Bomba de vacío en seco Edwards iXM 200 200-230 VAC 50/60 hz 3 ph. PN A56106958

Edwards iXM 200 es una nueva gama de bombas secas construidas para la fabricación ecológica. Utilizando muy poca energía, el mecanismo de raíces eficiente se ha desarrollado para reducir drásticamente la potencia de entrada a 1,3 kW, un 60 % menos que la generación anterior de bombas secas, lo que reduce el impacto ambiental y reduce el costo de propiedad. La tecnología de barrera de gas y las mejoras en el diseño térmico permiten una resistencia a la corrosión cuatro veces mayor que el producto de la serie iH. Las funciones avanzadas de manejo de polvo significan que iXM brindará la máxima confiabilidad y una mayor vida útil de la bomba para los procesos de grabado multicapa y un consumo de energía reducido para los procesos de CVD.

Las bombas de la serie Edwards iXM 200 son compactas y de diseño liviano, combinado con un ruido y vibración excepcionalmente bajos, hacen de iXM la bomba seca más versátil de la gama Edwards. iXM transformará sus expectativas de la tecnología de bombas de vacío en seco, brindará beneficios reales y mayor tiempo de actividad, con un impacto ambiental mínimo. Las bombas iXM están diseñadas para su uso en la mayoría de los procesos de semiconductores y ofrecen reducciones significativas en la potencia de entrada. Para ver el Manual de instrucciones completo, consulte Descargas al costado.

Características y Beneficios:

• Principalmente para aplicaciones de productos químicos limpios a ligeramente agresivos (consulte el espectro de aplicaciones a continuación)
• Velocidad máxima de bombeo 200 m3/h-1 (118 CFM)
• Presión máxima 1.5 X 10-2 Torr
• Contiene bomba primaria solamente
• No requiere mantenimiento preventivo
• Rellenos de agua de conexión rápida de 3/8 pulgadas
• Mitades de acoplamiento de conexión de agua y energía
• Sistema de refrigeración por agua SS
• Módulo de gas Varimode
  
  APLICACIONES:
  • Bloqueo de carga
  • Transferir
  • Meteorología
  • Litografía
  • Proceso PVD de deposición física de vapor
  • Deposición física de vapor PVD Limpieza previa
  • RTA de recocido térmico rápido
  • Tira/Ceniza
  • Grabando
  • Fuente de implante
  • Deposición de vapor químico de plasma de alta densidad HDP CVD
  • Procesamiento térmico rápido RTP
  • Deposición de vapor químico subatmosférico SACVD
  • Deposición química de vapor de tungsteno WCVD
  • Deposición de vapor químico modificado MCVD
  • Deposición química de vapor mejorada con plasma PECVD
  • Deposición química de vapor a baja presión LPCVD