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Palavra-chave       Número da peça:      

× Bombas de vácuo Câmaras de vácuo modulares Câmaras de vácuo em aço inoxidável Câmaras de vácuo de alumínio ExploraVAC Câmaras Ilimitadas ExploraVAC Câmaras de Vácuo Conexões e Flanges Passatempos Válvulas de Vácuo Kits de reconstrução, peças e motores Vácuo Fluidos, Óleos e Graxas Turbobombas e controladores Filtros armadilhas e silenciadores Fornos de Convecção e Vácuo Detecção de vazamento e RGA Vácuo Pressão Medição Resfriadores e Banhos de Água Recirculantes
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O sistema de limpeza e descontaminação de plasma Ideal Vacuum PlasmaVAC P50W, com fonte de plasma remota, é comumente usado para preparação de amostras e substratos SEM, TEM, ALD e PVD
Tempo de produção – 4 a 8 semanas


Ideal Vacuum PlasmaVAC P50W Sistema de limpeza e descontaminação de plasma, com fonte de plasma remotaComumente usado para preparação de amostras e substratos SEM, TEM, ALD e PVD. Nossos sistemas de limpeza e descontaminação de plasma Ideal Vacuum PlasmaVAC P50W são ideais para preparação de amostras de microscopia eletrônica de varredura (SEM) e transmissão (TEM). A limpeza de plasma é uma etapa vital, pois remove contaminantes orgânicos das superfícies da amostra, melhorando a qualidade da imagem e a precisão da análise. A indústria de semicondutores usa SEM e TEM para identificar e analisar falhas em dispositivos transistores, mas em muitos casos a evidência da falha só é visível durante os testes in situ enquanto o dispositivo está funcionando em suas condições normais de operação. Para observar esses tipos de falhas, as conexões elétricas e de resfriamento devem ser fornecidas ao dispositivo transistor enquanto ele estiver montado dentro do microscópio eletrônico. Com esses requisitos em mente, o P50W tem um tamanho de câmara de 16 x 16 x 16 polegadas com um volume espaçoso de 2,4 pés cúbicos e grandes portas de acesso a vácuo laterais. Uma placa de passagem para a porta lateral pode ser facilmente adicionada, que carrega todas as conexões elétricas e linhas de fornecimento de resfriamento para que todas essas peças possam ser descontaminadas em uma única etapa. Dessa forma, o estágio de teste in-situ completo montado em uma porta lateral de vácuo é descontaminado e pronto para ser conectado ao seu SEM ou TEM, onde os dispositivos elétricos podem ser operados em condições normais e os defeitos podem ser observados. O PlasmaVAC P50W é ideal para remover contaminação por hidrocarbonetos de amostras e substratos usados em: Microscopia Eletrônica de Varredura (SEM) Microscopia Eletrônica de Transmissão (TEM) Espectroscopia de Fotoelétrons de Raios X (XPS) Espectroscopia de Raios X (EDX) Feixe de Íons Focados em Crioplasma (Cryo-PFIB) Deposição de Camada Atômica (ALD) Deposição Física de Vapor (PVD) Litografia Ultravioleta Extrema (EUVL) O PlasmaVAC P50W tem um descontaminador de radicais de plasma de cátodo oco remoto feito pela XEI Scientific, Inc com o modelo Evactron E50 E-TC. Esta fonte oferece potência de RF entre 35 a 75 Watts a 13,56 MHz e inclui uma biblioteca de receitas testadas e opções para alterar a potência, os ciclos e a duração da limpeza. O Evactron E50 E-TC tem duas opções de entrada de gás: uma versão com filtro de entrada de gás de pureza ultra-alta (tamanho de poro de 3 nm) para atender aos rigorosos requisitos da diretiva SEMI F38-0699 da indústria de semicondutores e a versão com opção de filtro de precisão (tamanho de poro de 0,5 µm) para condições gerais de laboratório. Esses filtros em linha impedem a introdução de partículas de linhas de alimentação de gás no fluxo de plasma. Os gases alternativos que foram testados incluem O2, CDA, Ar/H2, Ar/O2, N2/H2 e N2. O uso de 100% H2 não é recomendado por razões de segurança. Especificações do tratamento de superfície PlasmaVAC P50W: Fonte de plasma remota da XEI Scientific Modelo Evactron E50 E-TC Potência ajustável entre 35 a 75 Watts Máximo de 50 Watts Operação contínua Frequência de RF a 13,56 MHz Duas opções de filtro de entrada de gás: Tamanhos de poro de 3 nm e 0,5 µm Os tamanhos de poro de 3 nm seguem a diretiva SEMI F38-0699 da indústria de semicondutores Testado com gases O2, CDA, Ar/H2, Ar/O2, N2/H2 e N2. Controlador de interface de usuário Evactron dedicado Armazenamento de configurações do usuário Receitas, energia, ciclos e duração da limpeza Porta de visualização frontal Portas de vácuo de acesso lateral Turbo Throttling Prateleira aquecida (60 °C) montada abaixo da fonte de plasma A distância da prateleira aquecida é ajustável em incrementos de 1 polegada 2 prateleiras de armazenamento HV com fenda adicionais Este sistema P50W inclui uma bomba de desbaste de raízes multiestágio seco Edwards nXR60i e uma bomba turbo Pfeiffer HiPace 300 montada sob o controlador TC400. Seus recursos também incluem ventilação atmosférica e um medidor de magnetron invertido de cátodo frio e Pirani combinado Inficon MPG400 integrado. As medições de pressão de vácuo da câmara são exibidas por meio de um controlador de pressão montado no console que também permite ao usuário controlar a velocidade da bomba turbo. Está incluída uma prateleira de placa aquecida montada no alto da câmara para limpeza de plasma ideal de dispositivos de transistor ou wafers, onde a temperatura é controlada por um controlador separado montado no console e é limitada a um máximo de 60 °C para evitar riscos de queimaduras ao operador. A prateleira aquecida é instalada na distância ideal para limpeza de amostras SEM e TEM e é ajustável para cima ou para baixo em incrementos de 1 polegada para outras aplicações, conforme necessário. Duas prateleiras adicionais estão localizadas abaixo da prateleira aquecida para espaço adicional de armazenamento de alto vácuo. O sistema de limpeza de plasma remoto Evactron E50 E-TC é embutido no teto da câmara e um controlador de interface dedicado Evactron separado permite que o usuário varie facilmente todos os parâmetros de limpeza importantes e mantenha as receitas do usuário. A câmara possui uma porta articulada de aço inoxidável com uma janela de visualização e filtro de policarbonato integrado para proteger o usuário da radiação IR e UV gerada pelo arco de plasma. Este instrumento PlasmaVAC inclui um intertravamento que não permite que o sistema de limpeza de plasma opere acima de 1 Torr. A opção de software AutoExplor permite que um usuário controle dispositivos de um computador remoto enquanto protege o sistema. O AutoExplor sequencia corretamente as bombas e opera automaticamente as válvulas corretas para uma determinada solicitação. O usuário pode programar pontos de ajuste de pressão e temperatura, taxas de rampa, tempos de imersão e ventilação. O software fornece streaming de dados gráficos em tempo real para que o usuário possa visualizar o comportamento do sistema. O AutoExplor mantém um cronograma interno de manutenção preventiva e notifica o usuário quando o serviço do sistema, como manutenção da bomba ou calibração do sensor, é devido. Isso ajuda a manter o sistema no desempenho operacional máximo. Ele também fornece mensagens de falha e erro junto com informações específicas de solução de problemas no caso de uma falha do dispositivo para que o problema possa ser corrigido o mais rápido possível. A limpeza de plasma é uma técnica amplamente usada em microscopia, incluindo Microscopia Eletrônica de Varredura (MEV) e Microscopia Eletrônica de Transmissão (MET), para preparar e descontaminar amostras. Ela remove efetivamente contaminantes orgânicos das superfícies das amostras, melhorando a qualidade da imagem e a precisão da análise. Veja como a limpeza de plasma funciona para amostras de MEV e MET:1. Princípio da Limpeza de PlasmaA limpeza de plasma usa plasma, um gás altamente ionizado, para remover contaminantes. O plasma é gerado pela aplicação de um campo eletromagnético de alta frequência a um gás de baixa pressão, geralmente oxigênio, argônio ou hidrogênio. O processo cria íons, elétrons e espécies neutras que são altamente reativas. 2. Remoção de contaminantesNo processo de limpeza de plasma:Remoção física: Os íons energéticos no plasma bombardeiam a superfície da amostra, pulverizando fisicamente os contaminantes. Reações químicas: Espécies reativas no plasma podem interagir quimicamente com contaminantes. Por exemplo, radicais de oxigênio podem oxidar materiais orgânicos, transformando-os em compostos voláteis que são facilmente removidos.3. Aplicação em SEM e TEMPara amostras de SEM:Descontaminação: A limpeza de plasma remove resíduos orgânicos como impressões digitais, óleos e partículas transportadas pelo ar que podem obscurecer detalhes ou interferir em feixes de elétrons. Melhoria da imagem: Ao limpar a superfície, o tratamento de plasma reduz os efeitos de carga e melhora a resolução e o contraste das imagens de SEM e TEM. Melhoria da resolução e contraste: Uma superfície de amostra limpa permite melhor interação entre os elétrons e a amostra, o que é crítico para obter imagens de alta resolução e alto contraste em SEM e TEM. Preparação para revestimento: É frequentemente usado antes da aplicação de revestimentos condutores em amostras não condutoras, garantindo que o revestimento adira bem e seja uniforme. 4. Vantagens do uso da limpeza de plasmaSuave em amostras: Ao contrário dos métodos de limpeza química, a limpeza de plasma geralmente não é destrutiva para a superfície da amostra. Rápido e eficiente: O processo pode levar de alguns minutos a uma hora, dependendo do nível de contaminação e do tamanho da amostra. Versátil: Eficaz em uma variedade de materiais, incluindo metais, cerâmicas e amostras biológicas. Os microscópios eletrônicos, particularmente os microscópios eletrônicos de varredura (MEV) e os microscópios eletrônicos de transmissão (MET), são ferramentas vitais na indústria de semicondutores para identificar e analisar falhas em dispositivos transistores. A capacidade desses microscópios de fornecer imagens de alta resolução na nanoescala permite o exame detalhado de materiais, estruturas e dispositivos semicondutores. Veja como os microscópios eletrônicos são usados neste contexto:1. Imagem de alta resoluçãoMEV: Os MEVs são usados para visualizar a topografia e a composição da superfície de dispositivos transistores. Eles podem identificar defeitos de superfície, variações de espessura de camada e anormalidades estruturais que podem levar à falha do transistor. O modo de elétrons retroespalhados (BSE) pode diferenciar entre materiais com base no contraste do número atômico, o que é útil para inspecionar a composição e distribuição de materiais no dispositivo. TEM: TEM fornece resolução ainda maior do que SEM e pode gerar imagens no nível atômico. Isso é crucial para visualizar estruturas internas dos transistores, como defeitos de rede cristalina, deslocamentos e anomalias de interface entre diferentes materiais. 2. Análise de falhasAnálise de defeitos: Microscópios eletrônicos podem detectar e analisar defeitos que não são visíveis com microscópios menos potentes. Isso inclui vazios, rachaduras e inclusões de materiais estranhos dentro do transistor. Análise de materiais: Os recursos de espectroscopia de raios X por dispersão de energia (EDX) em microscópios eletrônicos podem ser usados para realizar análises elementares e confirmar a composição química dos materiais. Isso ajuda a entender problemas como contaminação ou degradação do material. 3. Localização de falhasEdição e depuração de circuitos: Sistemas de feixe de íons focados (FIB), geralmente combinados com SEM, são usados para edição de circuitos e análise de falhas. Eles podem moer materiais em locais específicos para expor as seções internas de um transistor ou para reparar e modificar circuitos na escala nanométrica. Seccionamento físico: para defeitos ou falhas internas, o FIB pode ser usado para cortar seções transversais dos dispositivos. Essas seções transversais podem então ser imageadas sob SEM ou TEM para analisar as estruturas de camada e a qualidade da interface. 4. Caracterização elétrica Contraste de tensão em SEM: esta técnica é usada para identificar atividade elétrica em dispositivos semicondutores. Ela pode mostrar quais partes do transistor são eletricamente ativas e quais não são, indicando áreas potenciais de falha. 5. Teste dinâmico Teste in situ: alguns microscópios eletrônicos são equipados para realizar testes elétricos in situ onde o dispositivo pode ser observado sob condições operacionais. Isso pode ser instrumental na identificação de mecanismos de falha dinâmica, como eletromigração ou degradação térmica.

Doença: Novo



Número da peça: P1013547



Preço: R$692,711.34


Preço regular: R$865,889.13




Moeda: Brazilian Real (BRL)

Fonte de plasma remota do descontaminador XEI Scientific Evactron E50 E-TC comumente usada para preparação de amostras e substratos SEM, TEM, ALD e PVD
Em estoque
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Fonte de plasma remota do descontaminador XEI Scientific Evactron E50 E-TC comumente usada para preparação de amostras e substratos SEM, TEM, ALD e PVD. O sistema descontaminador XEI Scientific Evactron E50 E-TC consiste em: Fonte radical de plasma remota Evactron E50 E-TC, com opção de purga de gás, controlador de montagem em rack Evactron E50 E-TC, interface touchpad Evactron E50 E-TC, usuário do sistema manual e conjunto de cabos Evactron E50. Estes são componentes integrados de nossos sistemas de limpeza e descontaminação de plasma Ideal Vacuum PlasmaVAC P50W, que é um produto ideal para preparação de amostras de microscopia eletrônica de varredura (SEM) e transmissão (TEM). A limpeza do plasma é uma etapa vital, pois remove contaminantes orgânicos das superfícies das amostras, melhorando a qualidade da imagem e a precisão da análise. A limpeza de plasma é vital para remover a contaminação por hidrocarbonetos de amostras e substratos usados em: Microscopia eletrônica de varredura (SEM) Microscopia eletrônica de transmissão (TEM) Espectroscopia de fotoelétrons de raios X (XPS) Espectroscopia de raios X (EDX) Feixe de íons focado em crio-plasma (crio -PFIB) Deposição de camada atômica (ALD) Deposição física de vapor (PVD) Litografia ultravioleta extrema (EUVL) Especificações de tratamento de superfície Evactron E50 E-TC: Fonte de plasma remota por XEI Modelo científico Evactron E50 E-TC Potência ajustável entre 35 a 75 Watts máx. de 50 Watts Frequência de RF de operação contínua a 13,56 MHz Duas opções de filtro de entrada de gás: Tamanhos de poros de 3 nm e 0,5 µm Os tamanhos de poros de 3 nm seguem a diretiva SEMI F38-0699 da indústria de semicondutores testados com O2, CDA, Ar/H2, Ar/O2, Gases N2/H2 e N2. Controlador de interface de usuário Evactron dedicado Armazenamento de configurações do usuário Receitas, potência, ciclos e duração da limpeza A limpeza por plasma é uma técnica amplamente utilizada em microscopia, incluindo microscopia eletrônica de varredura (SEM) e microscopia eletrônica de transmissão (TEM), para preparar e descontaminar amostras. Ele remove efetivamente contaminantes orgânicos das superfícies das amostras, melhorando a qualidade da imagem e a precisão da análise. Veja como funciona a limpeza de plasma para amostras SEM e TEM:1. Princípio da limpeza por plasma A limpeza por plasma utiliza plasma, um gás altamente ionizado, para remover contaminantes. O plasma é gerado pela aplicação de um campo eletromagnético de alta frequência a um gás de baixa pressão, geralmente oxigênio, argônio ou hidrogênio. O processo cria íons, elétrons e espécies neutras que são altamente reativas. 2. Remoção de contaminantesNo processo de limpeza do plasma:Remoção física: Os íons energéticos no plasma bombardeiam a superfície da amostra, eliminando fisicamente os contaminantes. Reações Químicas: Espécies reativas no plasma podem interagir quimicamente com contaminantes. Por exemplo, os radicais de oxigênio podem oxidar materiais orgânicos, transformando-os em compostos voláteis que são facilmente removidos.3. Aplicação em SEM e TEMPara amostras SEM:Descontaminação: A limpeza por plasma remove resíduos orgânicos como impressões digitais, óleos e partículas transportadas pelo ar que podem obscurecer detalhes ou interferir nos feixes de elétrons. Imagem aprimorada: Ao limpar a superfície, o tratamento com plasma reduz os efeitos de carga e melhora a resolução e o contraste das imagens SEM e TEM. Resolução e contraste aprimorados: uma superfície de amostra limpa permite uma melhor interação entre os elétrons e a amostra, o que é fundamental para obter imagens de alta resolução e alto contraste em SEM e TEM. Preparação para revestimento: É frequentemente usado antes da aplicação de revestimentos condutores em amostras não condutoras, garantindo que o revestimento adira bem e seja uniforme. 4. Vantagens de usar a limpeza por plasma suave nas amostras: Ao contrário dos métodos de limpeza química, a limpeza por plasma geralmente não é destrutiva para a superfície da amostra. Rápido e Eficiente: O processo pode levar de alguns minutos a uma hora, dependendo do nível de contaminação e do tamanho da amostra. Versátil: Eficaz em uma variedade de materiais, incluindo metais, cerâmicas e amostras biológicas.

Doença: Novo



Número da peça: P1013571



Preço: R$174,232.00




Moeda: Brazilian Real (BRL)
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