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Il sistema di pulizia e decontaminazione al plasma Ideal Vacuum PlasmaVAC P50W, con sorgente di plasma remota, è comunemente utilizzato per la preparazione di campioni e substrati SEM, TEM, ALD e PVD
Tempo di produzione: da 4 a 8 settimane


Sistema di pulizia e decontaminazione al plasma Ideal Vacuum PlasmaVAC P50W, con sorgente di plasma remota Comunemente utilizzato per la preparazione di campioni e substrati SEM, TEM, ALD e PVD. I nostri sistemi di pulizia e decontaminazione al plasma Ideal Vacuum PlasmaVAC P50W sono ideali per la preparazione di campioni di microscopia elettronica a scansione (SEM) e a trasmissione (TEM). La pulizia al plasma è un passaggio fondamentale in quanto rimuove i contaminanti organici dalle superfici dei campioni, migliorando la qualità delle immagini e la precisione dell'analisi. L'industria dei semiconduttori utilizza SEM e TEM per identificare e analizzare i guasti nei dispositivi a transistor, ma in molti casi la prova del guasto è visibile solo durante i test in situ mentre il dispositivo funziona nelle sue normali condizioni operative. Per osservare questi tipi di guasti, è necessario fornire connessioni elettriche e di raffreddamento al dispositivo a transistor mentre è montato all'interno del microscopio elettronico. Con questi requisiti in mente, il P50W ha una dimensione della camera di 16 x 16 x 16 pollici con un volume spazioso di 2,4 piedi cubi e grandi porte di accesso al vuoto laterali. È possibile aggiungere facilmente una piastra passante alla porta laterale che trasporta tutti i collegamenti elettrici e le linee di alimentazione del raffreddamento in modo che tutte queste parti possano essere decontaminate in un unico passaggio. In questo modo, la fase di prova in situ completa montata su una porta laterale sotto vuoto viene decontaminata e pronta per essere collegata al SEM o TEM, dove i dispositivi elettrici possono essere azionati in condizioni normali e si possono osservare i difetti. PlasmaVAC P50W è ideale per rimuovere la contaminazione da idrocarburi da campioni e substrati utilizzati in: Microscopia elettronica a scansione (SEM) Microscopia elettronica a trasmissione (TEM) Spettroscopia fotoelettronica a raggi X (XPS) Spettroscopia a raggi X (EDX) Fascio ionico focalizzato al crioplasma (Cryo-PFIB) Deposizione a strati atomici (ALD) Deposizione fisica da vapore (PVD) Litografia ultravioletta estrema (EUVL) PlasmaVAC P50W è dotato di un decontaminatore radicalico al plasma a catodo cavo remoto prodotto da XEI Scientific, Inc con modello Evactron E50 E-TC. Questa sorgente offre una potenza RF compresa tra 35 e 75 Watt a 13,56 MHz e include una libreria di ricette testate e opzioni per modificare potenza, cicli e durata della pulizia. L'Evactron E50 E-TC ha due opzioni di ingresso gas: una versione con filtro di ingresso gas ad altissima purezza (dimensione pori 3 nm) per soddisfare i severi requisiti della direttiva SEMI F38-0699 del settore dei semiconduttori e la versione con filtro di precisione (dimensione pori 0,5 µm) per condizioni di laboratorio generali. Questi filtri in linea impediscono l'introduzione di particolato dalle linee di alimentazione del gas nel flusso di plasma. I gas alternativi che sono stati testati includono O2, CDA, Ar/H2, Ar/O2, N2/H2 e N2. L'uso di H2 al 100% non è raccomandato per motivi di sicurezza. Specifiche del trattamento superficiale PlasmaVAC P50W: Sorgente al plasma remota di XEI Scientific Modello Evactron E50 E-TC Potenza regolabile tra 35 e 75 Watt Massimo 50 Watt di funzionamento continuo Frequenza RF a 13,56 MHz Due opzioni di filtro di ingresso gas: dimensioni dei pori da 3 nm e 0,5 µm Le dimensioni dei pori da 3 nm seguono la direttiva SEMI F38-0699 del settore dei semiconduttori Testato con gas O2, CDA, Ar/H2, Ar/O2, N2/H2 e N2. Interfaccia utente Evactron dedicata Controller Memorizzazione delle impostazioni utente Ricette, potenza, cicli e durata della pulizia Porta di visualizzazione frontale Porte di accesso laterale per vuoto Turbo Throttling Ripiano riscaldato (60 °C) montato sotto la sorgente di plasma La distanza del ripiano riscaldato è regolabile con incrementi di 1 pollice 2 ripiani di stoccaggio HV scanalati aggiuntivi Questo sistema P50W include una pompa di sgrossatura multistadio a secco Edwards nXR60i e una pompa turbo Pfeiffer HiPace 300 sottomontata con controller TC400. Le sue caratteristiche includono anche lo sfiato atmosferico e un misuratore magnetron invertito a catodo freddo e Pirani combinato Inficon MPG400 integrato. Le misurazioni della pressione del vuoto della camera vengono visualizzate tramite un controller di pressione montato sulla console che consente anche all'utente di controllare la velocità della pompa turbo. È incluso un ripiano riscaldato montato in alto nella camera per una pulizia ottimale al plasma di dispositivi a transistor o wafer, dove la temperatura è controllata da un controller separato montato sulla console ed è limitata a un massimo di 60 °C per evitare rischi di ustioni per l'operatore. Il ripiano riscaldato è installato alla distanza ottimale per la pulizia di campioni SEM e TEM ed è regolabile verso l'alto o verso il basso con incrementi di 1 pollice per altre applicazioni, se necessario. Due ripiani aggiuntivi sono posizionati sotto il ripiano riscaldato per ulteriore spazio di stoccaggio ad alto vuoto. Il sistema di pulizia al plasma remoto Evactron E50 E-TC è integrato nel tetto della camera e un controller di interfaccia dedicato Evactron separato consente all'utente di variare facilmente tutti i parametri di pulizia importanti e di conservare le ricette dell'utente. La camera è dotata di una porta incernierata in acciaio inossidabile con una finestra e un filtro in policarbonato integrato per proteggere l'utente dalle radiazioni IR e UV generate dall'arco al plasma. Questo strumento PlasmaVAC include un interblocco che non consente al sistema di pulizia al plasma di funzionare oltre 1 Torr. L'opzione software AutoExplor consente all'utente di controllare i dispositivi da un computer remoto proteggendo al contempo il sistema. AutoExplor sequenzia correttamente le pompe e aziona automaticamente le valvole corrette per una determinata richiesta. L'utente può programmare i setpoint di pressione e temperatura, le velocità di rampa, i tempi di ammollo e lo sfiato. Il software fornisce streaming di dati grafici in tempo reale in modo che l'utente possa visualizzare il comportamento del sistema. AutoExplor mantiene un programma di manutenzione preventiva interna e avvisa l'utente quando è necessario un intervento di manutenzione del sistema, come la manutenzione della pompa o la calibrazione del sensore. Ciò aiuta a mantenere il sistema al massimo delle prestazioni operative. Fornisce inoltre messaggi di errore e di guasto insieme a informazioni specifiche per la risoluzione dei problemi in caso di guasto di un dispositivo in modo che il problema possa essere corretto il prima possibile. La pulizia al plasma è una tecnica ampiamente utilizzata in microscopia, tra cui la microscopia elettronica a scansione (SEM) e la microscopia elettronica a trasmissione (TEM), per preparare e decontaminare i campioni. Rimuove efficacemente i contaminanti organici dalle superfici dei campioni, migliorando la qualità dell'immagine e l'accuratezza dell'analisi. Ecco come funziona la pulizia al plasma per campioni SEM e TEM: 1. Principio della pulizia al plasma La pulizia al plasma utilizza il plasma, un gas altamente ionizzato, per rimuovere i contaminanti. Il plasma viene generato applicando un campo elettromagnetico ad alta frequenza a un gas a bassa pressione, comunemente ossigeno, argon o idrogeno. Il processo crea ioni, elettroni e specie neutre altamente reattive. 2. Rimozione dei contaminantiNel processo di pulizia al plasma:Rimozione fisica: gli ioni energetici nel plasma bombardano la superficie del campione, eliminando fisicamente i contaminanti. Reazioni chimiche: le specie reattive nel plasma possono interagire chimicamente con i contaminanti. Ad esempio, i radicali dell'ossigeno possono ossidare i materiali organici, trasformandoli in composti volatili che possono essere facilmente rimossi.3. Applicazione in SEM e TEMPer campioni SEM:Decontaminazione: la pulizia al plasma rimuove residui organici come impronte digitali, oli e particolato aerodisperso che possono oscurare i dettagli o interferire con i fasci di elettroni. Imaging migliorato: pulendo la superficie, il trattamento al plasma riduce gli effetti di carica e migliora la risoluzione e il contrasto delle immagini SEM e TEM. Risoluzione e contrasto migliorati: una superficie del campione pulita consente una migliore interazione tra gli elettroni e il campione, il che è fondamentale per ottenere immagini ad alta risoluzione e ad alto contrasto in SEM e TEM. Preparazione per il rivestimento: viene spesso utilizzato prima di applicare rivestimenti conduttivi a campioni non conduttivi, assicurando che il rivestimento aderisca bene e sia uniforme. 4. Vantaggi dell'utilizzo della pulizia al plasma Delicato sui campioni: a differenza dei metodi di pulizia chimica, la pulizia al plasma è generalmente non distruttiva per la superficie del campione. Rapido ed efficiente: il processo può richiedere da pochi minuti a un'ora, a seconda del livello di contaminazione e delle dimensioni del campione. Versatile: efficace su una varietà di materiali, tra cui metalli, ceramiche e campioni biologici. I microscopi elettronici, in particolare i microscopi elettronici a scansione (SEM) e i microscopi elettronici a trasmissione (TEM), sono strumenti essenziali nel settore dei semiconduttori per identificare e analizzare i guasti nei dispositivi a transistor. La capacità di questi microscopi di fornire immagini ad alta risoluzione su scala nanometrica consente un esame dettagliato di materiali, strutture e dispositivi semiconduttori. Ecco come vengono utilizzati i microscopi elettronici in questo contesto: 1. Imaging ad alta risoluzione SEM: i SEM vengono utilizzati per visualizzare la topografia superficiale e la composizione dei dispositivi a transistor. Possono identificare difetti superficiali, variazioni di spessore dello strato e anomalie strutturali che possono portare al guasto del transistor. La modalità di elettroni retrodiffusi (BSE) può distinguere tra materiali in base al contrasto del numero atomico, utile per ispezionare la composizione e la distribuzione dei materiali nel dispositivo. TEM: TEM offre una risoluzione ancora più elevata di SEM e può creare immagini a livello atomico. Ciò è fondamentale per visualizzare le strutture interne dei transistor, come difetti del reticolo cristallino, dislocazioni e anomalie di interfaccia tra materiali diversi. 2. Analisi dei guastiAnalisi dei difetti: i microscopi elettronici possono rilevare e analizzare difetti non visibili con microscopi meno potenti. Questi includono vuoti, crepe e inclusioni di materiale estraneo all'interno del transistor. Analisi dei materiali: le capacità di spettroscopia a raggi X a dispersione di energia (EDX) nei microscopi elettronici possono essere utilizzate per eseguire analisi elementari e confermare la composizione chimica dei materiali. Ciò aiuta a comprendere problemi come contaminazione o degradazione dei materiali. 3. Localizzazione dei guastiModifica e debug del circuito: i sistemi a fascio ionico focalizzato (FIB), spesso combinati con SEM, vengono utilizzati per la modifica del circuito e l'analisi dei guasti. Possono fresare materiali in posizioni specifiche per esporre le sezioni interne di un transistor o per riparare e modificare circuiti su scala nanometrica. Sezionamento fisico: per difetti o guasti interni, il FIB può essere utilizzato per tagliare sezioni trasversali dei dispositivi. Queste sezioni trasversali possono quindi essere visualizzate tramite SEM o TEM per analizzare le strutture degli strati e la qualità dell'interfaccia. 4. Caratterizzazione elettricaContrasto di tensione in SEM: questa tecnica viene utilizzata per identificare l'attività elettrica nei dispositivi a semiconduttore. Può mostrare quali parti del transistor sono elettricamente attive e quali no, indicando potenziali aree di guasto. 5. Test dinamiciTest in situ: alcuni microscopi elettronici sono equipaggiati per eseguire test elettrici in situ in cui il dispositivo può essere osservato in condizioni operative. Ciò può essere determinante nell'identificazione di meccanismi di guasto dinamici come l'elettromigrazione o la degradazione termica.

Condizione: Nuovo



Numero di parte: P1013547



Prezzo: €111,072.68


Prezzo regolare: €138,840.84




Valuta: Euro (Euro)

XEI Scientific Evactron E50 E-TC Decontaminatore Sorgente di plasma remota comunemente utilizzata per la preparazione di campioni e substrati SEM, TEM, ALD e PVD
In magazzino
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Sorgente di plasma remota decontaminante XEI Scientific Evactron E50 E-TC comunemente utilizzata per la preparazione di campioni e substrati SEM, TEM, ALD e PVD. Il sistema di decontaminazione XEI Scientific Evactron E50 E-TC costituito da: Sorgente remota di radicali al plasma Evactron E50 E-TC, con opzione di spurgo del gas, controller con montaggio su rack Evactron E50 E-TC, interfaccia touchpad Evactron E50 E-TC, utente del sistema manuale e set di cavi Evactron E50. Questi sono componenti integrati dei nostri sistemi di pulizia e decontaminazione del plasma Ideal Vacuum PlasmaVAC P50W, che è un prodotto ideale per la preparazione dei campioni di microscopia elettronica a scansione (SEM) e a trasmissione (TEM). La pulizia al plasma è un passaggio fondamentale poiché rimuove i contaminanti organici dalle superfici dei campioni, migliorando la qualità dell'immagine e l'accuratezza dell'analisi. La pulizia al plasma è fondamentale per rimuovere la contaminazione da idrocarburi da campioni e substrati utilizzati in: Microscopia elettronica a scansione (SEM) Microscopia elettronica a trasmissione (TEM) Spettroscopia fotoelettronica a raggi X (XPS) Spettroscopia a raggi X (EDX) Fascio ionico focalizzato al crio-plasma (Cryo -PFIB) Deposizione di strati atomici (ALD) Deposizione fisica di vapore (PVD) Litografia ultravioletta estrema (EUVL) Specifiche del trattamento superficiale Evactron E50 E-TC: Sorgente di plasma remota di XEI Modello scientifico Evactron E50 E-TC Potenza regolabile tra 35 e 75 Watt max di 50 Watt di funzionamento continuo Frequenza RF a 13,56 MHz Due opzioni di filtro di ingresso del gas: dimensioni dei pori da 3 nm e 0,5 µm Le dimensioni dei pori da 3 nm seguono la direttiva SEMI F38-0699 del settore dei semiconduttori Testato con O2, CDA, Ar/H2, Ar/O2, Gas N2/H2 e N2. Interfaccia utente dedicata Evactron Controller Memorizzazione delle impostazioni utente Ricette, alimentazione, cicli e durata della pulizia La pulizia al plasma è una tecnica ampiamente utilizzata in microscopia, inclusa la microscopia elettronica a scansione (SEM) e la microscopia elettronica a trasmissione (TEM), per preparare e decontaminare i campioni. Rimuove efficacemente i contaminanti organici dalle superfici dei campioni, migliorando la qualità dell'immagine e l'accuratezza dell'analisi. Ecco come funziona la pulizia al plasma per campioni SEM e TEM:1. Principio della pulizia al plasmaLa pulizia al plasma utilizza il plasma, un gas altamente ionizzato, per rimuovere i contaminanti. Il plasma viene generato applicando un campo elettromagnetico ad alta frequenza a un gas a bassa pressione, comunemente ossigeno, argon o idrogeno. Il processo crea ioni, elettroni e specie neutre altamente reattive. 2. Rimozione dei contaminanti Nel processo di pulizia al plasma:Rimozione fisica: gli ioni energetici nel plasma bombardano la superficie del campione, eliminando fisicamente i contaminanti. Reazioni chimiche: le specie reattive nel plasma possono interagire chimicamente con i contaminanti. Ad esempio, i radicali dell'ossigeno possono ossidare i materiali organici, trasformandoli in composti volatili facilmente rimovibili.3. Applicazione in SEM e TEMPer campioni SEM:Decontaminazione: la pulizia al plasma rimuove residui organici come impronte digitali, oli e particelle sospese nell'aria che possono oscurare i dettagli o interferire con i fasci di elettroni. Imaging migliorato: pulendo la superficie, il trattamento al plasma riduce gli effetti di carica e migliora la risoluzione e il contrasto delle immagini SEM e TEM. Risoluzione e contrasto migliorati: una superficie pulita del campione consente una migliore interazione tra gli elettroni e il campione, che è fondamentale per ottenere immagini ad alta risoluzione e ad alto contrasto in SEM e TEM. Preparazione per il rivestimento: viene spesso utilizzato prima di applicare rivestimenti conduttivi su campioni non conduttivi, garantendo che il rivestimento aderisca bene e sia uniforme. 4. Vantaggi dell'utilizzo della pulizia delicata al plasma sui campioni: a differenza dei metodi di pulizia chimica, la pulizia al plasma generalmente non è distruttiva per la superficie del campione. Veloce ed efficiente: il processo può richiedere da pochi minuti a un'ora, a seconda del livello di contaminazione e delle dimensioni del campione. Versatile: efficace su una varietà di materiali, inclusi metalli, ceramica e campioni biologici.

Condizione: Nuovo



Numero di parte: P1013571



Prezzo: €27,937.20




Valuta: Euro (Euro)
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