendung in SEM und TEMFür SEM-Proben:Dekontamination: Plasmareinigung entfernt organische Rückstände wie Fingerabdrücke, Öle und luftgetragene Partikel, die Details verdecken oder Elektronenstrahlen stören können. Verbesserte Bildgebung: Durch Reinigung der Oberfläche reduziert die Plasmabehandlung Aufladungseffekte und verbessert die Auflösung und den Kontrast von SEM- und TEM-Bildern. Verbesserte Auflösung und Kontrast: Eine saubere Probenoberfläche ermöglicht eine bessere Interaktion zwischen den Elektronen und der Probe, was für die Erzielung hochauflösender und kontrastreicher Bilder in SEM und TEM entscheidend ist. Vorbereitung für die Beschichtung: Wird häufig vor dem Auftragen leitfähiger Beschichtungen auf nicht leitfähige Proben verwendet, um sicherzustellen, dass die Beschichtung gut haftet und gleichmäßig ist. 4. Vorteile der Verwendung von PlasmareinigungSchonend für Proben: Im Gegensatz zu chemischen Reinigungsmethoden ist die Plasmareinigung im Allgemeinen zerstörungsfrei für die Probenoberfläche. Schnell und effizient: Der Vorgang kann je nach Kontaminationsgrad und Probengröße einige Minuten bis zu einer Stunde dauern. Vielseitig: Wirksam bei einer Vielzahl von Materialien, einschließlich Metallen, Keramik und biologischen Proben.

Zustand: Neu



Artikelnummer: P1013571



Preis: €27,937.20




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