Ideale kreisförmige Vakuum-Magnetron-Sputtertargets, SILIZIUM - Si (undotiert) Sputtertarget, 3 Zoll Durchmesser x 0,125 Zoll Dicke, 99,999 Prozent Reinheit, metallisch verbunden mit einer OFHC-Kupfer-Trägerplatte

Bei diesem Produkt handelt es sich um ein kreisförmiges Magnetron-Sputtertarget aus SILIZIUM - Si (undotiert) mit einem Durchmesser von 3 Zoll und einer Dicke von 0,125 Zoll. Es hat eine Reinheit von 99,999 % und ist metallisch mit einer OFHC-Kupferträgerplatte (Oxygen-Free High Conductivity, hohe sauerstofffreie Leitfähigkeit) verbunden.

Wir verwenden eine sehr wettbewerbsfähige Preisstrategie, um sicherzustellen, dass Sie Produkte von höchster Qualität zum bestmöglichen Preis erhalten, sodass Sie bei jedem Einkauf sowohl Erschwinglichkeit als auch Exzellenz genießen. Wir bieten jedem Kunden riesige Rabatte, Kunden, die Großbestellungen aufgeben, können sich über enorme Einsparungen freuen. Wir haben riesige Mengen unserer Produkte auf Lager, um unseren Kunden eine garantierte Lieferung am selben Tag nach der Bestellung zu bieten. Diese kurze Vorlaufzeit wird von all unseren Kunden geschätzt, die ihren Cashflow mit schnelleren Durchlaufzeiten verwalten möchten. Unsere Stammkunden können niedrigere Lagerbestände aufrechterhalten, die Lagerkosten senken und das Risiko der Veralterung minimieren. Der Kauf bei Ideal Vacuum bedeutet, dass ein Kunde sein Produkt schneller erhält, was die Zufriedenheit erhöht und seine dringendsten Bedürfnisse erfüllt. Dies ermöglicht es unseren Kunden auch, ihrer Konkurrenz einen Schritt voraus zu sein, indem sie sich schnell an neue Trends und Anforderungen anpassen.

SILIZIUM - Si (undotiert)

SILIZIUM – Si (undotiert): Ein undotiertes Silizium (Si)-Sputtertarget wird in verschiedenen Branchen häufig zur Dünnschichtabscheidung verwendet, insbesondere in Halbleitern, Optoelektronik und Solarzellen. Hier ist eine Zusammenfassung seiner wichtigsten Eigenschaften:

1. Materialeigenschaften: Elektrische Leitfähigkeit: Undotiertes Silizium ist ein Halbleiter mit relativ geringer elektrischer Leitfähigkeit bei Raumtemperatur. Bei Anwendungen, bei denen Leitfähigkeit wichtig ist, muss es sorgfältig behandelt werden, obwohl es bei erhöhten Temperaturen leitfähig wird. Reinheit: Hochreine undotierte Siliziumtargets werden häufig in Halbleiteranwendungen verwendet, wobei die typische Reinheit bei Materialien in Elektronikqualität 99,99 % oder sogar 99,999 % übersteigt. Kristalline Struktur: Siliziumtargets können entweder amorph, polykristallin oder einkristallin sein. Die Wahl der Struktur beeinflusst die Eigenschaften des Films, wobei einkristallines Silizium überlegene elektrische Eigenschaften für Dünnschichtanwendungen bietet.>

2. Abscheidungsmethoden: HF-Sputtern: Da undotiertes Silizium ein Halbleiter ist, wird HF-Sputtern normalerweise für die Dünnschichtabscheidung verwendet. Dies ist notwendig, da beim DC-Sputtern eine Ladungsbildung auf dem Target entstehen würde, was es für nichtleitende oder halbleitende Materialien wie undotiertes Silizium ineffizient machen würde. Filmqualität: Filme, die mit undotierten Siliziumtargets abgeschieden werden, können sehr gleichmäßig sein und werden häufig bei der Herstellung von Halbleitern, optischen Beschichtungen und Photovoltaik verwendet.>

3. Anwendungen: Mikroelektronik: Undotiertes Silizium-Sputtertarget ist für die Herstellung dünner Filme in integrierten Schaltkreisen, Transistoren und anderen Halbleiterbauelementen unverzichtbar. Solarzellen: Dünne Filme aus undotiertem Silizium (insbesondere amorphes Silizium oder mikrokristallines Silizium) werden in Solarzellen zur Energieumwandlung verwendet. Optoelektronik: Siliziumfilme werden in Infrarotdetektoren, Fotodetektoren und MEMS-Geräten eingesetzt. Passivierungsschichten: Bei der Herstellung von Halbleiterbauelementen werden Siliziumfilme als Passivierungsschichten oder als Basismaterial für eine nachfolgende Dotierung oder Oxidation verwendet.>

4. Filmeigenschaften: Elektrische Eigenschaften: Siliziumfilme aus undotiertem Silizium sind intrinsische Halbleiter, d. h. sie haben eine geringe Leitfähigkeit, sofern sie nicht dotiert oder äußeren Einflüssen (z. B. Temperatur oder Licht) ausgesetzt werden. Optische Eigenschaften: Undotierte Siliziumdünnfilme sind im sichtbaren Spektrum undurchsichtig, im Infrarotbereich jedoch transparent, wodurch sie für IR-Optik und photonische Anwendungen geeignet sind.>

5. Herausforderungen: Ladungsaufbau: Da es sich bei undotiertem Silizium um einen Halbleiter handelt, kann es aufgrund von Ladungsaufbau auf dem Target nicht effizient mit Gleichstrommethoden gesputtert werden. Daher ist HF-Sputtern unerlässlich, um eine gleichmäßige Abscheidung sicherzustellen. Targetqualität: Die Reinheit und Kristallstruktur des Siliziumtargets muss sorgfältig kontrolliert werden, um Defekte in den abgeschiedenen Dünnschichten zu vermeiden, insbesondere bei Hochleistungshalbleiter- und optischen Anwendungen.>

Zusammenfassung:
Ein undotiertes Silizium-Sputtertarget wird hauptsächlich in Halbleitern, Solarzellen und Optoelektronik verwendet. Aufgrund seiner Halbleiternatur wird normalerweise HF-Sputtern eingesetzt, um eine Ladungsbildung auf dem Target zu vermeiden. Filme aus undotiertem Silizium werden aufgrund ihrer elektrischen, optischen und mechanischen Eigenschaften verwendet, wobei die Anwendungsgebiete von integrierten Schaltkreisen bis hin zur Infrarotoptik reichen.

Hinweise:
Für alle dielektrischen Targetmaterialien wird eine metallische oder elastomere Trägerplattenverbindung empfohlen, da diese Materialien Eigenschaften aufweisen, die sich nicht zum Sputtern eignen, wie z. B. Sprödigkeit und geringe Wärmeleitfähigkeit. Diese Targets sind aufgrund ihrer geringen Wärmeleitfähigkeit am anfälligsten für Thermoschocks und erfordern daher während der Start- und Abschaltschritte möglicherweise spezielle Verfahren zum Hoch- und Herunterfahren der Leistung.