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理想的な真空円形マグネトロンスパッタリングターゲット、酸化チタン - TiO ₂スパッタリングターゲット、直径 3 インチ x 厚さ 0.125 インチ、純度 99.99 パーセント - ホワイト、OFHC 銅バッキングプレートに金属結合

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理想的な真空円形マグネトロンスパッタリングターゲット、酸化チタン - TiO ₂スパッタリングターゲット、直径 3 インチ x 厚さ 0.125 インチ、純度 99.99 パーセント - ホワイト、OFHC 銅バッキングプレートに金属結合

状態：

新しい

部品番号:

P1013707

保証：

Full Manufacturer's Warranty

今すぐ利用可能 2

セール： ¥244,800.50

通貨： Japanese Yen (JPY)

説明

理想的な真空円形マグネトロンスパッタリングターゲット、酸化チタン - TiO ₂スパッタリングターゲット、直径 3 インチ x 厚さ 0.125 インチ、純度 99.99 パーセント - ホワイト、OFHC 銅バッキングプレートに金属結合
アイディアルバキュームプロダクツ LLC.

この製品は、直径3インチ x 厚さ0.125インチの円形マグネトロンTiO ₂スパッタリングターゲット（白）です。純度99.99%で、OFHC（無酸素高伝導性）銅バッキングプレートに金属結合されています。

当社は、お客様が最高品質の製品を可能な限り最高の価値で受け取れるよう、非常に競争力のある価格戦略を採用しています。これにより、すべての購入において、手頃な価格と優れた品質の両方を実現しています。当社はすべてのお客様に大幅な割引を提供しており、大量注文のお客様は大幅な節約をお楽しみいただけます。当社は大量の製品を在庫しており、お客様が注文後、同日出荷を保証しています。この短いリードタイムは、より迅速なターンアラウンドタイムでキャッシュフローを管理したいすべてのお客様に好評です。当社の常連のお客様は、在庫レベルを低く抑え、保管コストを削減し、陳腐化のリスクを最小限に抑えることができます。Ideal Vacuum から購入すると、お客様はより早く製品を受け取ることができ、満足度が向上し、緊急のニーズを満たすことができます。これにより、お客様は新しいトレンドや需要にすばやく適応して、競争相手より一歩先を行くことができます。

二酸化チタン
二酸化チタン (TiO ₂ ) は、高い屈折率と安定性から広く使用されている白色の結晶性化合物です。ルチル、アナターゼ、ブルッカイトの 3 つの主要な形態があります。TiO ₂は、その優れた不透明性と明るさから、主に塗料、コーティング、プラスチックの顔料として使用されます。

二酸化チタン (白) は、主にその高い屈折率のために光学コーティングに使用され、反射防止、干渉、高反射コーティングに最適です。誘電体ミラーやフィルターなどの多層光学設計に使用され、特定の波長範囲での反射率や透過率を高めます。可視から近赤外スペクトルでの安定性と透明性により、精密な光制御と高い光学品質が求められるレンズ、ビームスプリッター、保護コーティングにも適しています。

RFスパッタリングとDCスパッタリング:
純粋な金属酸化物は絶縁体であり、RF にはターゲット表面の電荷蓄積を防ぐ交流電界があるため、RF スパッタリングは純粋な金属酸化物をスパッタリングするための好ましい方法であることがよくあります。この交流電界により、DC スパッタリングでアーク放電を引き起こす電荷蓄積が軽減されます。

堆積速度:
堆積速度が低い: RF スパッタリングでは、主に電界の交流特性により、プラズマへの電力伝達が DC に比べて効率が低くなります。このため、同等の電力条件下では、DC スパッタリングに比べて堆積速度が低くなります。

対象材質:
導電性ターゲット（反応性スパッタリングのチタンなど）の場合、DC スパッタリングの方が堆積速度が速くなります。純粋な金属酸化物などの絶縁ターゲットの場合は、RF スパッタリングを使用する必要があり、堆積速度は通常低くなります。

パワーレベル:
電力を増加させると、RF スパッタリングと DC スパッタリングの両方で堆積速度を上げることができますが、導電性材料の場合、堆積速度は依然として DC の方が高くなる傾向があります。

圧力とガス流量:
RF と DC で異なる最適条件を使用してガス圧と流量を最適化することで、より高い堆積速度を実現できます。

注:
すべての誘電体ターゲット材料には、脆さや低い熱伝導率など、スパッタリングに適さない特性があるため、金属またはエラストマーのバッキングプレート接合が推奨されます。これらのターゲットは、熱伝導率が低いため熱衝撃の影響を最も受けやすく、そのため、起動およびシャットダウンの段階で特定の電力増加および減少手順が必要になる場合があります。