理想的な真空円形マグネトロンスパッタリングターゲット、窒化ケイ素 - Si ₃ N ₄スパッタリングターゲット、直径 3 インチ x 厚さ 0.125 インチ、純度 99.5 パーセント、OFHC 銅バッキングプレートに金属結合

この製品は、直径 3 インチ x 厚さ 0.125 インチの円形マグネトロン シリコン窒化物 - Si ₃ N ₄スパッタリング ターゲットです。純度は 99.5% で、OFHC (無酸素高伝導性) 銅バッキング プレートに金属結合されています。

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窒化ケイ素 - Si ₃ N ₄
窒化ケイ素（Si ₃ N ₄ ）は、その機械的、化学的、光学的特性により、さまざまな用途の薄膜コーティングに使用される多用途の材料です。薄膜における主な特性を以下にまとめます。
屈折率: 約 1.9 ～ 2.0 (550 nm 時)。多層光学コーティングでよく使用される中屈折率材料です。
光学特性: Si ₃ N _{4 は}可視光から赤外線範囲 (約 250 nm ～ 8 µm) にわたって優れた透明性を備えているため、反射防止コーティング、導波路、フォトニクスに適しています。
機械的特性: 硬く、耐摩耗性があり、熱安定性も高いため、耐久性と耐環境性が求められるコーティングに最適です。
化学的安定性: Si ₃ N ₄は化学的に不活性で、優れた耐腐食性を備えているため、保護コーティングに役立ちます。
堆積方法: Si ₃ N _{4 は、} RF または反応性スパッタリング (窒素を含むシリコン ターゲットを使用)、および PECVD (プラズマ強化化学気相成長法) によって堆積できます。
用途: 絶縁特性と拡散バリアとして機能する能力により、光学コーティング、半導体デバイス、保護コーティング、マイクロエレクトロニクスで一般的に使用されます。
Si ₃ N _{4 は}光学性能と機械的強度の組み合わせが評価されており、機能的薄膜コーティングと保護薄膜コーティングの両方に使用できます。

注:
すべての誘電体ターゲット材料には、脆さや低い熱伝導率など、スパッタリングに適さない特性があるため、金属またはエラストマーのバッキングプレート接合が推奨されます。これらのターゲットは、熱伝導率が低いため熱衝撃の影響を最も受けやすく、そのため、起動およびシャットダウンの段階で特定の電力増加および減少手順が必要になる場合があります。