Ideale Vakuum-Rundmagnetron-Sputtertargets, TANTALOXID- _{Ta2O5 -} Sputtertarget, 3 Zoll Durchmesser x 0,125 Zoll Dicke, 99,995 Prozent Reinheit, metallisch verbunden mit einer OFHC-Kupfer-Trägerplatte

Bei diesem Produkt handelt es sich um ein kreisförmiges Magnetron-Sputtertarget aus TANTALOXID - Ta ₂ O ₅ mit einem Durchmesser von 3 Zoll und einer Dicke von 0,125 Zoll. Es hat eine Reinheit von 99,995 % und ist metallisch mit einer OFHC-Kupferträgerplatte (Oxygen-Free High Conductivity, hohe Sauerstoffleitfähigkeit) verbunden.

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TANTALOXID – Ta ₂ O ₅
Tantalpentoxid
Tantalpentoxid (Ta ₂ O ₅ ) ist eine anorganische Verbindung aus Tantal und Sauerstoff. Es ist ein weißes, kristallines Pulver, das für seinen hohen Brechungsindex, seine ausgezeichnete chemische Stabilität und seine dielektrischen Eigenschaften bekannt ist. Ta ₂ O ₅ wird aufgrund seiner einzigartigen Kombination von Eigenschaften häufig in optischen und elektronischen Anwendungen eingesetzt.

Tantalpentoxid (Ta ₂ O ₅ ) wird aufgrund seiner außergewöhnlichen optischen, elektronischen und dielektrischen Eigenschaften häufig in Dünnschichtbeschichtungen verwendet. Seine Vielseitigkeit und die Fähigkeit, stabile, hochwertige Filme zu bilden, machen es ideal für eine Vielzahl von Hochleistungsanwendungen:

1. Beschichtungen mit hohem Brechungsindex: Ta ₂ O ₅ wird in mehrschichtigen optischen Beschichtungen für Linsen, Spiegel und Filter verwendet. Sein hoher Brechungsindex hilft bei der Herstellung präziser Antireflex- und hochreflektierender Beschichtungen.
2. Antireflexbeschichtungen: Werden in Kombination mit Materialien mit niedrigerem Brechungsindex verwendet, um Antireflexbeschichtungen zur Verbesserung der Lichtdurchlässigkeit in Linsen und Displays herzustellen.
3. Barriereschichten: Dienen als Schutzschicht gegen Oxidation und Korrosion in Mehrschichtstrukturen.
4. Elektrooptische und photonische Geräte:.

Tantalpentoxid ist aufgrund seiner einzigartigen Kombination aus hohem Brechungsindex (~2,1 bis 2,2 bei 550 nm), dielektrischer Festigkeit und chemischer Stabilität ein unverzichtbares Material für Dünnschichtbeschichtungen in der Optik, Elektronik und Photonik und ermöglicht die Entwicklung von Geräten und Systemen mit hoher Leistung.

Abscheidungsmethoden:
Ta2O5-Dünnschichten können mittels HF-Sputtern, reaktivem Sputtern (mit Tantal und Sauerstoffgas) und Elektronenstrahlverdampfung abgeschieden werden. Es wird auch mittels Atomlagenabscheidung (ALD) für präzise, konforme Beschichtungen in der Mikroelektronik abgeschieden.

Hinweise:
Für alle dielektrischen Targetmaterialien wird eine metallische oder elastomere Trägerplattenverbindung empfohlen, da diese Materialien Eigenschaften aufweisen, die sich nicht zum Sputtern eignen, wie z. B. Sprödigkeit und geringe Wärmeleitfähigkeit. Diese Targets sind aufgrund ihrer geringen Wärmeleitfähigkeit am anfälligsten für Thermoschocks und erfordern daher während der Start- und Abschaltschritte möglicherweise spezielle Verfahren zum Hoch- und Herunterfahren der Leistung.