Ideale kreisförmige Vakuum-Magnetron-Sputtertargets, ALUMINIUMOXID- _{Al2O3 -} Sputtertarget, 3 Zoll Durchmesser x 0,125 Zoll Dicke, 99,99 Prozent Reinheit, metallisch verbunden mit einer OFHC-Kupfer-Trägerplatte

Bei diesem Produkt handelt es sich um ein kreisförmiges Magnetron-ALUMINIUMOXID- _{Al2O3 -} Sputtertarget mit einem Durchmesser von 3 Zoll und einer Dicke von 0,125 Zoll. Es hat eine Reinheit von 99,99 % und ist metallisch mit einer OFHC-Kupferträgerplatte (Oxygen-Free High Conductivity, hohe sauerstofffreie Leitfähigkeit) verbunden.

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ALUMINIUMOXID – Al ₂ O ₃

1. Brechungsindex: Brechungsindex: ~1,63 (bei 550 nm), was es zu einem Material mit niedrigem bis mittlerem Brechungsindex macht. Diese Eigenschaft macht es für den Einsatz in mehrschichtigen optischen Beschichtungen wie Antireflexbeschichtungen, dielektrischen Spiegeln und Filtern geeignet.

2. Optische Transparenz: Transmissionsfenster: Al ₂ O ₃ ist vom Ultraviolett- (UV) bis zum Infrarot- (IR) Bereich, von ~200 nm bis ~5 µm, hochtransparent. Dadurch eignet es sich für eine Vielzahl optischer Anwendungen im UV-, sichtbaren und IR-Wellenlängenbereich.

3. Mechanische Eigenschaften: Al ₂ O ₃ ist extrem hart und verschleißfest und eignet sich daher hervorragend für Schutzbeschichtungen und abriebfeste Schichten auf mechanisch beanspruchten Oberflächen. Aufgrund seiner hohen mechanischen Festigkeit eignet es sich auch für Mikroelektronik und Schutzbeschichtungen in rauen Umgebungen.

4. Chemische und thermische Stabilität: Al ₂ O ₃ ist chemisch hochgradig inert und korrosions- und oxidationsbeständig, sodass es sich für den Einsatz in chemisch aggressiven Umgebungen eignet. Es weist eine hohe thermische Stabilität auf, sodass es für Anwendungen mit hohen Temperaturen geeignet ist.

5. Dielektrische Eigenschaften: Hohe Dielektrizitätskonstante: Al ₂ O ₃ hat eine relativ hohe Dielektrizitätskonstante (~9), was es als Gate-Dielektrikum und in Kondensatoren für elektronische Anwendungen nützlich macht. Es dient als ausgezeichnete Isolierschicht in Halbleiterbauelementen und bietet gute elektrische Isolierung und thermische Stabilität.

6. Abscheidungsmethoden: Al ₂ O ₃ -Dünnschichten können mit verschiedenen Methoden abgeschieden werden, darunter HF-Sputtern, reaktives Sputtern, Atomlagenabscheidung (ALD) und thermische Verdampfung. ALD wird besonders für ultradünne, konforme Beschichtungen in Halbleiter- und Nanotechnologieanwendungen bevorzugt.

7. Anwendungen: Optische Beschichtungen: _Al2O3 wird häufig in Antireflexbeschichtungen, Schutzbeschichtungen für optische Bauteile und als Teil von mehrschichtigen dielektrischen Spiegeln verwendet. Mikroelektronik: _Al2O3 wird häufig in MOSFETs als Gate-Isolator, in Kondensatoren und als Passivierungsschicht in Halbleiterbauelementen verwendet. Schutzbeschichtungen: Aufgrund seiner Härte und Verschleiß- und Chemikalienbeständigkeit wird es zum Schutz von Oberflächen in industriellen Anwendungen verwendet. Barrierebeschichtungen: _Al2O3 bietet eine hervorragende Diffusionsbarriere und _wird in Verpackungs- und Feuchtigkeitsschutzschichten verwendet.

Zusammenfassung:
Aluminiumoxid ( _Al2O3 ) ist ein vielseitiges Material für dünne Filme, _das optische Transparenz, mechanische Beständigkeit, chemische Inertheit und dielektrische Eigenschaften bietet. Es wird häufig für optische Beschichtungen, Mikroelektronik, Schutzschichten und Barrierebeschichtungen verwendet und findet Anwendung in Halbleiterbauelementen, abriebfesten Beschichtungen und optischen Elementen. Seine Kombination aus Transparenz und Stabilität macht es zu einem wichtigen Material für Hochleistungsbeschichtungen in verschiedenen Branchen.

Hinweise:
Für alle dielektrischen Targetmaterialien wird eine metallische oder elastomere Trägerplattenverbindung empfohlen, da diese Materialien Eigenschaften aufweisen, die sich nicht zum Sputtern eignen, wie z. B. Sprödigkeit und geringe Wärmeleitfähigkeit. Diese Targets sind aufgrund ihrer geringen Wärmeleitfähigkeit am anfälligsten für Thermoschocks und erfordern daher während der Start- und Abschaltschritte möglicherweise spezielle Verfahren zum Hoch- und Herunterfahren der Leistung.