理想的な真空円形マグネトロンスパッタリングターゲット、クロム - Cr スパッタリングターゲット、直径 3 インチ x 厚さ 0.25 インチ、純度 99.95 パーセント

この製品は、直径 3 インチ x 厚さ 0.25 インチの円形マグネトロン CHROMIUM - Cr スパッタリング ターゲットです。純度は 99.95% です。

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クロム - Cr

クロム (Cr) スパッタリング ターゲットは、その優れた機械的、化学的、および光学的特性により、薄膜コーティングに広く使用されています。薄膜コーティングにおけるクロム スパッタリング ターゲットの概要は次のとおりです。

1. 材料特性:
高硬度: クロムは非常に硬い素材なので、耐摩耗性と耐久性が求められる薄膜に最適です。
耐食性: クロムは、特に過酷な環境において優れた耐食性を備えているため、保護コーティングに適しています。
接着促進剤: クロム薄膜は、特に多層コーティングにおいて、異なる層間の接着性を向上させるためによく使用されます。

2. 堆積方法:
DC スパッタリング: クロムは導電性材料であるため、堆積には DC マグネトロン スパッタリングが一般的に使用され、高い堆積速度と均一な膜が保証されます。
RF スパッタリング: RF スパッタリングは、特に反応性環境でクロム化合物を形成する特殊な用途に使用できます。
反応性スパッタリング: クロムは、反応性ガス (酸素や窒素など) の存在下でスパッタリングされ、特定の用途を持つ酸化クロム (Cr2O3) または窒化クロム (CrN) を形成することがよくあります。

3. 用途:
装飾コーティング: クロムは、光沢のある反射仕上げと耐久性があるため、時計、宝石、自動車のトリムなどの装飾用薄膜に使用されます。
保護コーティング: クロム薄膜は耐摩耗性と腐食保護性を備えているため、工具、機械部品、化学処理装置に最適です。
マイクロエレクトロニクス: クロムは、その安定性と導電性により、薄膜抵抗器、電気接点、半導体デバイスの拡散バリアなどに使用されます。
光学コーティング: クロム薄膜は、光学装置、ミラー、フィルターの反射コーティングや反射防止コーティングに使用されます。
ハードコーティング: 窒化クロム (CrN) などのクロム化合物は、切削工具、耐摩耗性表面、機械部品のハードコーティングに使用されます。

4. フィルム特性:
機械的強度: クロム薄膜は硬くて耐久性に優れており、工具や産業機器などの要求の厳しい用途で優れた保護を提供します。
耐腐食性: クロムフィルムは酸化と腐食に耐性があり、過酷な化学環境での保護コーティングに最適です。
接着: クロムは多層コーティングの接着層としてよく使用され、金属、ガラス、その他の材料の接着に役立ちます。
光反射率: クロム薄膜は優れた反射率を持ち、光沢のある金属的な外観のため、光学コーティングや装飾コーティングに使用されます。

5. 反応性沈着：
酸化クロム (Cr2O3): 酸素環境での反応性スパッタリングによって形成される酸化クロムは、その硬度、耐摩耗性、および高性能アプリケーションでの腐食防止のために使用されます。
窒化クロム (CrN): 窒素雰囲気中でクロムをスパッタリングすることによって形成される CrN は、切削工具やその他の耐摩耗用途のハードコーティングに使用されます。

6. 課題:
ターゲット被毒: 反応性スパッタリング プロセス (例: Cr2O3 または CrN の形成) では、ターゲット被毒が発生し、ターゲット表面に非金属化合物が形成されることでスパッタリング効率が低下する可能性があります。
フィルムの応力: クロムフィルムは堆積中に内部応力を生じ、特に厚い層ではフィルムの接着性と機械的特性に影響を与える可能性があります。

まとめ：
クロム (Cr) スパッタリング ターゲットは、高硬度、耐腐食性、優れた接着特性を備えているため、保護層、装飾仕上げ、光学コーティング、マイクロエレクトロニクスの薄膜コーティングに広く使用されています。DC スパッタリングは通常、効率的なクロム堆積に使用され、反応性スパッタリングでは、切削工具やその他の要求の厳しい用途のハード コーティングに使用される酸化クロム (Cr2O3) や窒化クロム (CrN) などの化合物の形成が可能です。クロム フィルムは、耐久性、保護性、反射性を兼ね備えているため、幅広い業界で汎用的に使用できます。

注:
すべての誘電体ターゲット材料には、脆さや低い熱伝導率など、スパッタリングに適さない特性があるため、金属またはエラストマーのバッキングプレート接合が推奨されます。これらのターゲットは、熱伝導率が低いため熱衝撃の影響を最も受けやすく、そのため、起動およびシャットダウンの段階で特定の電力増加および減少手順が必要になる場合があります。