Target di sputtering magnetron circolare sotto vuoto ideale, target di sputtering OSSIDO DI TANTALO - Ta ₂ O ₅ , diametro 3'' x spessore 0,125", purezza 99,995 percento, legato metallico a una piastra di supporto in rame OFHC

Questo prodotto è un bersaglio di sputtering circolare in OSSIDO DI TANTALIO-Ta ₂ O ₅ per magnetron, con un diametro di 3'' x uno spessore di 0,125". È puro al 99,995% ed è legato metallicamente a una piastra di supporto in rame OFHC (Oxygen-Free High Conductivity).

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OSSIDO DI TANTALO - Ta ₂ O ₅
Pentossido di tantalio
Il pentossido di tantalio (Ta ₂ O ₅ ) è un composto inorganico costituito da tantalio e ossigeno. È una polvere bianca cristallina nota per il suo elevato indice di rifrazione, l'eccellente stabilità chimica e le proprietà dielettriche. Il Ta ₂ O ₅ è ampiamente utilizzato in applicazioni ottiche ed elettroniche grazie alla sua combinazione unica di proprietà.

Il pentossido di tantalio (Ta ₂ O ₅ ) è ampiamente utilizzato nei rivestimenti a film sottile grazie alle sue eccezionali proprietà ottiche, elettroniche e dielettriche. La sua versatilità e capacità di formare film stabili e di alta qualità lo rendono ideale per una varietà di applicazioni ad alte prestazioni:

1. Rivestimenti ad alto indice di rifrazione: Ta ₂ O ₅ è utilizzato nei rivestimenti ottici multistrato per lenti, specchi e filtri. Il suo alto indice di rifrazione aiuta a creare rivestimenti antiriflesso e altamente riflettenti precisi.
2. Rivestimenti antiriflesso: utilizzati in combinazione con materiali a basso indice di rifrazione per produrre rivestimenti antiriflesso che migliorano la trasmissione della luce in lenti e display.
3. Strati barriera: utilizzati come strato protettivo contro l'ossidazione e la corrosione nelle strutture multistrato.
4. Dispositivi elettro-ottici e fotonici:.

La combinazione unica di elevato indice di rifrazione (~2,1-2,2 a 550 nm), rigidità dielettrica e stabilità chimica del pentossido di tantalio lo rende un materiale indispensabile nei rivestimenti a film sottile per l'ottica, l'elettronica e la fotonica, consentendo lo sviluppo di dispositivi e sistemi ad alte prestazioni.

Metodi di deposizione:
I film sottili di Ta2O5 possono essere depositati tramite sputtering RF, sputtering reattivo (con tantalio e ossigeno gassoso) ed evaporazione a fascio di elettroni. Vengono inoltre depositati tramite deposizione di strati atomici (ALD) per rivestimenti precisi e conformi nella microelettronica.

Note:
Si raccomanda di legare la piastra di supporto metallica o elastomerica per tutti i materiali target dielettrici perché questi materiali hanno caratteristiche che non sono adatte allo sputtering, come fragilità e bassa conduttività termica. Questi target sono più suscettibili allo shock termico a causa della loro bassa conduttività termica e quindi potrebbero richiedere specifiche procedure di rampa di aumento e diminuzione della potenza durante le fasi di avvio e arresto.