Ideale kreisförmige Magnetron-Sputtertargets für Vakuum, SILIZIUMDIOXID-SiO ₂ -Sputtertarget, 3 Zoll Durchmesser x 0,125 Zoll Dicke, 99,995 Prozent Reinheit, metallisch verbunden mit einer OFHC-Kupfer-Trägerplatte

Bei diesem Produkt handelt es sich um ein kreisförmiges Magnetron-Siliziumdioxid-SiO ₂ -Sputtertarget mit 3 Zoll Durchmesser und 0,125 Zoll Dicke. Es hat eine Reinheit von 99,995 % und ist metallisch mit einer OFHC-Kupferträgerplatte (Oxygen-Free High Conductivity, hohe sauerstofffreie Leitfähigkeit) verbunden.

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SILIZIUMDIOXID – SiO ₂

Siliziumdioxid (SiO ₂ ) ist aufgrund seiner hervorragenden optischen, dielektrischen und schützenden Eigenschaften eines der am häufigsten verwendeten Materialien in Dünnschichtbeschichtungen. Hier ist eine kurze Zusammenfassung von SiO ₂ in Dünnschichten:

1. Brechungsindex: Brechungsindex: ~1,45 (bei 550 nm), was es zu einem Material mit niedrigem Brechungsindex macht. Es wird häufig in optischen Beschichtungen wie Antireflexbeschichtungen und dielektrischen Spiegeln verwendet, bei denen eine Schicht mit niedrigem Brechungsindex erforderlich ist.

2. Optische Transparenz: Transmissionsfenster: SiO ₂ hat einen breiten Transparenzbereich vom Ultraviolett (UV) (~160 nm) bis zum Infrarot (IR) (~2,5 µm). Dies macht es zu einem idealen Material für Beschichtungen im sichtbaren, UV- und IR-Spektralbereich.

3. Dielektrische Eigenschaften: Niedrige Dielektrizitätskonstante: SiO ₂ hat eine relativ niedrige Dielektrizitätskonstante (~3,9), was es als Isolierschicht in der Mikroelektronik und bei Halbleitern nützlich macht. Es dient als wirksame dielektrische Barriere in Geräten wie MOSFETs.

4. Chemische und thermische Stabilität: SiO ₂ ist chemisch inert und daher äußerst korrosions- und oxidationsbeständig. Es verfügt über eine ausgezeichnete thermische Stabilität, sodass es in verschiedenen Anwendungen hohen Temperaturen standhält.

5. Mechanische Eigenschaften: SiO ₂ ist hart und bietet eine gute Abriebfestigkeit, was es zu einem Schutzmaterial in Dünnschichtbeschichtungen macht. Es ist jedoch spröde und bei Anwendungen mit mechanischer Beanspruchung ist Vorsicht geboten.

6. Abscheidungsmethoden: SiO ₂ -Dünnschichten können mit verschiedenen Verfahren abgeschieden werden, darunter HF-Sputtern, chemische Gasphasenabscheidung (CVD), thermische Verdampfung und Elektronenstrahlabscheidung. HF-Sputtern wird häufig für dünne, gleichmäßige SiO ₂ -Beschichtungen verwendet.

7. Anwendungen: Optische Beschichtungen: SiO ₂ wird häufig in Antireflexbeschichtungen, Mehrschichtbeschichtungen mit hohem/niedrigem Brechungsindex und als Schutzbeschichtung für optische Anwendungen verwendet. Mikroelektronik: SiO ₂ dient als Isolierschicht in integrierten Schaltkreisen, Passivierungsschichten und als Gateoxid in MOSFETs. Schutzbeschichtungen: Aufgrund seiner chemischen Stabilität und Härte wird SiO ₂ in Schutz- und Verschleißschutzbeschichtungen verwendet. Barriereschichten: SiO ₂ ist in verschiedenen Anwendungen als Diffusionsbarriere und Feuchtigkeitsschutzschicht wirksam.

Zusammenfassung: SiO ₂ ist ein Material mit niedrigem Brechungsindex, breiter optischer Transparenz, hervorragenden dielektrischen Eigenschaften und hoher chemischer Stabilität, was es vielseitig einsetzbar für optische Beschichtungen, Elektronik und Schutzschichten macht. Seine Haltbarkeit und sein großer Transmissionsbereich sind Schlüsselfaktoren für seine breite Verwendung in Dünnschichten in verschiedenen Branchen.

Hinweise:
Für alle dielektrischen Targetmaterialien wird eine metallische oder elastomere Trägerplattenverbindung empfohlen, da diese Materialien Eigenschaften aufweisen, die sich nicht zum Sputtern eignen, wie z. B. Sprödigkeit und geringe Wärmeleitfähigkeit. Diese Targets sind aufgrund ihrer geringen Wärmeleitfähigkeit am anfälligsten für Thermoschocks und erfordern daher während der Start- und Abschaltschritte möglicherweise spezielle Verfahren zum Hoch- und Herunterfahren der Leistung.