Sistema de Cilindro de Distribuição de Vapor de Precursor Líquido (ALD) de Deposição de Camada Atômica, Aço Inoxidável 304L, Cilindro DOT-3E-1800 150cm3

A distribuição controlada de vapor em fase gasosa a partir de um precursor líquido é necessária nos processos de Deposição Química de Vapor (CVD), Deposição Química Metalorgânica de Vapor (MOCVD) e Deposição de Camada Atômica (ALD). Esses cilindros de entrega de gás de vapor líquido contêm um borbulhador integrado para ajudar a conter o vapor precursor em um fluxo de gás tampão. Esses cilindros de entrega de vapor são feitos de aço inoxidável 316 resistente a produtos químicos com válvulas de esfera de ¼ de volta na entrada e na exaustão. O cilindro é classificado para suportar pressão de até 1800 PSI (@ 37°C).

A classificação de pressão máxima do cilindro varia de acordo com a temperatura. NÃO pressurize os cilindros acima de seus respectivos limites de temperatura

A direção do fluxo é impressa em cada válvula, quando o gás tampão flui na direção correta para o processo de deposição, bolhas são formadas no fundo do cilindro que sobem através do líquido precursor. Isso permite um fluxo constante constante de vapor precursor diluído no gás tampão, que normalmente é hélio, néon ou argônio. Esses cilindros de gás de entrega de vapor de precursor líquido podem ser aquecidos ou frios para controlar a pressão de vapor e a concentração do precursor. Isso permite que uma concentração de fluxo precisa seja gerada.

As válvulas de entrada e saída são válvulas de esfera com encaixe Swagelok® de ¼ de polegada, que não são classificadas para líquidos pirofóricos. Para aplicação ALD com líquidos pirofóricos altamente inflamáveis, nossos cilindros de entrega são atualizados com válvulas de diafragma para maior segurança, tornando-se aplicáveis com líquidos pirofóricos, como trimetil alumínio (TMA), trietil alumínio (TEA), dietil zinco (DEZn) e trimetil gálio (TMGa).