Pezzi di SILICIO sotto vuoto ideale (tipo P) - Si, 100 grammi, 99,999 percento puro, drogato con boro, punto di fusione 1.410 °C, pezzi da 1 - 10 mm, materiali di evaporazione PVD, film sottili di semiconduttore di silicio

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Questo prodotto è una bottiglia da 100 grammi di pezzi di silicio ad alta purezza (tipo P) (99,999%) di dimensioni comprese tra 1 e 10 mm e viene spedito in bottiglie di plastica PET. Questi pezzi hanno una densità di 2,32 g/cc, un punto di fusione di 1.410 °C e una pressione di vapore di 10-4 Torr a 1.337 °C. Il suo coefficiente di dilatazione termica è 2,6 x 10-6/K e ha un rapporto Z di 0,437.

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Silicio (tipo P)
Il silicio di tipo P è un materiale chiave utilizzato nei processi di deposizione fisica da vapore (PVD) grazie alle sue proprietà semiconduttive. La combinazione di proprietà fisiche, chimiche, elettriche e termiche del silicio lo rende un materiale indispensabile nella tecnologia e nell'industria moderne.
Il silicio di tipo P è un tipo di materiale semiconduttore che è stato drogato con elementi che gli forniscono portatori di carica positiva (buchi). Questo tipo di silicio è fondamentale in varie applicazioni elettroniche e fotovoltaiche grazie alla sua capacità di condurre elettricità. Nelle applicazioni a film sottile, il silicio di tipo P svolge un ruolo fondamentale, specialmente nelle celle solari e nei transistor.

Elementi di drogaggio: il silicio di tipo P è solitamente drogato con elementi del Gruppo III della tavola periodica, come boro, alluminio o gallio. Il boro è il drogante più comunemente usato.