Ideale kreisförmige Vakuum-Magnetron-Sputtertargets, SILIZIUMNITRID-Si ₃ N ₄ -Sputtertarget, 3 Zoll Durchmesser x 0,125 Zoll Dicke, 99,5 Prozent Reinheit, metallisch verbunden mit einer OFHC-Kupfer-Trägerplatte

_Bei diesem Produkt handelt es sich um ein kreisförmiges Magnetron-Sputtertarget aus SILIZIUMNITRID - _Si3N4 mit einem Durchmesser von 3 Zoll und einer Dicke von 0,125 Zoll. Es hat eine Reinheit von 99,5 % und ist metallisch mit einer OFHC-Kupferträgerplatte (Oxygen-Free High Conductivity, hohe sauerstofffreie Leitfähigkeit) verbunden.

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SILIZIUMNITRID – Si ₃ N ₄
SILIZIUMNITRID ( _{Si3N4 )} ist aufgrund seiner mechanischen, chemischen und optischen Eigenschaften ein vielseitiges Material, das in Dünnschichtbeschichtungen für verschiedene Anwendungen verwendet wird. Hier ist eine Zusammenfassung seiner wichtigsten Eigenschaften im Zusammenhang mit Dünnschichten:
Brechungsindex: ~1,9 bis 2,0 (bei 550 nm), wodurch es sich um ein Material mit mittlerem Brechungsindex handelt, das häufig in mehrschichtigen optischen Beschichtungen verwendet wird.
Optische Eigenschaften: Si ₃ N ₄ verfügt über eine ausgezeichnete Transparenz vom sichtbaren bis zum Infrarotbereich (~250 nm bis 8 µm) und eignet sich daher für Antireflexbeschichtungen, Wellenleiter und die Photonik.
Mechanische Eigenschaften: Es ist hart, verschleißfest und weist eine hohe thermische Stabilität auf, wodurch es sich ideal für Beschichtungen eignet, bei denen Haltbarkeit und Umweltbeständigkeit erforderlich sind.
Chemische Stabilität: _Si3N4 ist chemisch inert und bietet _eine gute Korrosionsbeständigkeit, die für Schutzbeschichtungen nützlich ist.
Abscheidungsmethoden: Si ₃ N ₄ kann durch RF oder reaktives Sputtern (unter Verwendung eines Siliziumtargets mit Stickstoff) sowie durch PECVD (plasmaverstärkte chemische Gasphasenabscheidung) abgeschieden werden.
Anwendungen: Aufgrund seiner isolierenden Eigenschaften und seiner Fähigkeit, als Diffusionsbarriere zu wirken, wird es häufig in optischen Beschichtungen, Halbleiterbauelementen, Schutzbeschichtungen und in der Mikroelektronik verwendet.
Si ₃ N ₄ wird wegen seiner Kombination aus optischer Leistung und mechanischer Festigkeit geschätzt, was es sowohl für funktionale als auch für schützende Dünnschichtbeschichtungen nützlich macht.

Hinweise:
Für alle dielektrischen Targetmaterialien wird eine metallische oder elastomere Trägerplattenverbindung empfohlen, da diese Materialien Eigenschaften aufweisen, die sich nicht zum Sputtern eignen, wie z. B. Sprödigkeit und geringe Wärmeleitfähigkeit. Diese Targets sind aufgrund ihrer geringen Wärmeleitfähigkeit am anfälligsten für Thermoschocks und erfordern daher während der Start- und Abschaltschritte möglicherweise spezielle Verfahren zum Hoch- und Herunterfahren der Leistung.