Deposición de capa atómica (ALD) Sistema de cilindro de suministro de vapor precursor líquido, acero inoxidable 304L, cilindro DOT-3E-1800 de 150 cm3

La entrega controlada de vapor en fase gaseosa de un precursor líquido es necesaria en los procesos de Deposición de vapor químico (CVD), Deposición de vapor químico metalorgánico (MOCVD) y Deposición de capa atómica (ALD). Estos cilindros de suministro de gas de vapor líquido contienen un borboteador integrado para ayudar a contener el vapor precursor en un flujo de gas amortiguador. Estos cilindros de suministro de vapor están hechos de acero inoxidable 316 resistente a productos químicos con válvulas de bola de ¼ de vuelta en la entrada y el escape. El cilindro está clasificado para soportar una presión de hasta 1800 PSI (@ 37 °C).

La clasificación de presión máxima del cilindro varía según la temperatura. NO presurice los cilindros por encima de sus respectivos límites de temperatura

La dirección del flujo está impresa en cada válvula, cuando el gas tampón fluye en la dirección correcta hacia el proceso de deposición, se forman burbujas en la parte inferior del cilindro que ascienden a través del líquido precursor. Esto permite un flujo constante y constante de vapor precursor diluido en el gas amortiguador, que suele ser helio, neón o argón. Estos cilindros de gas de suministro de vapor de precursor líquido pueden ser calefactores o fríos para controlar la presión de vapor y la concentración del precursor. Esto permite generar una concentración de flujo precisa.

Las válvulas de entrada y salida son válvulas de bola con conexión Swagelok® de ¼ de pulgada, que no están clasificadas para líquidos pirofóricos. Para la aplicación ALD con líquidos pirofóricos altamente inflamables, nuestros cilindros de suministro se actualizan con válvulas de diafragma para mejorar la seguridad, y se pueden aplicar con líquidos pirofóricos, como trimetilaluminio (TMA), trietilaluminio (TEA), dietil zinc (DEZn) y trimetil galio. (TMGa).