Target di sputtering magnetron circolare a vuoto ideale, target di sputtering SILICIO - Si (non drogato), diametro 3'' x spessore 0,125", purezza 99,999 percento, legato metallico a una piastra di supporto in rame OFHC

Questo prodotto è un target di sputtering circolare magnetron SILICIO - Si (non drogato), con un diametro di 3'' x uno spessore di 0,125". È puro al 99,999% ed è legato metallicamente a una piastra di supporto in rame OFHC (alta conduttività priva di ossigeno).

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SILICIO - Si (non drogato)

SILICIO - Si (non drogato): un target di sputtering in silicio (Si) non drogato è ampiamente utilizzato in vari settori per la deposizione di film sottili, in particolare nei semiconduttori, nell'optoelettronica e nelle celle solari. Ecco un riepilogo delle sue caratteristiche principali:

1. Proprietà del materiale: Conduttività elettrica: il silicio non drogato è un semiconduttore con conduttività elettrica relativamente bassa a temperatura ambiente. Richiede una gestione attenta in applicazioni in cui la conduttività è importante, sebbene diventi conduttivo a temperature elevate. Purezza: i target in silicio non drogato ad alta purezza sono spesso utilizzati in applicazioni di semiconduttori, con purezze tipiche superiori al 99,99% o persino al 99,999% per materiali di grado elettronico. Struttura cristallina: i target in silicio possono essere amorfi, policristallini o monocristallini. La scelta della struttura influisce sulle proprietà del film, con il silicio monocristallino che fornisce caratteristiche elettriche superiori per applicazioni a film sottile.

2. Metodi di deposizione: Sputtering RF: poiché il silicio non drogato è un semiconduttore, lo sputtering RF è in genere utilizzato per la deposizione di film sottili. Ciò è necessario perché lo sputtering DC provocherebbe un accumulo di carica sul target, rendendolo inefficiente per materiali non conduttivi o semiconduttivi come il silicio non drogato. Qualità del film: i film depositati utilizzando target in silicio non drogato possono essere altamente uniformi e sono spesso utilizzati nella fabbricazione di semiconduttori, rivestimenti ottici e fotovoltaici.

3. Applicazioni: Microelettronica: i target di sputtering in silicio non drogato sono essenziali per la fabbricazione di film sottili in circuiti integrati, transistor e altri dispositivi a semiconduttore. Celle solari: i film sottili di silicio non drogato (in particolare silicio amorfo o silicio microcristallino) sono utilizzati nelle celle solari per la conversione dell'energia. Optoelettronica: i film di silicio sono impiegati in rilevatori a infrarossi, fotodetector e dispositivi MEMS. Strati di passivazione: nella produzione di dispositivi a semiconduttore, i film di silicio sono utilizzati come strati di passivazione o come materiale di base per il successivo drogaggio o ossidazione.

4. Proprietà della pellicola: Proprietà elettriche: le pellicole di silicio realizzate da target di silicio non drogati sono semiconduttori intrinseci, ovvero hanno una bassa conduttività a meno che non siano drogate o esposte a fattori esterni (ad esempio, temperatura o luce). Proprietà ottiche: le pellicole sottili di silicio non drogate sono opache nello spettro visibile ma trasparenti nell'infrarosso, il che le rende adatte per l'ottica IR e le applicazioni fotoniche.

5. Sfide: accumulo di carica: in quanto semiconduttore, il silicio non drogato non può essere efficacemente sputterato utilizzando metodi DC a causa dell'accumulo di carica sul target, quindi lo sputtering RF è essenziale per garantire una deposizione uniforme. Qualità del target: la purezza e la struttura cristallina del target in silicio devono essere attentamente controllate per evitare difetti nei film sottili depositati, in particolare per applicazioni ottiche e semiconduttori ad alte prestazioni.

Riepilogo:
Un target di sputtering in silicio non drogato viene utilizzato principalmente nei semiconduttori, nelle celle solari e nell'optoelettronica. Grazie alla sua natura semiconduttiva, lo sputtering RF viene in genere impiegato per evitare l'accumulo di carica sul target. I film prodotti in silicio non drogato vengono utilizzati per le loro proprietà elettriche, ottiche e meccaniche, con applicazioni che spaziano dai circuiti integrati all'ottica a infrarossi.

Note:
Si raccomanda di legare la piastra di supporto metallica o elastomerica per tutti i materiali target dielettrici perché questi materiali hanno caratteristiche che non sono adatte allo sputtering, come fragilità e bassa conduttività termica. Questi target sono più suscettibili allo shock termico a causa della loro bassa conduttività termica e quindi potrebbero richiedere specifiche procedure di rampa di aumento e diminuzione della potenza durante le fasi di avvio e arresto.