Bomba de vácuo seco Edwards iXH 1220H HARSH 200-230 VAC 50/60 hz 3 ph. PN AC3B0A122200

A Edwards iXH 1220H é uma nova linha de bombas secas construídas para fabricação ecológica e processamento de processos químicos agressivos. Usando energia muito baixa, o eficiente mecanismo de raízes foi desenvolvido para reduzir drasticamente a potência de entrada para 1,3 kW, 60% menor do que a geração anterior de bombas secas, reduzindo o impacto ambiental e diminuindo o custo de propriedade. A tecnologia de barreira de gás e as melhorias no design térmico permitem uma resistência à corrosão quatro vezes maior do que o produto da série iH. Recursos avançados de manuseio de pó significam que o iXH fornecerá confiabilidade máxima e vida útil estendida da bomba para processos de corrosão multicamadas e consumo de energia reduzido para processos CVD, especialmente com produtos químicos HARSH.

As bombas da série iXH 1220H da Edwards são compactas e de design leve, combinadas com ruído e vibração excepcionalmente baixos, tornando a iXH a bomba química seca mais versátil da linha Edwards. O iXH transformará suas expectativas em relação à tecnologia de bomba de vácuo seco, oferecendo benefícios reais e maior tempo de atividade, com impacto ambiental mínimo. As bombas iXH são projetadas para uso na maioria dos processos de semicondutores, proporcionando reduções significativas na energia de entrada. Para o Manual de Instruções completo veja Downloads ao lado.

Características e benefícios:

• Principalmente para aplicações químicas HARSH
• Velocidade de pico de bombeamento 1200 m3/h-1 (645 CFM)
• Pressão Máxima 3,7 X 10-3 Torr
• Não requer manutenção preventiva
• Enchimentos de água de conexão rápida de 3/8 polegadas
• Metades correspondentes da conexão de água e energia
• Sistema de resfriamento de água SS
• Módulo de gás multimodo 44 slm

FORMULÁRIOS:

• Bloqueio de Carga
• Transferir
• Meteorologia
• Litografia
• Processo PVD de Deposição Física de Vapor
• Deposição de Vapor Físico PVD Pré-limpeza
• Recozimento Térmico Rápido RTA
• Decapagem/Incineração
• Gravura
• Fonte de Implante
• Deposição Química de Vapor de Plasma de Alta Densidade HDP CVD
• RTP de processamento térmico rápido
• Deposição de vapor químico subatmosférico SACVD
• Deposição química de vapor de tungstênio WCVD
• Deposição Química-Vapor Modificada MCVD
• Deposição química de vapor aprimorada por plasma PECVD
• Deposição de vapor químico de baixa pressão LPCVD