Bomba de vácuo seco Edwards iXM 1200 200-230 VAC 50/60 hz 3 ph. PN A56146958

A Edwards iXM 1200 é uma nova linha de bombas secas construídas para fabricação ecológica. Usando energia muito baixa, o eficiente mecanismo de raízes foi desenvolvido para reduzir drasticamente a potência de entrada para 1,3 kW, 60% menor do que a geração anterior de bombas secas, reduzindo o impacto ambiental e diminuindo o custo de propriedade. A tecnologia de barreira de gás e as melhorias no design térmico permitem uma resistência à corrosão quatro vezes maior do que o produto da série iH. Os recursos avançados de manuseio de pó significam que o iXM fornecerá confiabilidade máxima e vida útil prolongada da bomba para processos de corrosão multicamada e consumo de energia reduzido para processos CVD.

As bombas da série iXM 1200 da Edwards são compactas e de design leve, combinadas com ruído e vibração excepcionalmente baixos, tornando a iXM a bomba seca mais versátil da linha Edwards. O iXM transformará suas expectativas em relação à tecnologia de bomba de vácuo seco, oferecendo benefícios reais e maior tempo de atividade, com impacto ambiental mínimo. As bombas iXM são projetadas para uso na maioria dos processos de semicondutores, proporcionando reduções significativas na energia de entrada. Para o Manual de Instruções completo veja Downloads ao lado.

Características e benefícios:

• Principalmente para aplicações químicas limpas a leves (consulte o espectro de aplicação abaixo)
• Velocidade de pico de bombeamento 1030 m3/h-1 (606 CFM)
• Pressão Máxima 5,0 X 10-3 Torr
• Não requer manutenção preventiva
• Enchimentos de água de conexão rápida de 3/8 polegadas
• Metades correspondentes da conexão de água e energia
• Sistema de resfriamento de água SS
• Módulo de Gás Varimode
  
  FORMULÁRIOS:
  • Bloqueio de Carga
  • Transferir
  • Meteorologia
  • Litografia
  • Processo PVD de Deposição Física de Vapor
  • Deposição de Vapor Físico PVD Pré-limpeza
  • Recozimento Térmico Rápido RTA
  • Decapagem/Incineração
  • Gravura
  • Fonte de Implante
  • Deposição Química de Vapor de Plasma de Alta Densidade HDP CVD
  • RTP de processamento térmico rápido
  • Deposição de vapor químico subatmosférico SACVD
  • Deposição química de vapor de tungstênio WCVD
  • Deposição Química-Vapor Modificada MCVD
  • Deposição química de vapor aprimorada por plasma PECVD
  • Deposição de vapor químico de baixa pressão LPCVD