Bomba de vácuo seco Edwards iXH 610 HARSH 200-230 VCA 50/60 Hz 3 ph.
Número de peça Edwards AC110A121100. A Edwards iXH 610 é uma nova linha de bombas secas construídas para fabricação ecológica e processamento de processos químicos agressivos. Utilizando energia muito baixa, o eficiente mecanismo de raízes foi desenvolvido para reduzir drasticamente a potência de entrada para 1,3 kW, 60% inferior à geração anterior de bombas secas, reduzindo o impacto ambiental e diminuindo o custo de propriedade. A tecnologia de barreira de gás e as melhorias no design térmico permitem uma resistência à corrosão quatro vezes maior do que os produtos da Série iH. Os recursos avançados de manuseio de pó significam que o iXH proporcionará máxima confiabilidade e maior vida útil da bomba para processos de gravação multicamadas e consumo reduzido de energia para processos CVD, especialmente com produtos químicos HARSH.
As bombas Edwards série iXH 610 são compactas e de design leve, combinadas com ruído e vibração excepcionalmente baixos, tornando a iXH a bomba química seca mais versátil da linha Edwards. O iXH transformará suas expectativas em relação à tecnologia de bombas de vácuo secas, proporcionando benefícios reais e maior tempo de atividade, com impacto ambiental mínimo. As bombas iXH são projetadas para uso na maioria dos processos de semicondutores, proporcionando reduções significativas na potência de entrada. Para obter o manual de instruções completo, consulte DOWNLOADS.
Características e benefícios:- Principalmente para aplicações químicas HARSH
- Velocidade máxima de bombeamento 665 m3/h-1 (391 CFM)
- Pressão final 3,7 x 10-3 Torr
- Não é necessária manutenção preventiva
- Enchimentos de água de conexão rápida de 3/8 de polegada
- Metades de conexão de água e energia
- Sistema de resfriamento de água SS
- Módulo de gás multimodo 44 slm
FORMULÁRIOS:- Bloqueio de carga
- Transferir
- Meteorologia
- Litografia
- Processo PVD de Deposição Física de Vapor
- Deposição Física de Vapor PVD Pré-limpeza
- Recozimento térmico rápido RTA
- Tira/Cinza
- Gravura
- Fonte do Implante
- Deposição de vapor químico de plasma de alta densidade HDP CVD
- RTP de processamento térmico rápido
- Deposição Química Subatmosférica de Vapor SACVD
- Deposição de Vapor Químico de Tungstênio WCVD
- Deposição Química-Vapor Modificada MCVD
- Deposição de vapor químico aprimorada por plasma PECVD
- Deposição de Vapor Químico de Baixa Pressão LPCVD